用于铜/钼膜层的金属蚀刻液及其蚀刻方法技术

本发明专利技术属于液晶面板加工技术领域，尤其公开了一种用于铜/钼膜层的金属蚀刻液，该金属蚀刻液包括有机酸、磷酸盐及过氧化氢，且金属蚀刻液的pH不超过6。在该金属蚀刻液中，每一种组分能够起到多重作用，从而相比现有技术中的其他蚀刻液，成分更为简单，使用范围较宽；同时，根据本发明专利技术的金属蚀刻液中无氟，对环境友好，不会造成玻璃等材料的基板及IGZO等特殊材料的损伤。另外，根据本发明专利技术的金属蚀刻液的均一性好，在蚀刻过程中形成的锥角等关键尺寸控制好。本发明专利技术还提供了一种基于上述金属蚀刻液在处理铜/钼膜层时的蚀刻方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于液晶面板加工
，具体来讲，涉及一种液晶面板中用于铜/钼膜层的金属蚀刻液及其蚀刻方法。
技术介绍
液晶面板的生产工艺一般包括清洗-成膜(一般为物理气相沉积/化学气相沉积)-曝光-显影-蚀刻(一般为湿法蚀刻/干法蚀刻)-剥离-检查等一系列工艺。其中湿法蚀刻的效果对于布线的精细程度以及最终液晶面板的品质有很大的影响。传统的液晶显示装置中的金属布线的材料多为铝或者铝合金，相对应的金属蚀刻液一般为无机酸的混合物。随着显示技术的发展，尤其是向着大型化及高分辨率化的发展中，传统的金属导线会随着布线的变长，电阻的增加，从而放大信号延迟等问题，造成显示效果的退化。以铜等为材料的电阻更低的金属布线应运而生，相应地，也需要新型的金属蚀刻液。传统的金属蚀刻液往往为多组分体系，以双氧水系蚀刻液为例，一般具有氧化剂/pH稳定剂/络合剂或螯合剂/表面活性剂及其他等。试剂组成种类多，成分较为复杂，相应地，原料成本更高，且配制工序更为繁琐。虽然现在也有新开发研制的适用于铜布线的金属蚀刻液，但仍旧存在成分复杂，而导致成本较高、配制繁琐的问题。
技术实现思路
为解决上述现有技术存在的问题，本专利技术提供了一种用于铜/钼膜层的金属蚀刻液及其蚀刻方法，该金属蚀刻液成分简单，简化了配制工艺，且降低了制备成本。为了达到上述专利技术目的，本专利技术采用了如下的技术方案：一种用于铜/钼膜层的金属蚀刻液，包括有机酸、磷酸盐及过氧化氢；所述金属蚀刻液的pH不超过6。进一步地，在所述金属蚀刻液中，所述有机酸的质量百分数为4％～8％，所述磷酸盐的质量百分数为10％～20％，所述过氧化氢的质量百分数为10％～15％；余量为水。进一步地，所述有机酸为不含氟的有机酸。进一步地，所述有机酸选自乙酸、乙二酸、丙二酸、柠檬酸、氨基酸中的至少一种。进一步地，所述磷酸盐包括磷酸二氢盐和磷酸氢盐中的至少一种。进一步地，所述磷酸二氢盐为磷酸二氢钠；所述磷酸氢盐为磷酸氢二钠。进一步地，所述金属蚀刻液的pH为3～5。本专利技术的另一目的还在于提供一种铜/钼膜层的蚀刻方法，包括步骤：将所述铜/钼膜层与如上任一所述的金属蚀刻液接触。进一步地，所述铜/钼膜层与所述金属蚀刻液接触的温度为30℃～35℃。本专利技术通过将有机酸、磷酸盐及过氧化氢混合即可配制得到铜/钼膜层的金属蚀刻液，在该金属蚀刻液中，每一种组分能够起到多重作用，如其中的有机酸不仅提供氢离子，也可作为铜离子的螯合剂，从而使得该金属蚀刻液的成分较为简单，使用范围较宽；同时，本专利技术的金属蚀刻液中无氟，对环境友好，不会造成玻璃等材料的基板及IGZO(铟镓锌氧化物)等特殊材料的损伤。另外，根据本专利技术的金属蚀刻液的均一性好，在蚀刻过程中形成的锥角等关键尺寸控制好。附图说明通过结合附图进行的以下描述，本专利技术的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：图1是根据本专利技术的实施例3的金属蚀刻液进行蚀刻时的铜/钼膜层截面图。具体实施方式以下，将参照附图来详细描述本专利技术的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本专利技术，并且本专利技术不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本专利技术的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本专利技术的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中，为了清楚起见，可以夸大元件的形状和尺寸，并且相同的标号将始终被用于表示相同或相似的元件。