The invention belongs to the field of semiconductor processing technology, relates to a copper etching liquid side etching is small, its formula includes: 1 15wt% 1 25wt% hydrogen peroxide, inorganic acid, organic acid 1 20wt%, 1 30wt% 0.5 2wt% salts, surfactants and the balance of deionized water; surfactant is a kind of poly two methyl siloxane, polyethylene glycol ether, polyoxyethylene polyoxypropylene ether, polyoxyethylene polyoxypropylene ether, alkyl four methyl decyne diol. The copper etching solution of the invention has the advantages of uniform etching, low side etching phenomenon, no foam formation and good stability.
【技术实现步骤摘要】
一种侧蚀小的铜蚀刻液
本专利技术涉及半导体加工
，特别涉及一种侧蚀小的铜蚀刻液。
技术介绍
蚀刻就是用化学方法按一定的深度除去不需要的金属。蚀刻技术被广泛用在装饰、电路板、精密加工和电子零件加工等领域。蚀刻开始时，金属板表面被图形所保护，其余金属面均和蚀刻液接触，此时蚀刻垂直向深度进行。当金属表面被蚀刻到一定深度后，裸露的两侧出现新的金属面，这时蚀刻液除向垂直方向还向两侧进行蚀刻。随着蚀刻深度的增加，两侧金属面的蚀刻的面积也在加大。侧蚀最后导致的结果是使凸面的图形(泛指阳图)线条或网点变细变小，凹图的线条或网点变粗变大，使图形变形或尺寸超差，严重时使产品报废。所以侧蚀是蚀刻中的大敌。目前市场上大部分金属铜蚀刻液存在侧蚀较大、形成大量泡沫或稳定性较差等问题。本专利技术就是为了提供一种新的铜蚀刻液来解决以上问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种侧蚀小的铜蚀刻液。本专利技术通过如下技术方案实现上述目的：一种侧蚀小的铜蚀刻液，其配方包括：1-15wt％过氧化氢，1-25wt％无机酸，1-20wt％有机酸，1-30wt％盐类，0.5-2wt％表面活性剂以及余量的去离子水；表面活性剂为聚二甲基硅氧烷、聚乙二醇甲醚、聚氧乙烯聚氧丙烯醚、聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚、四甲基癸炔二醇中的一种。具体的，所述无机酸为盐酸、硝酸、硫酸、磷酸、高氯酸、次氯酸、高锰酸中的一种。具体的，所述有机酸为冰醋酸、甲酸、草酸、柠檬酸、羟基乙酸、丁酸、丙二酸、戊酸、丙酸、酒石酸中的一种。具体的，所述盐类为盐酸盐、硫酸盐或乙酸盐。采用上述技术方案，本专利技术技术方案的有益效果是：本专利...
【技术保护点】
一种侧蚀小的铜蚀刻液，其特征在于配方包括：1‑15wt％过氧化氢，1‑25wt％无机酸，1‑20wt％有机酸，1‑30wt％盐类，0.5‑2wt％表面活性剂以及余量的去离子水；表面活性剂为聚二甲基硅氧烷、聚乙二醇甲醚、聚氧乙烯聚氧丙烯醚、聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚、四甲基癸炔二醇中的一种。
【技术特征摘要】
1.一种侧蚀小的铜蚀刻液，其特征在于配方包括：1-15wt％过氧化氢，1-25wt％无机酸，1-20wt％有机酸，1-30wt％盐类，0.5-2wt％表面活性剂以及余量的去离子水；表面活性剂为聚二甲基硅氧烷、聚乙二醇甲醚、聚氧乙烯聚氧丙烯醚、聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚、四甲基癸炔二醇中的一种。2.根据权利要求1所述的侧蚀小的...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜冰，顾群艳，梁豹，鲍杰，赵建龙，张兵，向文胜，朱坤，
申请(专利权)人：昆山艾森半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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