蚀刻方法技术

将在表面上具有氮化硅膜且具有与氮化硅膜相邻地设置的多晶硅膜和/或氧化硅膜的被处理基板(W)配置在腔室(40)内，将含F气体和O2气体以至少将O2气体激励后的状态向腔室(40)内供给，由此，相对于多晶硅膜和/或氧化硅膜选择性地对氮化硅膜进行蚀刻。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于对在基板上形成的规定的材料的膜进行蚀刻的。
技术介绍
近来，在半导体器件的制造过程中，作为替代干蚀刻、湿蚀刻的能够精细化蚀刻的方法，被称作化学氧化物去除处理(Chemical Oxide Removal:C0R)的干蚀刻技术受到关注(例如专利文献1、2)。在对作为氧化物的氧化硅(S12)进行蚀刻的情况下，单独使用氟化氢(HF)气体，或者使用HF气体和氨(NH3)气体的混合气体。COR是对氧化物进行蚀刻的技术，但其是在不在腔室内生成等离子体的情况下进行蚀刻的低损伤的蚀刻技术，因此，最近，研究将该技术应用于氮化硅(SiN)膜的蚀刻。作为在不在腔室内生成等离子体的情况下对SiN膜进行蚀刻时的蚀刻气体，研究HF气体+F2气体(例如专利文献3)。专利文献1:日本特开2005 - 39185号公报专利文献2:日本特开2008 - 160000号公报专利文献3:日本特开2010 - 182730号公报然而，在半导体晶圆中，SiN膜大多与多晶硅(poly — Si)膜、Si基板等S1、S12膜相邻，在这样的状态下利用HF气体和F2气体对SiN膜进行蚀刻时，在低温条件下，S1 2膜被作为反应生成物而生成的NH3气体和HF气体蚀刻，在高温条件下，poly 一 Si被蚀刻。因此，存在难以相对于S1J莫和poly - Si膜以高选择比对SiN膜进行蚀刻这样的问题。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于，提供一种能够利用不在腔室内生成等离子体的方法相对于氧化硅膜和/或多晶硅膜以高选择比来对氮化硅膜进行蚀刻的。S卩，本专利技术的第一技术方案提供一种，其中，该包括以下工序:将在表面上具有氮化硅膜且具有与所述氮化硅膜相邻地设置的多晶硅膜和/或氧化硅膜的被处理基板配置在腔室内；将含F气体和O2气体以至少将O 2气体激励后的状态向所述腔室内供给；以及利用这些气体相对于所述多晶硅膜和/或所述氧化硅膜选择性地对所述氮化硅膜进行蚀刻。在本专利技术的第一技术方案中，也可以是，还供给非活性气体来进行蚀刻处理。在该情况下，作为所述非活性气体，能够优选使用N2气体和/或Ar气体。在进行所述时，既可以是，将所述含F气体和所述O2气体在所述腔室外一并利用等离子体激励之后导入到所述腔室内，也可以是，将所述含F气体和所述O2气体在所述腔室外单独地利用等离子体激励之后单独地导入到所述腔室内，还可以是，将所述含F气体在没有被激励的情况下导入到所述腔室内，将所述O2气体在所述腔室外利用等离子体激励之后导入到所述腔室内。另外，也可以是，在所述蚀刻之前，向所述被处理基板供给氧等离子体而对所述被处理基板的表面进行预氧化处理。在进行所述蚀刻时，作为所述含F气体，能够使用被非活性气体稀释后的F2气体。作为所述非活性气体，能够优选使用N2气体和/或Ar气体。在该情况下，能够使F 2气体与O2气体之间的体积比在1:2?I:1000的范围内。在进行所述蚀刻时，作为所述含F气体，也能够使用ClF3气体。在该情况下，能够使ClF3气体与O2气体之间的体积比在1:4?I:1000的范围内。并且，在进行所述蚀刻时，能够使在所述腔室内载置所述被处理基板的载置台的温度在10°C?200°C的范围内。并且，在进行所述蚀刻时，能够使所述腔室内的压力在13Pa?1333Pa的范围内。另外，本专利技术的第二技术方案提供一种存储介质，其是在计算机上运行的、存储有用于控制蚀刻装置的程序的存储介质，其中，在执行所述程序时，使计算机控制所述蚀刻装置，以便进行第I技术方案的。采用本专利技术，能够不在腔室内生成等离子体的情况下以高蚀刻速率且相对于与SiN膜相邻地设置的S1J莫和/或poly - Si膜以高选择比来对被处理基板的表面的SiN膜进行蚀刻。