基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸

提供一种基板处理装置，该基板处理装置具备按照加工制程中设定的处理过程来控制基板的处理的控制部，其中，所述加工制程与将所述处理过程按功能进行区分且单元化而得到的多个部分制程链接，所述控制部按照所链接的所述多个部分制程中设定的处理过程来控制基板的处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种基板处理装置、基板处理方法以及基板处理程序。
技术介绍
基板处理装置按照加工制程中设定的处理过程来处理基板。在加工制程中设定的处理过程中设定有处理基板时的压力等加工条件的设定、处理的顺序以及处理的定时(例如参照专利文献1)。对于由基板处理装置执行的各种基板的处理，针对一个处理创建一个加工制程。专利文献1：日本特开2007-266410号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，当在一个加工制程中对用于处理基板的前工序、基板处理工序以及后工序的处理过程全部进行设定时，前工序和后工序的处理过程虽然能够在多个加工中共通地使用，但是必须按每个加工制程进行设定值的输入、变更。因此，在输入、变更制程时作业人员的负担大，容易发生错误。例如，作为一个后工序的基板的除电处理的加工条件依赖于基板处理装置的硬件结构而发生变更。因此，在基板处理装置的硬件结构发生了变更的情况下，需要根据变更后的装置结构来变更多个加工制程的所有制程的除电处理的设定值，变更花费劳力和时间，作业人员的负担大。与此相对，通过设定装置参数，能够在由应用该装置参数的基板处理装置执行的所有的基板的处理中反映所述装置参数的值。但是，装置参数一律应用于由相同的基板处理装置执行的所有的基板的处理，因此难以对由相同的基板处理装置执行的多个不同的加工设定不同的加工条件。针对上述问题，一个方面的目的在于使加工制程的设定、变更以及管理变得容易。用于解决问题的方案为了解决上述问题，根据一个方式，提供一种基板处理装置，该基板处理装置具备按照加工制程中设定的处理过程来控制基板的处理的控制部，其中，所述加工制程与将所述处理过程按功能进行区分且单元化而得到的多个部分制程链接，所述控制部按照所链接的所述多个部分制程中设定的处理过程来控制基板的处理。专利技术的效果根据一个方式，能够使加工制程的设定、变更以及管理变得容易。附图说明图1是表示一个实施方式所涉及的基板处理装置的整体结构的一例的图。图2是表示一个实施方式所涉及的加工制程的结构的一例的图。图3是表示一个实施方式所涉及的T1制程和T2制程的一例的图。图4是表示一个实施方式所涉及的除电处理的顺序的一例的图。图5是表示一个实施方式所涉及的基板处理的一例的流程图。图6是表示一个实施方式所涉及的加工制程的结构例1的图。图7是表示一个实施方式所涉及的加工制程的结构例2的图。图8是表示一个实施方式所涉及的加工制程的结构例3的图。图9是表示一个实施方式所涉及的加工制程的结构例4的图。图10是表示一个实施方式所涉及的自动检查项目的一例的图。图11是表示一个实施方式所涉及的自动检查的顺序的一例的图。图12是表示一个实施方式的变形例所涉及的制程结构的一例的图。图13是表示一个实施方式的变形例所涉及的权限的一例的图。图14A是表示一个实施方式的变形例所涉及的画面的一例的图。图14B是表示一个实施方式的变形例所涉及的画面的一例的图。图15是表示一个实施方式的变形例所涉及的画面的一例的图。具体实施方式下面，参照附图对用于实施本专利技术的方式进行说明。此外，在本说明书和附图中，关于实质上相同的结构标注相同的符号，由此省略重复的说明。[基板处理装置的整体结构例]首先，参照图1对本专利技术的一个实施方式所涉及的基板处理装置1的整体结构的一例进行说明。图1表示一个实施方式所涉及的基板处理装置1的整体结构的一例。基板处理装置1具有筒状的腔室C。腔室C例如由表面被进行了阳极氧化处理的铝构成。在腔室C的内部设置有下部电极100，该下部电极100还作为用于载置基板W的载置台发挥功能。下部电极100由隔着绝缘件105设置的支承体110支承。在腔室C的顶部设置有上部电极50。上部电极50通过配置于腔室C的顶部的绝缘件55而相对于腔室C电分离。高频电源65经由匹配电路60连接于上部电极50。此外，关于高频电源65，也可以代替连接于上部电极50而连接于下部电极100。另外，也可以是两个高频电源连分别连接于上部电极和下部电极。也可以是两个高频电源均连接于下部电极。匹配电路60设置在匹配箱70内。匹配箱70是匹配电路60的接地壳体。处理气体供给部80经由气体供给路75连接于上部电极50。从处理气体供给部80输出的期望的气体经过气体供给路75和上部电极50内而从多个气体喷射孔95被供给到腔室C的内部。通过这样，上部电极50还作为气体喷头发挥功能。温度传感器85设置于上部电极50。温度传感器85用于检测腔室C的内部的温度。在腔室C的底面部中央的开口处安装有伸缩管15。伸缩管15固定于升降板20。升降板20通过升降来调整载置基板W的位置的高度。在下部电极100与升降板20之间，经由导电路25连接有阻抗调整部30。腔室C的内部通过排气装置35而被减压到期望的真空度。基板W从闸阀40被搬入到腔室C的内部。向腔室C的内部供给气体并且施加高频电力，由此通过由气体生成的等离子体的作用对基板W实施期望的蚀刻。控制部200具有CPU(Central Processing Unit：中央处理器)205、HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)210、ROM(Read Only Memory：只读存储器)215以及RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)220。CPU 205、HDD 210、ROM 215以及RAM 220经由总线B相互连接。控制部200按照加工制程中设定的处理过程来对基板W实施规定的处理。加工制程保存于HDD 210或者RAM 220。在加工制程中设定有加工条件、处理的顺序以及处理的定时来作为基板的处理过程。关于加工条件，设定有加工时间、腔室C的内部的温度(上部电极温度、处理室的侧壁温度)、压力(气体的排气)、高频电力、电压、各种气体流量等设定值。例如，控制部200将制程的设定温度与检测温度进行比较来调整腔室C的内部的温度。实际的控制由CPU 205来执行。CPU 205按照加工制程来对基板W进行蚀刻处理等处理。此外，控制部200的功能既可以由软件来实现，也可以由硬件来实现。以上，对本实施方式所涉及的基板处理装置1的整体结构进行了说明。[加工制程的结构例]接下来，参照图2对本实施方式所涉及的加工制程的结构的一例进行说明。在图2的右侧示出本实施方式所涉及的加工制程的结构的一例。在图2的左侧，针对一个基板的处理创建了一个加工制程。示出在文件F0内的加工制程中设定有用于处理基板的主加工的步骤条件和后工序的除电处理T1、T2的所有处理过程的例子。在文件F0中，在加工制程中设定有步骤条件和除电处理T1、T2的所有处理过程。因此，关于对于如除电处理T1、T2那样的共通处理的设定值的变更也需要按每个加工制程进行，变更处变多而作业人员的负担大。另外，容易发生设定变更时的输入错误。与此相对，本实施方式将一个加工制程中设定的处理过程按功能进行区分而单元化。在本实施方式中，将单元化而得到的各制程称为“部分制程”。在图2的右侧示出加工条件制程、T1制程以及T2制程这些部分制程来作为将处理过程按功能进行区分且单元化而得到的多个部分制程的一例。本实施方式的文件F1内的加工制程与加工条件制程、T1制程以及T2制程这些各部分制程链接。加工制程以按照加工条件制程→T1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，具备按照加工制程中设定的处理过程来控制基板的处理的控制部，其中，所述加工制程与将所述处理过程按功能进行区分且单元化而得到的多个部分制程链接，所述控制部按照所链接的所述多个部分制程中设定的处理过程来控制基板的处理。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.05.20 JP 2014-104206;2015.04.21 JP 2015-087041.一种基板处理装置，具备按照加工制程中设定的处理过程来控制基板的处理的控制部，其中，所述加工制程与将所述处理过程按功能进行区分且单元化而得到的多个部分制程链接，所述控制部按照所链接的所述多个部分制程中设定的处理过程来控制基板的处理。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述多个部分制程包括设定了基板的处理所特有的处理过程的部分制程和设定了基板的处理所共通的处理过程的部分制程。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，设定了所述特有的处理过程的部分制程包括设定了将基板的处理所特有的处理过程划分为多个工序时的各工序的处理过程的多个部分制程。4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，设定了所述共通的处理过程的部分制程包括设定了通过所述特有的处理过程执行的处理的前工序和后工序中的至少任一工序的处理过程的部分制程。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述加工制程与宏程序链接，所述控制部按照所链接的所述宏程序中规定的顺序来控制基板的处理。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木满，三浦达也，大野利弘，小野和宗，远藤翔子，北原竜，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP