本发明提供一种基板处理装置。基板处理装置包括：基板保持器具，呈搁板状保持多个基板；处理容器，具有用于收容多个基板以及基板保持器具的内筒、和配置于内筒的外侧的外筒；气体供给部件，与收容于处理容器内的多个基板的被处理面平行地向该被处理面供给...

本发明提供一种夹持装置、基板输入输出装置以及基板处理装置。本发明的夹持装置(100)包括：夹持构件(81)，在对设置于基板收纳容器(C)的正面的盖体(68)进行开闭时，该夹持构件(81)能够从上方与该基板收纳容器接触而将所述基板收纳容器...

本发明提供一种氮化硅膜的形成方法以及氮化硅膜的形成装置。氮化硅膜的形成方法包括：将被处理体收容于反应室内的收容工序；在收容到所述反应室内的被处理体上形成氮化硅膜的氮化硅膜形成工序；向收容有形成有所述氮化硅膜的被处理体的反应室供给具有不饱...

本发明提供一种能够减少占地面积并且能够获得高生产量的基板处理装置。本发明的位于载置块和端块之间的中间块，其包括：相互层叠设置的多个第一处理模块，其用于分别仅对从载置块取出并送往端块的基板和从端块返回载置块的基板中的一者进行处理；进行升降...

本发明的电源系统、等离子体处理装置和电源控制方法能够抑制电子相对伴随向下部电极的高频电力的供给在被处理体上产生的等离子体鞘的弹回而导致的上部电极侧的放电。电源系统包括：对用于载置被处理体的下部电极供给等离子体生成用的高频电力的高频电源；...

本发明提供一种能够正确地检测到基板从载置台剥离的基板处理方法。基板处理装置(11)包括：收容基板(G)利用等离子体对该基板(G)实施等离子体蚀刻的腔室(20)；设置于该腔室(20)的内部的、用于载置基板(G)的载置台(21)；内置于该载...

本发明提供基板液处理装置以及基板液处理方法。防止因处理液和清洗流体之间的反应而产生结晶。在本发明中，基板液处理装置具有：处理液流路(浓度测量流路)，其供用于对基板进行处理的处理液流动；清洗流体供给部，其用于将用于对处理液流路的至少一部分...

本发明提供一种基板保持具以及基板处理装置。用于多层地保持多个基板的基板保持具包括圆环状构件，该圆环状构件设置于相邻的基板之间，在与基板的要被等离子体处理的被处理面相对的面的外周缘部具有凸部。

本发明提供一种处理装置，具备使操作容易且不成为产生微粒的原因，能够适用于大型处理容器的防止散热构造。抑制散热单元(105)以覆盖处理容器(101)的各侧壁(101b)的外壁面的一部分或大致全部面的方式沿着侧壁(101b)配置。抑制散热单...

本发明提供基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置包括：旋转台，其以能够旋转的方式设置于真空容器内，能够载置基板；第1反应气体供给部，其能够向旋转台的表面供给第1反应气体；第2反应气体供给部，其沿着旋转台的周向与第1反应气体供给部分开...

本发明提供基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置包括：旋转台，其以能够旋转的方式设置于真空容器内，能够载置基板；第1反应气体供给部，其能够向旋转台的表面供给第1反应气体；第2反应气体供给部，其沿着旋转台的周向与第1反应气体供给部分开...

本文所公开的技术提供了用于针对衬底的背侧生成纹理图的系统和方法。所述纹理图可以用于确定针对衬底的前侧的后续工艺的工艺调节(例如，焦点深度)。

本发明提供一种在对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的技术中抑制由氮化硅构成的第2区域被削去且使处理时间较短的蚀刻方法。在本发明的蚀刻方法中，为了对第1区域进行蚀刻而执行一次以上的序列。一次以上的序列中的各个序列具有如下工序：在被处理体上形...

本发明提供一种基板保持机构以及使用该基板保持机构的基板处理装置。该基板保持机构是用于将基板保持于基座上的预定的基板保持区域上的基板保持机构，其中，该基板保持机构具有：基板保持构件，其设置于所述基板保持区域的周围，其通过从所述基板保持区域...

本发明提供一种填充凹部的方法以及处理装置。该填充凹部的方法用于填充被处理体的凹部，其中，该方法包括如下工序：沿着划分形成凹部的壁面形成实质上不含有杂质的半导体材料的第1薄膜；通过在容器的内侧对被处理体进行退火，由第1薄膜的朝向凹部的底部...

本发明涉及在真空气氛下向基板供给处理气体来对该基板进行处理时，抑制载置台上的基板的伴随着压力变化的滑动。向载置于载置台(3)上的晶片(W)供给处理气体，并且将真空容器(2)内的设定压力设定为第一压力，之后，将设定压力变更为比第一压力低的...

本发明提供一种能够提高氧化膜去除处理的生产率而提升生产性的基板处理方法和基板处理装置。在该基板处理方法中，将在表面形成有氧化硅膜(202)的晶圆(W)收纳在腔室(40)内并多次重复执行COR工序和PHT工序，在该COR工序中，向腔室(4...

本发明提供一种填充凹部的方法以及处理装置。该填充凹部的方法用于填充被处理体的凹部，其中，该被处理体具有半导体基板以及设于该半导体基板上的绝缘膜，凹部贯通绝缘膜而延伸到半导体基板的内部，该方法包括如下工序：沿着划分形成凹部的壁面形成半导体...

本发明提供一种能够通过使用了WCl6气体作为原料气体的ALD法来以较高的生产率形成填埋性良好的钨膜的钨膜的成膜方法。在收容有被处理基板并被保持在减压气氛下的腔室内，利用ALD法在被处理基板的表面形成钨膜时，在供给氯化钨气体时，以ALD反...

提供在SiGe和Si共存的被处理基板中，能够使用相同的气体体系在同一装置内进行相对于Si选择性蚀刻SiGe、以及相对于SiGe选择性蚀刻Si的蚀刻方法。通过将具有硅和硅锗的被处理基板配置于腔室内，将蚀刻气体的气体体系设为F2气体和NH3...