载置台和等离子体处理装置制造方法及图纸

在进行等离子体处理时使用的、具有聚焦环(6)的载置台(2)中，抑制由垂直方向的电场引起的聚焦环的削减，从而降低粒子。使载置有玻璃基板G的载置台主体成为侧周面为平坦的柱状的构造，在聚焦环的下方侧，以包围载置台主体且与载置台主体的侧周面接触的方式设置侧部绝缘部件。因此，在聚焦环的正下方不存在载置台主体，所以在聚焦环不产生垂直方向的电场，能够抑制聚焦环的削减。此外，通过使侧部绝缘部件(31)与下部电极(20)的侧周面压接，使辅助绝缘部件(32)与绝缘间隔部件压接，并且使侧部绝缘部件和辅助绝缘部件之间的间隙成为曲径构造，能够抑制异常放电。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对基板进行等离子体处理时使用的载置台以及等离子体处理装置。
技术介绍
在玻璃基板或半导体晶片上形成半导体电路的制造步骤中，存在使用等离子体进行蚀刻处理或成膜处理的工艺。该工艺通过将基板载置于真空容器内的载置台，并且向供给到该载置台上方的空间的处理气体施加高频能量从而生成例如电容耦合等离子体或感应耦合等离子体来进行。载置台，在电容耦合等离子体的情况下构成作为平行平板的一个电极的下部电极，在感应耦合等离子体的情况下构成施加有用于吸引离子的偏压的下部电极。在进行这种工艺的等离子体处理装置中，为了调整等离子体的状态，以包围载置台的方式设置有环状部件。作为环状部件的材质，根据工艺的种类和装置构成等，选择导电性、绝缘性中的任一种。例如，为了将要扩展到载置台外的等离子体圈在基板上，使用被称为聚焦环的由绝缘材料构成的环状部件。关于环状部件的安装构造，如专利文献1记载的那样，在载置台的外周部设置与环状部件的厚度对应的台阶差，以包围载置台的方式形成例如凸缘部分，在该凸缘部分的表面固定环状部件。然而，由于电极位于环状部件的下表面侧，所以无法避免在环状部件的垂直方向上产生强电场，因此等离子体中的离子与环状部件碰撞，从而削减环状部件的表面，成为粒子污染的一个原因。为了减弱垂直方向的电场，针对环状部件的材质进行了研究，但是对于实质性抑制电场的产生从而有效降低粒子，仍然处于困难的状况。专利文献2公开了不具有凸缘部分的载置台，但是等离子体会从环状部件和电极的外周面之间侵入，有可能在电极的外周面引起异常放电，并且环状部件的宽度变大，从而使真空容器大型化。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-273685号公报专利文献2：日本特开2013-157640号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题本专利技术是在这种情况下完成的，其目的在于提供如下一种技术，即在进行等离子体处理时使用的、包括载置有基板的载置台主体和包围该载置台主体的由绝缘材料构成的环状部件的载置台中，能够抑制由垂直方向的电场引起的对环状部件的消减，从而降低粒子。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的载置台，其为了在用于对上述基板进行等离子体处理的真空容器内载置上述基板而设置，上述载置台的特征在于，包括：柱状的金属制的载置台主体，其用于载置基板；由绝缘材料构成的环状部件，该环状部件设置成其上表面面对上述等离子体处理空间且包围上述载置台主体；和侧部绝缘部件，其设置成在上述环状部件的下方侧包围上述载置台主体，并设置成压接到上述载置台主体的侧周面。本专利技术的等离子体处理装置，其特征在于，包括：设置于真空容器内的、上述的载置台；向上述真空容器内供给用于产生等离子体的处理气体的气体供给部；和用于使上述真空容器内产生电场，从而将上述处理气体等离子体化的等离子体产生部。专利技术效果本专利技术使用于载置基板的载置台主体成为从上表面起至下表面的侧周面为平坦的柱状的构造，在环状部件的下方侧，以包围上述载置台主体且压接到载置台主体的侧周面的方式设置有侧部绝缘部件。因此，在环状部件的正下方不存在载置台主体，所以在环状部件不产生垂直方向的电场，能够抑制环状部件的削减。此外，由于在环状部件的下方侧，侧部绝缘部件与载置台主体的侧周面压接，因此还能够抑制等离子体进入到载置台主体的侧周面而引起的异常放电的不良情况。附图说明图1是本专利技术的实施方式的等离子体处理装置的截面图。图2是将载置台的一部分放大的截面图。图3是表示绝缘体和下部电极的平面图。图4是表示侧部绝缘部件的截面图和平面图。图5是表示由以往的载置台形成的电场方向的说明图。图6是表示由本专利技术的实施方式的载置台形成的电场方向的说明图。图7是说明载置台内的放电流动的说明图。图8是表示本专利技术的实施方式的另一例的载置台的截面图。附图标记说明2载置台主体3绝缘体6聚焦环10处理腔室20、100下部电极21喷镀膜25导热气体扩散板28绝缘间隔部件31侧部绝缘部件32辅助绝缘部件35、36螺钉G玻璃基板。具体实施方式对使用了本专利技术的实施方式的基板的载置台的等离体子处理装置进行说明。如图1所示，等离子体处理装置具有接地的例如铝或不锈钢制的处理腔室10。在处理腔室10的侧面设置有用于交接作为进行等离子体处理的基板的例如矩形的玻璃基板G的搬入搬出口11，在搬入搬出口11设置有对搬入搬出口进行打开关闭的闸阀13。在处理腔室10的底面的中央部具有载置玻璃基板G的载置台主体2，其平面形状为矩形，从上表面起至下表面的侧周面为平坦的棱柱状。载置台主体2通过将下部电极20和导热气体扩散板25层叠而构成，在该例中，下部电极20相当于平行平板电极的下部侧的电极，导热气体扩散板25设置在下部电极20的下方侧且由金属例如铝构成。另外，导热气体扩散板25也可以称为下层侧的下部电极。下部电极20由方形的例如铝构成的金属块体构成。如图2所示，在下部电极20的上表面设置有静电卡盘200，静电卡盘200通过在绝缘性的喷镀膜21中埋设有与直流电源202连接的吸盘用箱状的电极201而构成，并且用静电吸附力保持玻璃基板G。因此，下部电极20也可以称为静电卡盘单元。另外，在图3以后的附图中，省略电极201和直流电源202的记载。下部电极20经由匹配器94与用于在处理腔室10内形成等离子体生成用的电场的高频电源93连接。该高频电源例如构成为能够输出比较高的频率例如13.56MHz的高频。此外，下部电极20经由匹配器96与RF偏置用的高频电源95电连接。该高频电源95例如构成为能够输出适于控制吸引到玻璃基板G的离子的能量的频率例如1～6MHz的高频。在下部电极20的内部设置有例如在圆周方向延伸的环状的冷却流路22。从冷却单元(未图示)对该冷却流路22循环供给有规定温度的导热介质，例如全氟聚醚产品(Galden)(注册商标)，能够通过导热介质的温度来控制静电卡盘上的玻璃基板G的处理温度。此外，在下部电极20的上表面，设置于下部电极20内部的气体供给路径24的上端开口，能够将导热气体例如He气供给到下部电极20的上表面和玻璃基板G的背面之间。导热气体是用于使下部电极20的热传导到玻璃基板G的气体。导热气体扩散板25具有与下部电极20的气体供给路径24的下端连通的流路18，该流路18与导热气体的配管连接。在导热气体扩散板25的上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种载置台，其为了在用于对所述基板进行等离子体处理的真空容器内载置所述基板而设置，所述载置台的特征在于，包括：柱状的金属制的载置台主体，其用于载置基板；由绝缘材料构成的环状部件，该环状部件设置成其上表面面对所述等离子体处理空间且包围所述载置台主体；和侧部绝缘部件，其设置成在所述环状部件的下方侧包围所述载置台主体，并设置成压接到所述载置台主体的侧周面。

【技术特征摘要】
2014.12.26 JP 2014-2656701.一种载置台，其为了在用于对所述基板进行等离子体处理的真空容器内载置所述基
板而设置，所述载置台的特征在于，包括：
柱状的金属制的载置台主体，其用于载置基板；
由绝缘材料构成的环状部件，该环状部件设置成其上表面面对所述等离子体处理空间
且包围所述载置台主体；和
侧部绝缘部件，其设置成在所述环状部件的下方侧包围所述载置台主体，并设置成压
接到所述载置台主体的侧周面。
2.如权利要求1所述的载置台，其特征在于：
所述载置台主体从上表面起至下表面的侧周面是平坦的。
3.如权利要求1或2所述的载置台，其特征在于：
所述侧部绝缘部件通过螺钉部件从外周面侧面向所述载置台主体的侧周面被紧固。
4.如权利要求3所述的载置台，其特征在于：
所述螺钉部件是金属制，
所述螺钉部件的头部配置于所述侧部绝缘部件的螺钉孔，
所述螺钉孔被绝缘材料的盖部覆盖。
5.如权利要求3所述的载置台，其特征在于：
所述螺钉部件由绝缘材料形成。
6.如权利要求4或5所述的载置台，其特征在于：
设置有辅助绝缘部件，该辅助绝缘部件设置成与所述侧部绝缘部件的外...

【专利技术属性】
技术研发人员：南雅人，佐佐木芳彦，边见笃，齐藤均，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP