覆膜形成用组合物、表面处理金属构件的制造方法及金属与树脂的复合体的制造方法技术

本发明专利技术的覆膜形成用组成物是pH为4至10的溶液，且含有：在一分子中具有胺基以及芳香环的芳香族化合物、具有2个以上的羧基的多元酸、以及氧化剂。作为氧化剂，可使用次氯酸、亚氯酸、氯酸、过氯酸、过硫酸、过碳酸、过氧化氢、或有机过氧化物等。芳香族化合物优选为包含含氮芳香环，进而优选为具有一级胺基或是二级胺基。覆膜形成用组成物例如可用于对金属构件的表面的覆膜的形成。

Compositions for film forming, methods for manufacturing surface-treated metal components and methods for manufacturing metal-resin Composites

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】覆膜形成用组合物、表面处理金属构件的制造方法及金属与树脂的复合体的制造方法
本专利技术涉及一种用以在金属构件的表面形成用以提高与树脂的接着性的覆膜的覆膜形成用组成物。再者，本专利技术涉及一种使用覆膜形成用组成物的表面处理金属构件的制造方法、以及金属与树脂的复合体的制造方法。
技术介绍
印刷电路板的制造步骤中，在金属层或金属电路的表面接合抗蚀剂、电镀抗蚀剂、阻焊剂、预浸体等树脂材料。印刷电路板的制造步骤以及制造后的制品中，需要金属与树脂之间的高接着性。已知为了提高金属与树脂的接着性，通过粗化剂(微蚀刻剂)在金属的表面形成细微的凹凸形状的方法、在金属的表面形成用以提高与树脂的接着性的覆膜(接着层)的方法、或在粗糙化表面形成接着层的方法等。例如，专利文献1中，揭示了通过酸性水溶液将铜合金所构成的导线架的表面粗化，提高与树脂的接着性；所述酸性水溶液包含含氮杂环化合物、硫酸、作为氧化剂的过氧化氢、预定量的氟离子以及氯离子。专利文献2中，揭示通过含有铜离子的酸性水溶液对铜电路的表面进行粗糙化处理后以含有有机酸、苯并三唑系防锈剂以及硅烷偶合剂的水溶液进行处理，可提高铜电路与环氧树脂的接着性。专利文献3以及专利文献4中，可使含有特定的硅烷化合物的溶液接触金属的表面而形成覆膜，借此提高金属与树脂的接着性。专利文献5中，可将三唑系化合物、硅烷偶合剂以及有机酸所构成的防锈剂涂布在铜箔表面，借此提高金属与树脂的接着性。[现有技术文献](专利文献)专利文献1：WO2007/093284号手册。专利文献2：日本特开2000-286546号公报。专利文献3：日本特开2015-214743号公报。专利文献4：WO2013/186941号手册。专利文献5：日本特开平7-258870号公报。
技术实现思路
[专利技术所要解决的问题]如专利文献1所记载的将金属层的表面粗化的方法，根据树脂的种类不同而可能有无法获得充分的接着性的情况。此外，为了提高与树脂的接着性需要增加蚀刻深度(例如专利文献1的实施例中蚀刻铜表面1μm以上)。因此，被应用于印刷电路板的金属配线时细线化会变得显著，而在配线的细微化(窄间距化)的对应方面有所限制。如专利文献2至5所记载的通过包含硅烷偶合剂的组成物在金属层的表面形成覆膜的方法，没有必要为了提高接着性而设置其它金属层(例如镀锡层)，可简化金属与树脂的接合步骤。但是，习知的组成物可能有对金属表面的膜附着性低，金属与树脂的接着性并不充分的情况。此外，为了充分地提高与树脂的接着性，有必要延长覆膜形成用组成物(溶液)与金属的接触时间，或是在金属的表面附着溶液的状态下将溶剂干燥而形成覆膜，覆膜形成性并不充分。鉴于上述情况下，本专利技术的目的是提供一种覆膜形成用组成物，可在金属表面在短时间内形成与树脂的接着性优异的覆膜。[解决问题的技术手段]本专利技术人研究的结果，发现含有预定的芳香族化合物、多元酸以及氧化剂的组成物对金属表面的覆膜形成性优异，可大幅地提高金属树脂间的接着性，且溶液的稳定性优异，从而完成本专利技术。本专利技术的覆膜形成用组成物是pH为4至10的溶液，且含有：在一分子中具有胺基以及芳香环的芳香族化合物、具有2个以上的羧基的多元酸、以及氧化剂。作为氧化剂，可列举：次氯酸、亚氯酸、氯酸、过氯酸、高锰酸、过硫酸、过碳酸、过氧化氢、有机过氧化物以及这些的盐等。覆膜形成用组成物中的氧化剂的含量优选为0.01重量％至0.9重量％。通过使所述覆膜形成用组成物接触金属构件的表面，而在金属构件的表面形成覆膜。形成有覆膜的表面处理金属构件，与树脂的接着性优异。作为金属构件，可列举铜或是铜合金材料。[专利技术的效果]使用本专利技术的覆膜形成用组成物而在铜或铜合金等金属构件表面形成覆膜，可借此提高金属构件与树脂的接着性。通过所述覆膜而接合金属构件与树脂，借此获得接着性优异的金属与树脂的复合体。附图说明图1是表示表面处理金属构件的一实施方式的示意性剖面图。图2是表示金属与树脂的复合体的一实施方式的示意性剖面图。具体实施方式(覆膜形成用组成物)本专利技术的覆膜形成用组成物用于对金属表面的覆膜形成。覆膜形成用组成物是pH为4至10的溶液，且包含在一分子中含有具有胺基以及芳香环的芳香族化合物、多元酸、以及氧化剂。以下对于本专利技术的覆膜形成用组成物所包含的各成分进行说明。(芳香族化合物)芳香族化合物是作为覆膜的主成分的材料，在一分子中具有胺基以及芳香环。芳香环也可仅由碳与氢所构成，也可为包含氮、氧、硫等杂原子的芳香杂环。芳香环可为单环也可为缩合多环。芳香族化合物优选为包含含氮芳香环。作为含氮芳香环，可列举：吡咯、吡唑、咪唑、三唑、四唑、恶唑、恶二唑、异恶唑、噻唑、异噻唑、呋呫、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、四嗪、五嗪、氮杂环庚烯(Azepine)、二氮杂环庚烯、三氮杂环庚烯等单环；吲哚、异吲哚、噻吩并吲哚(Thienoindole)、吲唑、嘌呤、喹啉、异喹啉、苯并三唑等缩合二环；咔唑、吖啶、β-咔啉、吖啶酮、呸啶(Perimidine)、吩嗪、菲啶(Phenanthridine)、吩噻嗪、吩恶嗪、菲咯啉等缩合三环；喹叨啉(Quindoline)、吲哚并[2,3-b]喹啉(Quinindoline)等缩合四环；或是氟丙菊酯(Acrinathrin)等缩合五环等。这些中优选为吡唑、咪唑、三唑、四唑、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、四嗪、五嗪等包含2个以上的氮原子的含氮芳香环，尤其优选为咪唑、三唑以及三嗪。胺基可为一级、二级以及三级，也可为杂环式。胺基可直接键结至芳香环，也可间接地键结。芳香族化合物也可在一分子中具有2个以上的胺基。含氮芳香环是对应杂环式的胺基与芳香环两者。因此，所述芳香环为含氮芳香环的情况下，也可不具有芳香环以外的胺基。芳香族化合物优选为具有二级胺基以及/或是一级胺基，尤其优选为具有一级胺基。由于可形成金属与树脂的接着性优异的覆膜，芳香族化合物优选为包含含氮芳香环，且具有通过亚烷基或亚烷基胺基等而间接地键结至含氮芳香环的一级胺基的化合物。芳香族化合物只要具有芳香环与胺基即可而该构造并没有特别限制，也可具有除了羟基、羧基、酰胺基、氰基、硝基、偶氮(azo)基、重氮(diazo)基、巯基、环氧基、硅烷基、硅醇基、烷氧硅烷基等胺基以外的官能基。尤其，芳香族化合物具有烷氧硅烷基或是羟基硅烷基的情况下，由于芳香族化合物具有作为硅烷偶合剂的作用，故有提高金属与树脂的接着性的倾向。上述中，芳香族化合物优选为在芳香族环外具有由一级胺基、二级胺基、烷氧硅烷基以及羟基硅烷基所构成的群所选择的1个以上的官能基。芳香族化合物优选为包含含氮芳香环，尤其优选为包含2个以上的氮原子的含氮芳香环。芳香族化合物的芳香族环不包含氮原子的情况下，优选为在芳香族环外具有烷氧硅烷基或是羟基硅烷基。若芳香族化合物的分子量大，则可能有对水或有机溶剂的溶解性降低，或是对金属表面的覆膜的密着性降低的情况。因此，芳香族化合物的分子量优选为1500以下，更优选为1200以下，又更优选为1000以下。(芳香族化合物的具体例)作为芳香族化合物的一例，可列举下述以通式(I)以及通式(II)所表示的咪唑硅烷化合物(例如日本特开2015-214743号公报)。[化学式1]通式(I)以及通式(II)中的R11至R15各自独立地为氢原子、或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种覆膜形成用组成物，用以在金属表面形成用以提高与树脂的接着性的覆膜；所述覆膜形成用组成物包含有：在一分子中具有胺基以及芳香环的芳香族化合物；具有2个以上的羧基的多元酸；以及由次氯酸、亚氯酸、氯酸、过氯酸、过硫酸、过碳酸、过氧化氢、有机过氧化物以及这些的盐所构成的一种以上的氧化剂；所述覆膜形成用组成物是pH为4至10的溶液。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01.21 JP 2017-0090331.一种覆膜形成用组成物，用以在金属表面形成用以提高与树脂的接着性的覆膜；所述覆膜形成用组成物包含有：在一分子中具有胺基以及芳香环的芳香族化合物；具有2个以上的羧基的多元酸；以及由次氯酸、亚氯酸、氯酸、过氯酸、过硫酸、过碳酸、过氧化氢、有机过氧化物以及这些的盐所构成的一种以上的氧化剂；所述覆膜形成用组成物是pH为4至10的溶液。2.如权利要求1所述的覆膜形成用组成物，其特征在于，所述芳香族化合物的芳香环为含氮芳香环。3.如权利要求1或2所述的覆膜形成用组成物，其特征在于，所述芳香族化合物具有一级胺基或是二级胺基。4.如权利要求1至3中任一项所述的覆膜形成用组成物，其特征在于，所述芳香族化合物具有硅醇基或是烷氧硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋山大作，东松逸朗，网谷康孝，上甲圭佑，里见德哉，
申请(专利权)人：MEC股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP