本发明提供用于以较高的输送可靠性一并输送多张基板的基板输送装置和基板输送方法。基板输送装置包括：基座；保持部；至少3个检测部；以及控制部。保持部以相对于基座进退自如的方式设置且能够多层地保持多张基板。检测部用于分别在不同的位置对由保持部...

本发明提供一种用于在处理容器内独立且面内均匀地对多个基板进行处理的基板处理装置。晶圆处理装置包括：处理容器，其用于气密地容纳晶圆；载置台，其设有多个，该载置台用于在处理容器内载置晶圆；处理气体供给部，其用于自载置台的上方朝向晶圆供给处理...

本发明提供一种等离子体处理装置。基板处理装置能够抑制在移动电极与筒状容器的一个端壁之间的空间里产生等离子体。基板处理装置(10)包括：用于收容晶圆(W)的筒状的腔室(11)、在该腔室(11)内沿腔室(11)的中心轴线移动自如的喷头(23...

本发明提供抑制液体的滞留的泵(100)，其包括：具有弹性的、用于流通输送对象的液体的管(102)；管用壳体(104)，覆盖管(102)的外侧，在该管用壳体与管(102)的外表面之间的内部空间(V)中保持气体；和进行向内部空间(V)供给气...

本发明的液体输送方法能够利用简单的结构实现液体的移送。本发明的液体输送方法包括：响应填充在覆盖具有弹性的管的外侧的管用壳体与管的外表面之间的内部空间中的气体的压力使液体在管内流通的步骤；取得在管内流通的液体的压力的大小作为第一值的步骤；...

本发明提供一种像素电极的图案形成方法和形成系统，在制造IPS方式、FFS方式的液晶驱动方式等的液晶显示装置时，即使使用分辨率低的现有的通常的曝光装置，也能够进一步实现像素电极的窄间距化。在玻璃基板(G)上形成像素电极的图案的方法，在玻璃...

在一实施方式中，进行以下工序：在将新的过滤器单元(3)安装到处理液供给装置之后，在使包含溶剂的处理液流动之前，利用预处理用的溶剂浸渍过滤器单元，之后排出该溶剂。过滤器单元中的过滤器部(31)的构成材料相对于该溶剂的溶解度比该结构材料相对...

本发明提供一种成膜方法和成膜装置。在用于向基板供给处理气体并获得薄膜的成膜装置中，包括：旋转台，其配置在真空容器内，用于在设于其一面侧的载置区域载置基板并使该基板公转；旋转机构，其以所述基板自转的方式使所述载置区域旋转；处理气体供给机构...

本发明提供一种基板处理装置。本发明要解决的问题在于进一步抑制微粒附着于基板。实施方式的基板处理装置包括输入输出室、输送室和交接室。输入输出室用于从承载件输入基板或者将基板输出至承载件。输送室形成有用于向基板处理室输送基板的输送路径，该基...

本发明提供一种提高来自液处理部的排气的气液分离性的基板液处理装置。本发明的基板液处理装置包括液处理部、第1排气管、以及第2排气管。液处理部用于使用处理液来对基板进行处理。第1排气管的至少一部分配置于比液处理部靠上方的位置。第2排气管的一...

描述的实施方案涉及用于减小光刻变形的方法和设备。可以将半导体衬底的背面纹理化。接着可以对具有经纹理化的背面的半导体衬底进行光刻工艺。为了改善变形均匀性，并且可能地，提高套刻性能，可以将接触卡盘销的半导体衬底的背面表面纹理化，以产生由于在...

本发明提供成膜装置及喷头。成膜装置包括：载置台，其用于载置基板，并以轴线(X)为中心进行旋转；单元(U)，其以下表面与载置台相对的方式设置在第1区域内，且在该单元(U)的内部具有第1缓冲空间及第2缓冲空间；以及流量控制器，其用于独立控制...

本发明涉及处理具有掩模的被处理体的方法。[课题]为了调节掩模的开口宽度，不使用专用的成膜装置而在低温下形成氧化硅膜。[解决手段]一个实施方式的方法中重复进行下述排序以形成氧化硅膜，所述排序包括如下工序：(a)第一工序：在容纳有被处理体的...

[课题]提供能够防止性能降低的电子设备及其制造方法和其制造装置。[解决手段]薄膜晶体管(21)具备：由IGZO膜构成的沟道(14)、与该沟道(14)邻接的蚀刻停止膜(22)、夹持该蚀刻停止膜(22)且与沟道(14)相对的钝化膜(23)，...

本文中的技术包括用于聚合碳氟化合物等离子体中的介电质的可控的横向蚀刻的方法。方法可以包括使用作为硅蚀刻处理的一部分的掩模裁剪步骤的介电叠加蚀刻。对于介电掩模裁剪使用碳氟化合物提供数个优点，例如施加直接以及向工艺流程提供额外的灵活性。由此...

本发明提供一种处理被处理体的方法，其能够提高多重图案形成法中掩模尺寸的控制性。在一实施方式的方法中，执行在第一掩模和防反射膜上形成氧化硅膜的步骤。在该步骤中，交替地生成包含卤化硅气体的第一气体的等离子体和包含氧气的第二气体的等离子体。接...

在具有多个检查装置的检查系统中，能够不降低生产能力，而有效地防止半导体晶片在输送中途结露或结冰。在从t1至t4为止的第一步骤至第三步骤中，从气体导入装置(45)向罩(35)内以大流量导入干燥气体。另一方面，在从t4至t5为止的待机、移动...

本发明提供能够更可靠地检测热处理状态的异常的基板热处理装置、基板热处理方法以及热处理状态检测装置。热处理单元(U2)包括：热板(20)，其用于载置晶圆(W)；加热器(21)，其用于对载置部上的晶圆(W)进行加热；多个温度传感器(40)，...

提供对被处理体的被蚀刻层进行蚀刻的方法。该方法包括如下工序：在设置于被蚀刻层上的中间层上形成包含第1聚合物和第2聚合物的能够自组装的嵌段共聚物层的工序(a)；以由嵌段共聚物层形成包含第1聚合物的第1区域和包含第2聚合物的第2区域的方式对...

本发明提供一种能够容易更换探头的探针装置。探针装置(10)包括：主体(12)；配置在该主体(12)的内部的载置晶片(W)的载置台(11)；配置在主体(12)的内部且与载置台(11)相对的探针卡(16)；和配置在主体(12)的内部且能够向...