本发明提供一种对多个基板实施处理的基板处理系统，其包括：收纳多个基板并对其实施规定的处理的圆环状的处理腔室；载置用于收纳多个基板的盒的盒载置部；和在该处理腔室与该盒载置部之间搬送基板的基板搬送机构，在该处理腔室内，俯视时同心圆状地配置有...

本发明提供了一种使用收缩和生长来减小极紫外敏感度的方法。该方法用于对基板进行图案化，该方法包括：在基板上形成辐射敏感材料的层；使用光刻工艺在辐射敏感材料的层中制备图案，该图案的特征在于临界尺寸(CD)和粗糙度；在制备图案之后，执行CD收...

本发明提供一种加热器供电机构，其用多个加热器将载置基板的载置台分区化，并且能够在每个分区进行温度控制，该加热器供电机构包括：多组加热器用端子，将一组加热器用端子作为一区段，以区段单位与上述多个加热器的任一者连接；加热器配线；和配线结构，...

本发明提供一种能够以高亮度显示图像的液晶显示装置的制造方法。该液晶显示装置(10)具有：覆盖薄膜晶体管(15)的漏极电极(19)的有机绝缘膜(22)；在该有机绝缘膜(22)上形成的公共电极(23)；以覆盖该公共电极(23)的方式在有机绝...

本发明公开的技术提供一种如下的旋转涂布设备和旋转涂布方法：其抑制湍流流动导致的风痕和其他缺陷的形成，从而允许较高的旋转速度和减少的干燥时间，同时保持膜均匀性。本发明公开的技术包括定位在或悬吊在晶片或其他衬底的表面的上方的流体流动构件，如...

一技术方案的等离子体处理方法包括如下工序：准备等离子体处理装置的工序，该等离子体处理装置具有腔室、下部电极、上部电极、将所述下部电极的周缘包围起来的聚焦环、以及配置于所述上部电极的上部且比所述下部电极的周缘靠外侧的位置的环状线圈；将基板...

本发明的课题是能够有效地抑制所谓的倾斜现象，实现生产效率的提高和生产成本的降低。解决手段为，在该电容耦合型等离子体蚀刻装置中，在上部电极(26)的上部配置有电磁铁(32)。电磁铁(32)具有磁芯部件(34)和线圈(36、38、40、42...

本发明提供一种处理被处理体的方法，该方法包括：第一步骤，向收纳有被处理体的处理容器内供给包含含硅气体的第一气体；在执行第一步骤之后，在处理容器内生成稀有气体的等离子体的第二步骤；在执行第二步骤之后，在处理容器内生成含有氧气的第二气体的等...

本发明提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置(10)具备载置台(14)和天线(22a)。载置台14设于处理容器内，用于载置基板(W)。天线(22a)以与载置台(14)相对的方式设于载置台(14)的上方，天线(22a)具有顶板(40)...

本发明提供一种蚀刻有机膜的方法，在有机膜的等离子体蚀刻中改善硬质掩模的形状。在一个实施方式的方法中，在收容有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内生成包含氢气和氮气的处理气体的等离子体。通过处理气体的等离子体的生成，从硬质掩模露出的上述...

本发明提供一种对具有多孔质膜和掩模的被处理物进行处理的方法。一个实施方式的方法包括：向收纳有具有多孔质膜的被处理物的等离子体处理装置的处理容器内供给第一气体的工序；和为了去除掩模，在处理容器内生成第二气体的等离子体的工序。第一气体由在处...

[课题]提供一种蚀刻处理方法，目的在于缩短对不同种类的蚀刻对象膜进行蚀刻时的加工时间、提高生产率。[解决手段]通过等离子体生成用的高频电力，由含氢气体和含氟气体生成等离子体；在‑30℃以下的极低温环境中，利用生成的等离子体对氧化硅膜和氮...

本发明提供一种多孔质膜的蚀刻方法。一个实施方式的方法包括：向收纳有具有多孔质膜的被处理物的等离子体处理装置的处理容器内供给第一气体的工序；和在处理容器内生成多孔质膜的蚀刻用的第二气体的等离子体的工序。第一气体由在处理容器内在其上载置有被...

本发明提供一种基板处理系统，其能够在系统内部将多个仿真基板在时间上并行地模拟搬送，并且也能够进行不向处理室内搬送仿真基板的模拟搬送。条件表(122)作为维护宏设定部发挥作用，其从保存于存储装置(105)的各种维护宏(135)选定要执行的...

本发明提供一种基板处理系统。该基板处理系统在对正面朝上的基板和背面朝上的基板这两者进行处理的情况下，能够抑制基板的正面和背面的状态管理的复杂化。实施方式所涉及的基板处理系统具备第一处理块、第二处理块以及翻转机构。第一处理块包括：第一处理...

本发明提供一种蚀刻方法，其是对第1区域及第2区域同时进行蚀刻的方法，第1区域具有通过交替层叠氧化硅膜及氮化硅膜而构成的多层膜，第2区域包括膜厚比第1区域的氧化硅膜的膜厚厚的氧化硅膜。在一实施方式的方法中，在等离子体处理装置的处理容器内生...

本发明提供一种基板液体处理装置和基板液体处理方法。该基板液体处理装置具有：液体处理部，其利用被稀释液稀释后的处理液对基板进行处理；处理液供给部，其供给所述处理液；稀释液供给部，其供给用于稀释所述处理液的稀释液；浓度测量部，其测量被所述稀...

本发明提供一种光增感化学放大型抗蚀剂材料及使用了该光增感化学放大型抗蚀剂材料的图案形成方法、半导体器件、光刻用掩模、以及纳米压印用模板。本发明的光增感化学放大型抗蚀剂材料用于二段曝光光刻工艺，且包含：(1)能够显影的基础成分；及(2)通...

本发明提供一种处理液供给方法，可读取的计算机存储介质和处理液供给装置，其通过从过滤器除去微小气泡，抑制过滤器的性能下降。该处理液供给方法向晶片上供给作为处理液的稀释剂，其包括：利用脱气机构对稀释剂进行脱气处理而生成脱气稀释剂的脱气处理液...

本发明涉及钨膜的成膜方法。[课题]即使进行器件的微细化、复杂化，通过使用氯化钨气体作为原料气体的ALD法，也能够以良好的嵌入性形成具有良好的密合性的钨膜。[解决手段]具备如下工序：主钨膜成膜工序：以间隔腔室内的吹扫的方式依次向腔室内供给...