本发明提供一种基板液体处理装置和基板液体处理方法。该基板液体处理装置具有：贮存用于对基板(8)进行处理的处理液的处理液贮存部(38)；供给处理液的处理液供给部(39)；使处理液贮存部的内部的处理液循环的处理液循环部(40)；使处理液排出...

本发明提供一种被处理体的处理方法，通过该方法，即使掩模的开口的纵横比高，也能够使形成于被处理体上的氧化硅膜的膜厚偏差降低。在一个实施方式的方法中，反复进行包括以下步骤的流程来形成氧化硅膜：(a)在等离子体处理装置的处理容器内，生成包含卤...

本发明提供一种基板液处理装置、基板液处理方法以及基板处理装置。不阻碍在对基板进行液处理时产生的气流而能够良好地对基板进行液处理。在本发明中，具有：基板旋转保持部(1013)，其用于保持基板(1004)并使基板旋转；处理液供给部(1014...

本发明提供一种能够抑制前端变细，并且在硅氮化物形成期望的开口径的孔的等离子体蚀刻方法。该等离子体蚀刻方法包括：对等离子体处理装置内供给包括氧和碳氟化合物的处理气体的第一步骤；和将处理气体等离子体化，隔着第一掩膜(106)对被处理体的硅氮...

本发明提供一种在对形成于晶片的涂敷膜进行加热处理时，能够防止升华物向处理容器外部泄露且对于涂敷膜的膜厚能够获得良好的面内均匀性的技术。在将涂敷有SOC膜的晶片载置于处理容器(1)内，加热晶片使交联反应进行时，一边从中央排气口(34)以少...

本发明提供在确保机械强度的同时，利用比较轻量的机构安装有金属窗的等离子体处理装置。在进行了真空排气的处理空间(100)内对被处理基板(G)执行等离子体处理的等离子体处理装置(1)中，金属制的处理容器(10)具有被处理基板(G)的载置台，...

本发明提供一种在抑制由氮化硅构成的第2区域被削去的同时对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的蚀刻方法。在本发明的蚀刻方法中，为了对第1区域进行蚀刻，执行一次以上的第1序列，然后，执行一次以上的第2序列。一次以上的第1序列中的各个序列和一次以...

本发明提供液体处理方法、液体处理装置和液体处理用记录介质，能够提高对基板的处理液的涂敷状态的均匀性。涂敷单元(U1)包括：使晶片(W)旋转的旋转保持部(20)；向晶片(W)的表面(Wa)上供给处理液(R)的喷嘴(32)；和控制喷嘴(32...

本发明提供一种在防止开口被闭塞的同时相对于由氮化硅构成的第2区域而对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法包括以下工序：第1工序，在该第1工序中，在容纳有被处理体的处理容器内生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体...

本发明提供一种在抑制由氮化硅构成的第2区域被削去的同时对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法包括以下工序：(a)第1工序，在该第1工序中，在容纳有被处理体的处理容器内生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体；(b...

本发明提供药液供给装置。在对从药液供给源经由药液流路和喷嘴向被处理体供给药液的药液供给装置中所使用的处理液进行过滤时使作业时间缩短。药液供给装置包括分别用于贮存处理液的第一密闭容器(31)和第二密闭容器(32)，在从第一和第二密闭容器(...

本发明提供涂敷处理方法、计算机存储介质和涂敷处理装置。在基板上涂敷涂敷液时，能够将涂敷液的供给量抑制为少量，并且在基板面内均匀地涂敷涂敷液。在晶片上涂敷涂敷液的方法，向晶片上供给涂敷液的溶剂，在该晶片的外周部环状地形成溶剂的液膜，使晶片...

本发明提供一种寿命比现有屏蔽环高的屏蔽环和使用其的基板载置台。该基板载置台在对基板实施等离子体处理的腔室内载置基板，具有被施加高频电力的金属制的基材和设置于该基材之上的基板载置部，该屏蔽环配置于基材和基板载置部的周围，具有绝缘性，屏蔽环...

本文中的技术包括提供将光空间控制地或基于像素地投影到基板上以调整各种基板属性的系统和方法。投影到基板表面的给定的基于像素的图像可以基于基板信号。基板信号可以在空间上表示跨基板的表面的非均匀性。这种非均匀性可以包括能量、热、临界尺寸、光刻...

本发明提供能够抑制因蚀刻而形成的孔或者槽扭曲的等离子体蚀刻方法。该等离子体蚀刻方法包括：第一步骤，对下部电极施加第一高频电力，并且以周期性切换第二高频电力的接通和断开的方式对下部电极施加第二高频电力；和第二步骤，对下部电极施加第一高频电...

本发明提供一种能够提高基板液处理装置的生产率的基板液处理装置和基板液处理方法。基板液处理装置(1)用于利用处理液来对基板(2)进行液处理，其包括：处理液储存部(3)，其用于储存所述处理液；处理液加热部(加热器(18))，其用于对所述处理...

本发明涉及蚀刻处理方法和蚀刻处理装置。[课题]本发明目的在于，抑制深度负载而提高氧化硅膜的蚀刻速率。[解决手段]提供一种蚀刻处理方法，其中，将用于冷却载置台的制冷器的温度控制在-20℃以下，通过由第1高频电源施加的第1高频电力，由气体供...

本发明提供一种在周围配置有由绝缘材料构成的环形部件的载置台，能够抑制粒子或异常放电的产生的技术。设置在等离子体处理装置中的载置台(3)，包括：棱柱状的金属制的载置台主体；形成于载置台主体的侧部的作为卡合部的凹部(61)；和与凹部卡合安装...

本发明提供即使在基板上产生了较大的翘曲时也能将基板真空吸附于载置台的基板吸附辅助构件和基板输送装置。吸附辅助臂包括盖构件，该盖构件具有：设有气体喷出口并覆盖被载置于载物台的晶圆的上方的上方覆盖壁部和覆盖晶圆的侧方的侧方围绕壁部。在载置于...

在进行等离子体处理时使用的、具有聚焦环(6)的载置台(2)中，抑制由垂直方向的电场引起的聚焦环的削减，从而降低粒子。使载置有玻璃基板G的载置台主体成为侧周面为平坦的柱状的构造，在聚焦环的下方侧，以包围载置台主体且与载置台主体的侧周面接触...