一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆；步骤二、在表面声滤波芯片晶圆的电极区域制备第一金属层；步骤三、制备绝缘层用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层绝缘胶，将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除；步骤四、全蚀刻贴合晶圆并进行贴合取一片贴合晶圆，先将贴合晶圆全蚀刻出后续需要植球的位置，然后将贴合晶圆通过粘合胶与表面声滤波芯片晶圆贴合在一起；步骤五、植球在植球的位置进行植球；步骤六、切割切割分成单颗产品。本发明专利技术一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，它能提供一种更小面积和体积的表面声滤波器件，并且具有更低的制造成本。

【技术实现步骤摘要】


本专利技术涉及一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，属于半导体封装


技术介绍

表面声滤波设备广泛用于RF和IF应用，其中包括便携式电话机、无线电话机、以及各种无线电装置。通过使用表面声滤波，对这些电子设备进行电信号的滤波、延时等处理。因表面声滤器产品性能和设计功能需求，需要保证滤波芯片功能区域不能接触任何物质，即空腔结构设计。
现有的表面声滤波器件封装结构是将滤波芯片通过导电凸块倒装焊与陶瓷基板相连并完全嵌于基材腔体内，基板表面加金属盖保护。但是此种结构金属盖的成本较高，而且陶瓷基板与金属盖的平整度要求比较高，容易有封闭不良的情况。另外其他表面声滤波器件的制作方法是使用顶部密封或包膜工艺对模块加以密封，形成空腔结构。
现有的表面声滤波器件的封装方法，流程较长，成本较高，且结构尺寸还是比较大，在目前电子设备越做越小的潮流趋势下，需要不断减小电子装置及其中所使用的表面声滤波器件的重量和尺寸。

技术实现思路

本专利技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，它能提供一种更小面积和体积的表面声滤波器件，并且具有更低的制造成本。
本专利技术解决上述问题所采用的技术方案为：一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，所述方法包括以下工艺步骤：
步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆；
步骤二、在表面声滤波芯片晶圆的电极区域制备第一金属层；
步骤三、制备绝缘层
用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将电极区域和芯片感应区域等位置的绝缘胶去除；
步骤四、全蚀刻贴合晶圆并进行贴合
取一片贴合晶圆，先将贴合晶圆全蚀刻出后续需要植球的位置，然后将已经完成全蚀刻的贴合晶圆通过粘合胶与表面声滤波芯片晶圆贴合在一起，贴合晶圆需要植球的位置对应于表面声滤波芯片晶圆的电极金属层位置，从而在芯片感应区域上方形成空腔；
步骤五、植球
在植球的位置进行植球；
步骤六、切割
切割分成单颗产品。
一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，所述方法包括以下工艺步骤：
步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆；
步骤二、在表面声滤波芯片晶圆的电极区域制备第一金属层；
步骤三、制备绝缘层
用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除；
步骤四、半蚀刻贴合晶圆并进行贴合
取一片贴合晶圆，先将贴合晶圆半蚀刻出后续需要植球的位置，然后将已经完成半蚀刻的贴合晶圆通过粘合胶与表面声滤波芯片晶圆贴合在一起，贴合晶圆半蚀刻位置对应于表面声滤波芯片晶圆的电极金属层位置，从而在芯片感应区域上方形成空腔；
步骤五、减薄
将贴合晶圆进行研磨、减薄至贴合晶圆半蚀刻的位置，以露出植球的位置；
步骤六、植球
在植球的位置进行植球；
步骤七、切割
切割分成单颗产品。
所述绝缘层采用B-stage胶，可不需要在贴合晶圆上涂粘合胶，直接进行贴合。
所述贴合晶圆采用玻璃材料、绝缘材料。
与现有技术相比，本专利技术的优点在于：
1、与传统的工艺相比，整体生产流程是晶圆级的，能形成小尺寸的封装结构，而且工艺简单，能保证芯片感应区的空腔结构，能形成可靠性较高的蚀刻型表面声滤波芯片封装结构；
2、本专利技术的圆片级表面声滤波芯片结构可以直接使用，也可以将整个结构和其他封装结构在基板上形成二次封装，形成系统级封装。
附图说明
图1为本专利技术一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的示意图。
图2~图7为本专利技术一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法实施例一的工艺流程图。
图8~图14为本专利技术一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法实施例二的工艺流程图。
其中：
表面声滤波芯片晶圆1
电极区域1.1
感应区域1.2
第一金属层2
绝缘层3
贴合晶圆4
粘合胶5
金属球6
空腔7
开孔8。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本专利技术作进一步详细描述。
如图1所示，本实施例中的一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构，它包括表面声滤波芯片晶圆1，所述表面声滤波芯片晶圆1表面包括电极区域1.1和感应区域1.2，所述电极区域1.1表面设置有第一金属层2，所述表面声滤波芯片晶圆1除电极区域1.1和感应区域1.2外的区域设置有绝缘层3，所述第一金属层2与绝缘层3齐平，所述绝缘层3上方通过粘合胶5设置有贴合晶圆4，所述贴合晶圆4与感应区域1.2之间形成空腔7，所述贴合晶圆4在电极区域1.1位置处设置有开孔8，所述开孔8内设置有金属球6，所述金属球6与第一金属层2相接触。
实施例一：
一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，它包括以下工艺步骤：
步骤一、参见图2，取一片表面声滤波芯片晶圆；
步骤二、参见图3，在表面声滤波芯片晶圆的电极区域制备第一金属层；
表面声滤波芯片晶圆通过清洗，烘烤，溅射，涂光刻胶，光刻，显影，电镀铜层，去光刻胶，蚀刻的方法在电极区域制备第一金属层；
步骤三、制备绝缘层
参见图4，用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层一定厚度的绝缘胶，如PI（聚酰亚胺）、PA(尼龙，聚酰胺)，用光刻，显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除；
步骤四、全蚀刻贴合晶圆并进行贴合
参见图5，取一片贴合晶圆，先将贴合晶圆全蚀刻出后续需要植球的位置，然后将已经完成全蚀刻的贴合晶圆通过粘合胶与表面声滤波芯片晶圆贴合在一起，贴合晶圆需要植球的位置对应于表面声滤波芯片晶圆的电极金属层位置，从而在芯片感应区域上方形成空腔；
步骤五、植球
参见图6，在贴合晶圆蚀刻出的植球的位置进行植球；
步骤六、切割
参见图7，切割分成单颗产品。
上述步骤中，所述绝缘层可以是B-stage胶，胶体加热后熔融，可以不需要在贴合晶圆上涂粘合胶，直接进行贴合；
所述贴合晶圆采用玻璃材料或其他绝缘材料。
实施例二：
一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，它包括以下工艺步骤：
步骤一、参见图8，取一片表面声滤波芯片晶圆；
步骤二、参见图9，在表面声滤波芯片晶圆的电极区域制备第一金属层；
表面声滤波芯片晶圆通过清洗，烘烤，溅射，涂光刻胶，光刻，显影，电镀铜层，去光刻胶，蚀刻的方法在电极区域制备第一金属层；
步骤三、制备绝缘层
参见图10，用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层一定厚度的绝缘胶，如PI（聚酰亚胺）、PA(尼龙，聚酰胺)，用光刻，显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除；
步骤四、半蚀刻贴合晶圆并进行贴合
参见图11，取一片贴合晶圆，先将贴合晶圆半蚀刻出后续需要植球的位置，然后将已经完成半蚀刻的贴合晶圆通过粘合胶与表面声滤波芯片晶圆贴合在一起，贴合晶圆半蚀刻位置对应于表面声滤波芯片晶圆的电极金属层位置从而在芯片感应区域上方形成空腔；
步骤五、减薄
参见图12，将贴合晶圆进行研磨、减薄至贴合晶圆半蚀刻的位置，以露出植球的位置；
步骤六、植球
参见图13，在植球的位置进行植球；
步骤七、切割
参见图14，切割分成单颗产品。
除上述实施例外，本专利技术还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本专利技术权本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆；步骤二、在表面声滤波芯片晶圆的电极区域制备第一金属层；步骤三、制备绝缘层用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除；步骤四、全蚀刻贴合晶圆并进行贴合取一片贴合晶圆，先将贴合晶圆全蚀刻出后续需要植球的位置，然后将已经完成全蚀刻的贴合晶圆通过粘合胶与表面声滤波芯片晶圆贴合在一起，贴合晶圆需要植球的位置对应于表面声滤波芯片晶圆的电极金属层位置，从而在芯片感应区域上方形成空腔；步骤五、植球在植球的位置进行植球；步骤六、切割切割分成单颗产品。

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤：
步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆；
步骤二、在表面声滤波芯片晶圆的电极区域制备第一金属层；
步骤三、制备绝缘层
用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除；
步骤四、全蚀刻贴合晶圆并进行贴合
取一片贴合晶圆，先将贴合晶圆全蚀刻出后续需要植球的位置，然后将已经完成全蚀刻的贴合晶圆通过粘合胶与表面声滤波芯片晶圆贴合在一起，贴合晶圆需要植球的位置对应于表面声滤波芯片晶圆的电极金属层位置，从而在芯片感应区域上方形成空腔；
步骤五、植球
在植球的位置进行植球；
步骤六、切割
切割分成单颗产品。
2.一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤：
步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆；
步骤二、在表面声滤波芯片晶圆的电极区域制备第一金属层；
步...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁新夫，张江华，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32