MEC股份有限公司专利技术

MEC股份有限公司共有43项专利

  • 本发明是一种接着组合物,其是用以在金属的表面形成与树脂的接着层的,上述树脂为硬化性树脂,上述组合物为包含在1个分子中具有2个以上氮原子的低分子有机化合物、与选自由3价的铝离子、及3价的铬离子所组成的群中的1种以上的金属离子,且pH值为1...
  • 本申请涉及蚀刻液、补给液及铜配线的形成方法。本发明是一种蚀刻液,其是铜的蚀刻液,所述蚀刻液包含:酸、氧化性金属离子、具有五元环的芳香族杂环化合物(A)、具有五~七元环的脂肪族杂环化合物(B)、及在分子内含有叔氮或季氮的阳离子性聚合物,所...
  • 本发明的微蚀刻剂为用于铜的表面粗化的铜微蚀刻剂,且为含有无机酸、铜(II)离子源、卤化物离子源及聚合物的酸性水溶液,其中,聚合物为侧链含有氨基或季铵基的重均分子量1000以上的水溶性聚合物,在将硫酸根离子源的摩尔浓度设为Cs(mol/L...
  • 本发明提供一种用于在金属表面形成与树脂的粘接性优异的覆膜的覆膜形成用组合物、及具备使用该组合物所形成的覆膜的表面处理金属构件。覆膜形成用组合物为含有含氨基的硅烷偶合剂、金属离子以及卤化物离子的溶液。金属离子优选为铜离子,溶液中的铜离子浓...
  • 本发明涉及一种微蚀刻剂,所述微蚀刻剂包含有机酸、二价铜离子以及卤化物离子的酸性水溶液。卤化物离子的摩尔浓度为0.005摩尔/L至0.1摩尔/L。通过使微蚀刻剂接触铜的表面而粗化铜表面。粗化时的深度方向的平均蚀刻量优选为0.4μm以下。本...
  • 本发明的微蚀刻剂包含无机酸、铜离子、卤化物离子以及水溶性阳离子聚合物,该水溶性阳离子聚合物在侧链上含有四级铵基,且重量平均分子量为1000以上。微蚀刻剂中的卤化物离子的摩尔浓度为铜离子的摩尔浓度的5倍至100倍。微蚀刻剂的pH优选为2以...
  • 本发明的覆膜形成用组成物是包含有:芳香族化合物,是在一分子中具有胺基以及芳香环;以及硫化合物(pKa为-1.9以下的硫的含氧酸以及其盐除外)。覆膜形成用组成物的pH优选为4至10。硫化合物优选为在溶液中经电离而作为阴离子存在,尤其优选为...
  • 本发明的覆膜形成用组成物是pH为4至10的溶液,且含有:在一分子中具有胺基以及芳香环的芳香族化合物、具有2个以上的羧基的多元酸、以及氧化剂。作为氧化剂,可使用次氯酸、亚氯酸、氯酸、过氯酸、过硫酸、过碳酸、过氧化氢、或有机过氧化物等。芳香...
  • 本发明的被膜形成用组成物为pH值为6至9的溶液,包含有:于一分子中具有胺基及芳香环的芳香族化合物、具有2个以上的羧基的多元酸以及卤化物离子。被膜形成用组成物中的多元酸的含量为芳香族化合物的含量的0.05倍至10倍,卤化物离子的浓度为5m...
  • 本发明的蚀刻液为铜的蚀刻液;并且所述蚀刻液为含有酸、氧化性金属离子、具有五元环的杂芳香族化合物(A)、以及选自由具有五元环至六元环的杂芳香族化合物(B1)及烷醇胺(B2)所组成的群组中的一种以上的化合物的水溶液;所述(A)为不具有羟烷基...
  • 铜的微蚀刻剂及电路基板的制造方法
    本发明为关于一种微蚀刻剂及电路基板的制造方法,该微蚀刻剂由铜的结晶性不同引起的粗化形状的差异小,且对于电解铜及压延铜的任一者均能够形成与树脂等的密接性优异的粗化形状,该电路基板的制造方法具有使用该微蚀刻剂对铜表面进行粗化的工序。本发明的...
  • 本发明的目的在于提供一种蚀刻液及使用该蚀刻液的蚀刻方法,所述蚀刻液可在铜的存在下选择性地蚀刻钛,而且毒性低,保存稳定性优异。本发明的蚀刻液含有选自由硫酸、盐酸及三氯乙酸所组成的群组中的至少一种酸与选自由硫酮系化合物及硫醚系化合物所组成的...
  • 蚀刻液、补给液及铜布线的形成方法
    本发明是一种铜的蚀刻液,包含酸、以及选自由脂肪族无环化合物、脂肪族杂环化合物及芳香族杂环化合物所组成的群组中的1种以上的化合物;所述脂肪族无环化合物是碳数2至10的饱和脂肪族无环化合物(A),仅具有2个以上的氮作为杂原子;所述脂肪族杂环...
  • 本发明涉及一种無電解鍍錫后且水洗前的洗净用的鍍錫被膜用洗淨液及具有使用该洗净液的洗净步骤的鍍錫層的形成方法。本发明的洗净液含有酸、错合剂、稳定剂及氯化物离子的酸性水溶液。洗净液的氯化物离子浓度为2重量%以上、锡浓度为0.5重量%以下。本...
  • 蚀刻剂及其补给液、镁构件的表面粗化方法以及镁-树脂复合体的制造方法
    本发明的蚀刻剂由水溶液所构成,所述水溶液含有硝酸以外的无机酸及有机酸所成群组所选择的1种以上的酸;以及于分子构造中含有N‑OH或N‑O
  • 蚀刻剂及补给液
    本发明的铁钢材的蚀刻剂包含二价铁离子、三价铁离子、及含有乙炔基的水溶性化合物的酸性水溶液。以蚀刻剂中二价铁离子的浓度为A重量%、三价铁离子的浓度为B重量%时,A/B的值优选为0.1至2.5。本发明的补给液连续或重复使用所述蚀刻剂时添加于...
  • 本发明提供一种可在无损铜布线的直线性的状况下抑制侧面蚀刻的蚀刻液及其补给液、以及铜布线的形成方法。本发明的蚀刻液是铜的蚀刻液,且是包含酸、氧化性金属离子及杂芳香族化合物的水溶液。所述杂芳香族化合物在分子内包含:五元芳香杂环,具有一个以上...
  • 本发明涉及可抑制铜线路图案的侧蚀的铜的蚀刻液、其补充液及线路形成方法。铜的蚀刻液包括包含铜离子、卤化物离子及非离子性界面活性剂的酸性水溶液,所述非离子性界面活性剂的浊点为15~55℃。根据本发明的线路形成方法,通过将所述蚀刻液依序接触铜...
  • 本发明公开了一种不会损及铜配线的直线性且可抑制侧边蚀刻的蚀刻液、其补给液、以及铜配线的形成方法。本发明的蚀刻液为铜的蚀刻液,所述蚀刻液为含有脂肪族杂环化合物、酸与氧化性金属离子的水溶液,所述脂肪族杂环化合物含有仅具有氮作为构成环的杂原子...
  • 印刷配线板的制造方法及表面处理装置
    本发明公开了一种在进行水平搬送时不仅能抑制因搬送损伤所造成的孔径不一更能减低激光加工能源的印刷配线板的制造方法以及使用于该印刷配5线板的制造方法的表面处理装置。本发明的印刷配线板的制造方法包含以下工序:前处理工序,对印刷配线板制造用层叠...