蚀刻液、补给液以及铜布线的形成方法技术

本发明专利技术涉及蚀刻液、补给液以及铜布线的形成方法。本发明专利技术提供一种能够抑制侧向蚀刻且提高铜布线的线性、并且能够抑制未蚀刻部分的残留的蚀刻液、其补给液以及铜布线的形成方法。本发明专利技术的蚀刻液，其特征在于，是铜的蚀刻液，是含有酸、二价铜离子、唑化合物以及脂环式胺化合物的水溶液。本发明专利技术的补给液，其特征在于，是连续或反复使用上述本发明专利技术的蚀刻液时向上述蚀刻液中添加的补给液，是含有酸、唑化合物以及脂环式胺化合物的水溶液。本发明专利技术的铜布线（1）的形成方法，其特征在于，是对铜层的未被抗蚀剂（2）覆盖的部分进行蚀刻的铜布线（1）的形成方法，使用上述本发明专利技术的蚀刻液进行蚀刻。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻液、补给液以及铜布线的形成方法
本专利技术涉及一种铜的蚀刻液、其补给液以及铜布线的形成方法。
技术介绍
在印刷布线板的制造中，用光刻法形成铜布线图案时，使用氯化铁系蚀刻液、氯化铜系蚀刻液、碱性蚀刻液等作为蚀刻液。使用这些蚀刻液时，存在被称为侧向蚀刻的、在抗蚀剂下的铜由布线图案的侧面溶解的情况。即，本来期望通过由抗蚀剂覆盖而不被蚀刻除去的部分（即，铜布线部分）被蚀刻液除去，而产生宽度从该铜布线的底部到顶部逐渐变细的现象。特别是在铜布线图案微细时，必须尽可能减少这样的侧向蚀刻。为了抑制该侧向蚀刻，提出了配合有唑化合物的蚀刻液（例如参照下述专利文献1等）。根据专利文献1中记载的蚀刻液，能够对侧向蚀刻进行抑制。但是，如果以通常的方法使用这样的蚀刻液，则铜布线的侧面可能产生侧隙（がたつき）。如果铜布线的侧面产生侧隙，则铜布线的线性降低，从印刷布线板的上方对铜布线宽度进行光学检查时可能引起错误识别。为了解决上述课题，在下述日本专利文献2中，提出了配合了具有特定官能团的聚合物的蚀刻液。根据该蚀刻液，在蚀刻时，在铜布线的侧面形成致密的保护被膜，因此能够防止侧隙。现有技术文献专利文献专利文献1：日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻液，其特征在于，是铜的蚀刻液，是含有酸、二价铜离子、唑化合物以及脂环式胺化合物的水溶液。

【技术特征摘要】
2011.11.14 JP 2011-2488841.一种蚀刻液，其特征在于，是铜的蚀刻液，是含有酸、二价铜离子、唑化合物以及脂环式胺化合物的水溶液，所述脂环式胺化合物是选自吡咯烷化合物、哌啶化合物以及哌嗪化合物中的1种以上，所述酸为盐酸，且酸的浓度为7～180g/L，所述脂环式胺化合物的浓度为0.01～10g/L。2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其中，所述哌嗪化合物为下述式(I)表示的化合物，式中，R1和R2各自独立地表示氢或碳原子数1～6的烃衍生基团，其中，R1和R2中的至少一方表示碳原子数1～6的烃衍生基团。3.根据权利要求2所述的蚀刻液，其中，在上述式(I)中，R1和R2中的至少一方具有氨基。4.根据权利要求1所述的蚀刻液，其中，所述唑化合物为四唑化合物。5.根据权利要求1所述的蚀刻液，其中，所述二价铜离子的浓度为4～155g/L，所述唑化合物的浓度...

【专利技术属性】
技术研发人员：片山大辅，逢坂育代，傅江雅美，户田健次，
申请(专利权)人：MEC股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP