本发明涉及多层膜的蚀刻方法。[课题]在多层膜的蚀刻中，可以抑制掩模开口的闭塞且提高形成于多层膜的空间的垂直性。[解决手段]多层膜包含交替层叠的第1膜和第2膜且第1膜和第2膜具有相互不同的介电常数。多层膜的蚀刻方法包括以下工序：(a)在等...

本发明提供接合装置、接合系统以及接合方法。接合装置(41)包括：上吸盘(140)，其用于对上晶圆(WU)进行真空吸引而将该上晶圆(WU)吸附保持于下表面；以及下吸盘(141)，其设于上吸盘(140)的下方，用于对下晶圆(WL)进行真空吸...

提供一种基板处理装置的基板载置台，不会伴随有部件个数和组装工时的增加，可防止因等离子体进入而引起的粘接剂层的消耗和基部表面中的电弧放电(异常放电)造成的损伤。该基板载置台包括圆板状的基部(41)；由粘接剂层(42)粘接于基部(41)的上...

本发明提供一种基板处理装置以及该基板处理装置的控制方法。上述基板处理装置，包括：内部被减压的处理室；配置在该处理室内、载置基板的载置台；施加等离子体生成用高频电压的第一高频电源；对所述载置台施加偏置电压发生用高频电压、在所述载置台产生偏...

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在将被处理基板载置在载置台上并利用处理气体来进行基板处理时能进一步确保处理均匀性。用于在真空气氛下利用处理气体对作为被处理基板的晶圆(W)实施规定的处理的基板处理装置(5)包括：腔室(40)，其被保...

本发明涉及基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决手段]本实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、和去除液供给工序。成膜处理液供给工序向基板供给成膜处理液，所述成膜处理液包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于上述有机溶剂...

本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。目的在于在腔室内的电极上形成作为靶发挥功能的膜并对所形成的膜进行溅射。在该等离子体处理装置中，载置基板的第一电极与同上述第一电极相向地配置的第二电极以隔开规定的间隙的方式相向地配置，该等...

本发明为在被处理体的被处理面上形成SiCN膜的SiCN膜的成膜方法，其具备：向容纳有前述被处理体的处理室内供给包含Si原料的Si原料气体的工序；和在供给前述Si原料气体的工序之后，向前述处理室内供给包含氮化剂的气体的工序；作为前述氮化剂...

本发明提供一种显影装置，对曝光后的基板进行显影处理时，能够改善基板的面内的抗蚀剂图案的线宽均匀性且能够抑制装置的大型化。本发明的显影装置包括彼此分开在横向上排列的第一和第二杯模块(11A、11B)和第一显影液喷嘴(3)。第一显影液喷嘴(...

本发明提供一种成膜装置。该成膜装置具备：分别限定性地向沿着基板保持件中的基板的排列方向的第一和第二基板保持区域供给原料气体的第一原料气体供给部和第二原料气体供给部、向第一和第二基板保持区域供给反应气体的反应气体供给部、在第一和第二基板保...

本发明提供一种成膜装置和成膜方法，其进行分批式ALD成膜，能够不增大气体供给量，并且能够抑制生产节拍的降低、提高处理气体的利用效率、抑制在排气通路中的反应生成物的生成。分批式成膜装置(100)包括多个处理室(15)、气体供给单元(2)、...

本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供...

本发明提供一种对绝缘膜进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括：(a)在第一期间内，为了激励被供给到等离子体处理装置的处理容器内的包含碳氟化合物的处理气体，周期性地切换高频电力的接通和断开的步骤；和(b)在接着第一期间之后的第二期间，为了激...

基板处理系统(1)包括处理站(3)和输入输出站(2)。所述处理站(3)具有：磨削装置(30、31)，其用于对基板的背面进行磨削；损伤层去除装置(32)，其用于将由于所述磨削装置(30、31)进行磨削而形成于基板的背面的损伤层去除；清洗装...

本发明提供一种成膜装置。成膜装置包括：真空容器；以及旋转台，其设于该真空容器内。另外，成膜装置包括：凹部，其以能收纳所述基板的方式形成于所述旋转台的一面侧；以及载置部，其用于在该凹部内对基板的比周缘部靠中央的部位进行支承。成膜装置还包括...

移载装置(170)包括：支承衬底保持件(40)的支承部(70)；在衬底保持件(40)的衬底保持部(80)能够使衬底升降的升降部件(91)；和遮蔽部件(82)，其随着升降部件(91)的升降而升降，在升降部件(91)接收衬底(W)时介于衬底...

本发明提供一种蚀刻处理方法以及斜角蚀刻装置，该斜角蚀刻装置监视被照射到基板的斜角部之前的激光并检测激光的输出值的变动。该蚀刻处理方法使用了斜角蚀刻装置，该斜角蚀刻装置具备激光发生器和测量从上述激光发生器输出的激光的功率计，照射激光来蚀刻...

本发明提供一种能够形成CD分布均匀性足够高的抗蚀剂的显影方法。本发明涉及的显影方法，其用于对基板表面上的曝光后的抗蚀剂膜进行显影来形成抗蚀剂图案，依序具有如下步骤：(A)向旋转的基板供给显影液的步骤；(B)使抗蚀剂膜与显影液反应的步骤；...

本发明提供使面内线宽分布的均匀性提高的显影方法。本发明提供一种显影方法，将配置于晶片(W)的表面(Wa)上且被曝光了的抗蚀剂膜(R)显影而形成抗蚀剂图案，该显影方法包括：使晶片(W)绕在与水平地保持的晶片(W)的表面(Wa)正交的方向上...

本发明实现形成于基板的表面的涂敷膜的膜厚的进一步的均匀化。液体涂敷方法进行：在晶片(W)的旋转中，一边使喷嘴(N)在晶片(W)的旋转轴与晶片(W)的周缘之间在沿晶片(W)的表面(Wa)的规定的方向上移动，一边从喷嘴(N)排出涂敷液，由此...