本专利技术提供了一种用于铜/钼膜层的金属蚀刻液，该金属蚀刻液包括：有机酸、磷酸盐及过氧化氢。该金属蚀刻液的pH不超过6，以防止过低的pH导致酸度过大而在使用时损伤其他膜层、而过高的pH又会导致该金属蚀刻液中的过氧化氢分解。优选地，该金属蚀刻液的pH为3～5。具体地，在该金属蚀刻液中，有机酸的质量百分数为4％～8％，磷酸盐的质量百分数为10％～20％，过氧化氢的质量百分数为10％～15％；余量为水。更为地，有机酸为不含氟的有机酸，如乙酸、乙二酸、丙二酸、柠檬酸、氨基酸等中的至少一种；磷酸盐包括磷酸二氢盐和磷酸氢盐中的至少一种，磷酸二氢盐如磷酸二氢钠，磷酸氢盐如磷酸氢二钠。本专利技术还公开了利用上述金属蚀刻液对铜/钼膜层进行蚀刻的方法，包括步骤：将铜/钼膜层与如上任一所述的金属蚀刻液接触。蚀刻优选温度为30℃～35℃；也就是说，将铜/钼膜层与金属蚀刻液在30℃～35℃下接触。以下，将参照具体的实施例对根据本专利技术的用于铜/钼膜层的金属蚀刻液进行详细的描述，为方便对各实施例进行对比，以表格的形式对比实施例1和实施例2中的金属蚀刻液的组成，如表1所示。表1根据本专利技术的实施例1-2的金属蚀刻液组成从表1中可以看出，根据本专利技术的用于铜/钼膜层的金属蚀刻液的组成简单，与简单组成相应地，其配制工艺必然更为简单、且制备成本更低。以下，将通过具体的实施例来说明根据本专利技术的用于铜/钼膜层的金属蚀刻液的蚀刻方法。实施例3本实施例提供了如上述实施例1、2所述的金属蚀刻液在处理铜/钼膜层时的蚀刻方法，即将铜/钼膜层与上述金属蚀刻液相接触。具体来讲，将具有铜/钼膜层的装置与所述金属蚀刻液接触，如可将该具有铜/钼膜层的装置浸泡至金属蚀刻液中。上述蚀刻过程优选在30℃～35℃下进行。参照图1，该装置包括基板1、以及在基板1上依次叠层设置有阻挡膜21、铜布线22、抗蚀层3，其中阻挡膜21及布线22组合即为本专利技术的实施例中所述的铜/钼膜层。值得说明的是，良好的金属蚀刻液应当使蚀刻后的布线截面形状为规定的范围内、得到蚀刻后的良好的布线截面形状；一般来说，应当满足下述两方面的要求：(1)布线22端部的蚀刻面与下层的基板1所在的平面形成的角度(锥角)α为30°～60°的正锥形；(2)从抗蚀层3端部起到与设置在布线22之下的阻挡膜21接触至基板1的端部为止的距离a(CD损失)为1.2μm以下、优选为1μm以下。基于上述对金属蚀刻液的要求，分别使用实施例1和实施例2中的两种金属蚀刻液；经过蚀刻，实施例1中的金属蚀刻液能够形成29.31°的锥角，且CD损失为959.37nm；而实施例2中的金属蚀刻液能够形成33.11°，且CD损失为900nm。由此可以看出，根据本专利技术的用于铜/钼膜层的金属蚀刻液的蚀刻效果良好，同时，该金属蚀刻液的蚀刻方法简单，易于操作。虽然已经参照特定实施例示出并描述了本专利技术，但是本领域的技术人员将理解：在不脱离由权利要求及其等同物限定的本专利技术的精神和范围的情况下，可在此进行形式和细节上的各种变化。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于铜/钼膜层的金属蚀刻液，其特征在于，包括有机酸、磷酸盐及过氧化氢；所述金属蚀刻液的pH不超过6。

【技术特征摘要】
1.一种用于铜/钼膜层的金属蚀刻液，其特征在于，包括有机酸、磷酸盐及过氧化氢；所述金属蚀刻液的pH不超过6。2.根据权利要求1所述的金属蚀刻液，其特征在于，在所述金属蚀刻液中，所述有机酸的质量百分数为4％～8％，所述磷酸盐的质量百分数为10％～20％，所述过氧化氢的质量百分数为10％～15％；余量为水。3.根据权利要求1或2所述的金属蚀刻液，其特征在于，所述有机酸为不含氟的有机酸。4.根据权利要求3所述的金属蚀刻液，其特征在于，所述有机酸选自乙酸、乙二酸、丙二酸、柠檬酸、氨基酸中的至少一种。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：武岳，雍玮娜，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44