本发明提供一种药液排出机构、液处理装置以及药液排出方法，在用于排出粘度较高的药液的药液排出机构中，能够使该药液的排液路径所占的高度变小。该药液排出机构包括：储存部，其具有用于储存药液的储存空间；稀释液供给口，其开口于储存空间，以便供给用...

本发明涉及蚀刻方法和蚀刻装置。[课题]在对被壁部(62)划分了蚀刻区域的SiO2层(61)蚀刻至到达下层之前的中途阶段为止时，改善粗糙度与微负载。[解决手段]对载置于处理容器(1)的晶圆W，间歇地供给预先混合了HF气体与NH3气体的混合...

本发明提供对被处理体进行处理的方法。一实施方式的方法为对被处理体进行处理而形成从氧化区域通过两个隆起区域之间到达基底层的开口的方法。该方法包括：(1)在氧化区域形成使氮化区域的第二部分在两个隆起区域之间露出的开口的工序；和(2)对开口内...

本申请是涉及一种包含可控制温度的加工台的系统、半导体制造装置及加工台的温度控制方法的发明。精密地控制载置台的温度。一实施方式的包含可控制温度的加工台的系统包括：圆盘状的平板，其具有载置基板的正面侧与背面侧；热交换器，其以如下方式而构成，...

本发明的电解处理方法是使用处理液所含有的被处理离子进行规定处理，且包括：电极配置步骤，以隔着所述处理液的方式分别配置直接电极与对向电极，并且配置在该处理液中形成电场的间接电极；被处理离子移动步骤，通过对所述间接电极施加电压，而使所述处理...

本发明提供一种能够在步骤切换后使等离子体迅速地稳定从而能够进行适当的等离子体处理的等离子处理装置以及等离子处理方法。控制装置(16)在第一步骤中以第一能量条件来驱动高频波产生源(1)，在第二步骤中以第二能量条件来驱动高频波产生源(1)。...

本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜装置用于在形成于真空容器内的真空气氛中在载置在台上的基板的表面上层叠氧化物的分子层而形成薄膜，其中，该成膜装置包括：旋转机构；原料气体供给部；处理空间形成构件，其形成处理空间；气氛气体供给部；能量...

本发明提供一种能够在抑制对基板造成的影响的同时在常压气氛下将形成在基板的表面上的被处理膜的一部分去除的基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。将会因在含氧气氛下照射紫外线而分解的被处理膜的原料涂敷在基板(W)上，对涂敷在基板(W)上...

一种等离子体蚀刻方法，其对包含蚀刻对象膜和被图案化的掩模的被处理体进行等离子体蚀刻，所述方法具有：第1工序：使用前述掩模对前述蚀刻对象膜进行等离子体蚀刻；和第2工序：利用含硅气体的等离子体使含硅膜沉积在通过前述第1工序蚀刻了的前述蚀刻对...

本发明提供一种防止在环状屏蔽部件的构成零件和基板载置台之间产生间隙并能够防止构成零件破损的环状屏蔽部件。屏蔽环(15)由四个环构成零件(41)～(44)构成，在各环构成零件(41)～(44)的长度方向上的固定端设置有全方向移动限制部(4...

本发明提供一种成膜装置和成膜方法。成膜装置包括：原料气体供给部，向基板供给含有原料的原料气体；气氛气体供给部，供给用于形成具有引起链式分解反应的浓度以上的浓度的臭氧的臭氧气氛的气氛气体；能量供给部，通过向臭氧气氛供给能量来使臭氧强制地分...

本发明提供一种膜厚测定装置和膜厚测定方法。取得预先测定准备用晶片上的多个点得到的膜厚测定值和与该膜厚测定值对应的各坐标。从预先由拍摄装置拍摄测定准备用晶片得到的准备用拍摄图像中，提取各坐标的像素值。生成各坐标中所提取的像素值与各坐标的膜...

本发明提供一种易于进行组装、维护等且能够抑制反应气体进入到波纹管内的成膜装置。配置于在真空氛围下向基板(W)的表面供给反应气体而进行成膜处理的处理容器(1)内的升降轴(23)以自下表面侧支承着用于载置基板(W)的载置台(2)的状态沿上下...

将在表面上具有氮化硅膜且具有与氮化硅膜相邻地设置的多晶硅膜和/或氧化硅膜的被处理基板(W)配置在腔室(40)内，将含F气体和O2气体以至少将O2气体激励后的状态向腔室(40)内供给，由此，相对于多晶硅膜和/或氧化硅膜选择性地对氮化硅膜进...

本发明提供一种成膜方法。在该成膜方法中，在基板(W)上形成TiN的连续膜，其中，该成膜方法包括以下工序：在上述基板上形成TiO2的连续膜；及在上述TiO2的连续膜上形成厚度厚于上述TiO2膜的厚度的TiN的连续膜。

本发明提供一种成膜装置，该成膜装置包括：原料气体喷嘴，沿着该原料气体喷嘴的长度方向形成有用于喷出所述原料气体和载气的混合气体的气体喷出孔；整流板部，其沿着所述原料气体喷嘴的长度方向伸出；中央部区域，在该中央部区域，自所述真空容器内的中央...

本发明提供一种能够有效地消除径向上的中心成为等离子体密度分布中的特异点那样的、不期望的不均匀性并能够以较大的控制范围对等离子体密度分布自如地进行控制的等离子体处理装置。该电容耦合型等离子体处理装置在上部电极之上包括主磁体单元和辅助磁体单...

本发明提供能够抑制由蚀刻形成的线条的粗糙且能够维持在蚀刻后残留的光致抗蚀剂的高度的等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。等离子体蚀刻方法包括堆积工序和蚀刻工序。在堆积工序中，利用含有四氯化硅气体、甲烷气体以及氢气的第1处理气体的等离子体将...

提供蚀刻被蚀刻层的方法。课题是降低在被蚀刻层形成的多个开口的宽度的差异。该方法包括：(a)在设置于被蚀刻层上的包含有机膜的掩模层上使等离子体反应产物沉积的第1工序、和(b)在第1工序之后，对被蚀刻层进行蚀刻的第2工序。掩模层具有粗区域和...

本发明提供能够对在升温的过程产生翘曲的基板均匀且迅速地进行加热的热处理装置和热处理方法。在热处理装置(1)中，被调节至加热温度的加热板(2)用于载置在升温的过程中产生翘曲且之后恢复到平坦的基板(W)，支承构件(3)自基板(W)的下表面侧...