【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种等离子体处理装置，用于处理基板，上述等离子体处理装置包括：筒状腔室，其被配置为收容基板；移动电极，其用作上部电极的喷头，并且被配置为在上述筒状腔室内沿着上述筒状腔室的中心轴线能够移动，其中上述移动电极与上述筒状腔室的侧壁处于不接触状态；对置电极，其被配置为在上述筒状腔室内与上述移动电极相对；挠性阻挡层，其被配置为使上述移动电极连接至上述筒状腔室的一侧的顶壁；以及分流构件，其由导电性材料构成，并且被配置为随着上述移动电极的移动而变形，并且被安装成使上述移动电极直接接触上述筒状腔室的侧壁或一侧的顶壁，以消除上述移动电极与上述筒状腔室的侧壁或顶壁之间的电位差，其中，向上述上部电极施加高频电力，并且向位于上述移动电极和上述对置电极之间的处理空间导入处理气体，以及上述分流构件配置在具有预定直径且与上述挠性阻挡层同心的圆的圆周上，使得包括上述挠性阻挡层的上述移动电极整体的共振频率的值被控制成在上述移动电极的可工作范围内与用于生成等离子体的施加电力的频率不相重叠。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吉村章弘，佐藤彻治，堀口将人，和田畅弘，小林真，辻本宏，田村纯，直井护，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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