【附图说明】图1是表示搭载有为了实施本专利技术的实施方式的而使用的蚀刻装置的处理系统的一个例子的概略结构图。图2是表示搭载于图1的处理系统的蚀刻装置的一个例子的概略结构的剖视图。图3是表示搭载于图1的处理系统的蚀刻装置的另一个例子的概略结构的剖视图。图4是表示搭载于图1的处理系统的蚀刻装置的又一个例子的概略结构的剖视图。图5是表示搭载有为了实施本专利技术的实施方式的而使用的蚀刻装置的处理系统的另一个例子的概略结构图。图6是表示搭载于图5的处理系统的热处理装置的剖视图。图7是表示在作为含F气体而使用被N2气体稀释后的F 2气体的情况下的、O 2气体相对于F2气体的流量比(02/F2)与SiN膜、poly — Si膜、S1J莫的蚀刻量之间的关系的图。图8是表示在作为含F气体而使用被N2气体稀释后的F2气体的情况下的、载置台的温度与SiN膜、poly - Si膜、S1J莫的蚀刻量之间的关系的图。图9是表示在作为含F气体而使用被N2气体稀释后的F2气体的情况下的、腔室内压力与SiN膜、poly - Si膜、S1J莫的蚀刻量之间的关系的图。图10是表示在作为含F气体而使用ClF3气体的情况下的、O 2相对于ClF 3气体的流量比(02/ClF3)与SiN膜、poly — Si膜、S1J莫的蚀刻量之间的关系的图。图11是表示在作为含F气体而使用(:1?3气体的情况下的、载置台的温度与SiN膜、poly - Si膜、S1J莫的蚀刻量之间的关系的图。图12是表示在作为含F气体而使用(:1?3气体的情况下的、腔室内压力与SiN膜、poly - Si膜、S1^的蚀刻量之间的关系的图。图13是表示作为含F气体而使用ClF3气体的情况下的、预氧化处理的条件与SiN膜的蚀刻量、以及与SiN膜相对于多晶硅和S1J莫的蚀刻选择比之间的关系的图。【具体实施方式】以下，参照【附图说明】本专利技术的实施方式。在本专利技术的实施方式中使用的处理系统的一个例子图1是表示搭载有用于实施本专利技术的的蚀刻装置的处理系统的一个例子的概略结构图。该处理系统I包括:输入输出部2，其用于输入输出半导体晶圆(以下，仅记作晶圆)W ;加载互锁真空室(L/L) 3，其设有两个，该两个加载互锁真空室(L/L)与输入输出部2相邻地设置；以及蚀刻装置5，其分别与各加载互锁真空室3相邻地设置，用于在不生成等离子体的情况下对晶圆W进行蚀刻。输入输出部2具有输送室(L/M) 12，该输送室(L/M) 12在内部设有用于输送晶圆W的第一晶圆输送机构11。第一晶圆输送机构11具有用于大致水平地保持晶圆W的两个输送臂11a、lib。在输送室12的长度方向上的侧部设有载置台13，该载置台13能够与例如3个以排列多张晶圆W的方式收纳多张晶圆W的承载件C相连接。另外，与输送室12相邻地设有定位器14，该定位器14使晶圆W旋转并利用光学方法求出偏心量，以进行晶圆W的对位。在输入输出部2中，晶圆W由输送臂lla、llb保持着并利用第一晶圆输送机构11的驱动而在大致水平面内进行直进移动并进行升降，从而将晶圆W输送至期望的位置。然后，通过使输送臂11a、Ilb分别相对于载置台13上的承载件C、定位器14、加载互锁真空室3进行进退来输入输出晶圆W。各加载互锁室3以在其与输送室12之间分别设有闸阀16的状态分别连结于输送室12。在各加载互锁室3内设有用于输送晶圆W的第二晶圆输送机构17。另外，构成为能够对加载互锁室3进行抽真空而使其达到规定的真空度。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻方法，其特征在于，该蚀刻方法包括以下工序：将在表面上具有氮化硅膜且具有与所述氮化硅膜相邻地设置的多晶硅膜和/或氧化硅膜的被处理基板配置在腔室内；将含F气体和O2气体以至少将O2气体激励后的状态向所述腔室内供给；以及利用这些气体相对于所述多晶硅膜和/或所述氧化硅膜选择性地对所述氮化硅膜进行蚀刻。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥信博，高桥哲朗，守谷修司，松本雅至，松永淳一郎，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP