铜的蚀刻液和基板的制造方法技术

本发明专利技术的课题是提供在基板的制造工序中籽晶层的除去性高、同时在该籽晶层的除去过程中不易产生咬边的蚀刻液，以及使用该蚀刻液的基板制造方法。本发明专利技术提供了含有具有硝基取代基的苯并三唑化合物和有机胺化合物，还含有硫酸和过氧化氢的铜的蚀刻液，以及使用该蚀刻液制造基板的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及含有硫酸和过氧化氢的铜的蚀刻液，以及使用该蚀刻液制造基板的方法。
技术介绍
作为在印刷布线板中形成布线的方法，有半加成法。该半加成法中，在电绝缘层上形成0. 5 2 μ m左右的由无电解镀铜层构成的籽晶层，在籽晶层上通过电解镀铜形成导体，然后蚀刻除去不再需要的无电解镀铜层，从而形成布线图案。作为用于除去这种由无电解镀铜层构成的籽晶层的蚀刻液，现在已知硫酸和过氧化氢等的蚀刻液，例如，使用添加了唑类的过氧化氢-硫酸系蚀刻液等(参照专利文献1)。这种蚀刻液，通过设置电解镀铜层和无电解镀铜层的蚀刻速度之差，来选择性地蚀刻由无电解镀铜层构成的籽晶层，而不蚀刻由电解镀铜层构成的导体部分。但有时为了提高电绝缘层和上述籽晶层的粘合性而使所述电绝缘层表面粗化。在使用这种电绝缘层时，籽晶层进入到电绝缘层表面的凹部，通过锚固效果提高两层的接合性，但在要除去籽晶层时，由于籽晶层的铜进入到电绝缘层的凹部而难以将其除去。为了除去进入到该凹部的铜，需要长时间蚀刻，但有可能出现咬边的情况，即所述导体的下侧部分的籽晶层沿着水平方向被蚀刻，在咬边较严重的情况中，导体可能会剥离。或者通过长时间的蚀刻，甚至导体会被蚀刻变细。此外，近年来，在树脂等的绝缘层表面上设置了由电解铜箔(电解镀铜层)和无电解镀铜层构成的籽晶层，来代替上述近由无电解镀铜层构成的籽晶层。在这种情况中，由于电解铜箔的表面轮廓(凹凸形状)直接原样获得树脂表面的形状，所以在电绝缘层表面出现凹部时，如上所述，籽晶层的铜部分仍会残留在凹部内。此外，对于前面所述的在由电解铜箔构成的电解镀铜层的表面上进一步形成无电解镀铜层，从而形成的含有电解镀铜层和无电解镀铜层两层的籽晶层而言，为了在形成导体后除去非导体部分的籽晶层，需要蚀刻除去电解镀铜层和无电解镀铜层两者。这种情况中，如果使用对电解镀铜层和对无电解镀铜层的蚀刻速度差别较大的以往的蚀刻液，则两层的籽晶层中仅无电解镀铜层沿水平方向被较多的被蚀刻，从而在无电解镀铜层部分出现所述咬边，所以在除去籽晶层之前导体有可能剥离。专利文献1 日本特开2005-5341号公报专利文献2 日本特开2006-9122号公报专利文献3 日本特开2006-13340号公报专利文献4 日本特开2009-149971号公报
技术实现思路
本专利技术鉴于上述问题，其课题是提供籽晶层的除去性高、同时不易出现咬边的蚀刻液，以及使用该蚀刻液的基板制造方法。本专利技术的蚀刻液是一种铜的蚀刻液，含有硫酸和过氧化氢，其特征在于，还含有具有硝基取代基的苯并三唑化合物和有机胺化合物。进而本专利技术的蚀刻液优选优选含有0. 001 0. 2质量％的所述具有硝基取代基的苯并三唑化合物。此外，本专利技术的蚀刻液优选对电解镀铜层的蚀刻速度ERl与对无电解镀铜层的蚀刻速度ER2的比值ER2/ER1 = 0. 8 1. 6。进而，本专利技术的蚀刻液优选含有0. 001 1. 0质量％的所述有机胺化合物。此外，本专利技术的蚀刻液优选氯离子浓度小于2ppm。进而本专利技术的基板的制造方法，是在绝缘基材上隔着含有无电解镀铜层的籽晶层通过电解镀铜形成导体层的基板制造方法，其特征在于，在形成所述导体层之后，使用上述铜的蚀刻液对没有形成所述导体层那部分的所述籽晶层进行蚀刻。此外，上述本专利技术的蚀刻液，是蚀刻铜的液体，该“铜”不仅包括纯铜，而且还包括铜合金。本专利技术的蚀刻液，是含有硫酸和过氧化氢的蚀刻液，其中添加了具有硝基取代基的苯并三唑化合物和有机胺化合物，所以促进了垂直方向的蚀刻速度。因此，可以迅速除去露在导体外面的籽晶层，并且即使是在表面具有凹凸的基板上形成该籽晶层的情况中，也可以使基材凹部内的籽晶层的铜迅速被除去，而不残留。此外，由于使对电解镀铜层的蚀刻速度和对无电解镀铜层的蚀刻速度之差在合适的范围，所以可以抑制由于仅仅在由电解镀铜层构成的导体的下方存在的籽晶层(无电解镀铜层)被沿着水平方向蚀刻而在导体下部产生咬边的情况。进而，由于可以在短时间内除去籽晶层，所以可以防止导体整体变细。进而，在使用这种本专利技术的蚀刻液，蚀刻带有无电解镀铜层的籽晶层来制造基板的情况中，可以使电绝缘层上的籽晶层在不残留的情况下被除去，同时抑制导体咬边，以良好的成品率制造基板。具体实施例方式下面对本专利技术的一实施方式予以说明。本实施方式的蚀刻液，是含有下述成分(a) 成分(d)的液体。(a)硫酸(b)过氧化氢(c)具有硝基取代基的苯并三唑化合物(d)有机胺化合物成分(a)的硫酸和成分(b)的过氧化氢是基础成分。蚀刻液中的硫酸浓度优选为0. 5 50质量％，更优选为1 20质量％，进而优选为4 13质量％。当含有0. 5质量％以上硫酸时，可以对无电解镀铜层具有合适的蚀刻速度，当含有50质量％以下时，可以防止溶解出的铜作为硫酸铜析出。蚀刻液中的过氧化氢的浓度优选为0. 1 7质量％，更优选为0. 2 5质量％，进而优选为0. 6 2. 5质量％。当过氧化氢的浓度为0. 1质量％以上时，可以对无电解镀铜层具有合适的蚀刻速度，当过氧化氢的浓度为7质量％以下时，可以抑制反应热使蚀刻速度过度提高。通过添加所述具有硝基取代基的苯并三唑化合物，可以促进垂直方向上的铜的蚀刻速度。特别是在从上方对籽晶层面进行喷雾处理后的情况中，可以促进喷雾的喷射方向的蚀刻。作为成分(C)的具有硝基取代基的苯并三唑化合物，可以列举出例如，4-硝基苯并三唑、5-硝基苯并三唑、6-硝基-1-羟基苯并三唑等。上述成分(c)在蚀刻液中所含的浓度优选为0.001 0.2质量％，更优选为 0. 005 0. 09质量％，进而优选为0. 01 0. 06质量％。当在上述浓度范围内时，可以得到促进垂直方向上的蚀刻速度的效果。通过添加作为上述成分(d)的有机胺化合物，可以缩小电解镀铜层的蚀刻速度和无电解镀铜层的蚀刻速度之差。通常，以硫酸和过氧化氢为基础原料的蚀刻液，由于对无电解镀铜层的蚀刻速度快，所以在电解镀铜层和无电解镀铜层混合存在的情况中，无电解镀铜层优先被蚀刻。也就是说，在籽晶层含有无电解镀铜层的情况中，可以在导体不大被蚀刻的情况下除去无电解镀铜层，但同时从水平方向蚀刻从导体侧面露出的籽晶层，这成为咬边即导体下部被过度蚀刻的原因。本专利技术的蚀刻液，由于含有上述成分(d)，所以电解镀铜层的蚀刻速度和无电解镀铜层的蚀刻速度之差小，也就是说，即使电解镀铜层和无电解镀铜层均从导体侧面露出，也可以抑制由于仅对无电解镀铜层过度蚀刻而产生的咬边。作为成分(d)的有机胺化合物，可以使用由亚烷基胺、烷基胺、环烷基胺、环烯基胺与环氧乙烷和/或环氧丙烷加成而得的胺化合物等。作为优选的亚烷基胺，可以列举出亚甲基胺、亚乙基胺、亚丁基胺、亚丙基胺、亚戊基胺、亚己基胺、亚庚基胺、亚辛基胺、以及聚亚甲胺、乙二胺、三乙烯四胺、丙二胺、1，10-癸二胺、1，8_辛二胺、双(1，7_亚庚基)三胺、三丙烯四胺、四乙烯五胺、1，3_丙二胺、五乙烯六胺、双(1，3_亚丙基)三胺、2-庚基-3-(2-氨基丙基)-咪唑啉、4-甲基咪唑啉、N，N-二甲基-1，3-丙二胺、1，3-双(2-氨基乙基)咪唑啉、1-(2-氨基丙基)哌嗪、1，4-双O-氨基乙基)哌嗪和2-甲基-1-(2-氨基丁基)哌嗪等。作为特别优选的亚烷基胺，是乙二胺、亚己基胺本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种铜的蚀刻液，含有硫酸和过氧化氢，其特征在于，还含有具有硝基取代基的苯并三唑化合物和有机胺化合物。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中村真美，藤井隆之，小寺浩史，
申请(专利权)人：MEC股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP