本公开内容涉及用于控制靠近被加工基底的边缘或边界的等离子体密度的等离子体加工系统。该等离子体加工系统可以包括能够接纳并处理基底的等离子体室，所述处理室利用等离子体对基底进行蚀刻、对基底进行掺杂或者在基底上沉积膜。本公开内容涉及可以包括可...

公开了一种流体分配装置。系统包括直列式或直线形囊状部装置，该囊状部装置构造成扩张以收集一定量的流体并且收缩以有助于流体输送及分配。在分配关闭期间，在过程流体被推动通过精细过滤器(微过滤器)之后，过程流体可以收集在该囊状部中。给定的过滤速...

本公开涉及一种等离子体处理系统，该等离子体处理系统能够利用单个功率源组件来使用同一物理硬件生成感应耦合等离子体(ICP)和表面波等离子体。功率源组件可以包括天线板，天线板可以包括对于射频(RF)功率源被用作ICP线圈而对于微波源被用作槽...

本公开内容涉及一种用于利用分子自组装(MSA)化学品旋涂基底以在基底上形成光致抗蚀剂膜和/或低介电常数(低k)膜的处理系统。旋涂处理系统可以包括能够将MSA化学品接收和旋涂在基底上的旋涂室，以及以在旋涂工艺之后对基底进行热处理的退火室。...

本发明涉及蚀刻方法和蚀刻装置。[课题]提供如下技术：使用对钴膜进行氧化的氧化气体和包含β‑二酮的蚀刻气体对被处理体表面的钴膜进行蚀刻时，防止在被处理体形成碳膜。[解决手段]将被处理体加热至250℃以下的温度同时以氧化气体的流量相对于蚀刻...

提供一种基板处理装置和基板处理方法，在使用多个处理部对多个被处理基板分别进行处理时，能够共用排气机构并且实施不同的气体条件的基板处理。该基板处理装置具备对多个被处理基板(Wa、Wb)实施基板处理的多个处理部(11a、11b)、从多个处理...

一种等离子体处理装置，其具有等离子体产生用天线，该等离子体产生用天线包括向处理容器内供给第1气体和第2气体的喷淋板，利用由于微波的供给而形成于该喷淋板表面的表面波形成等离子体而对基板进行处理，其中，具有从喷淋板的下端面向下方突出的导电体...

本发明提供一种能够使液处理后的基板良好地干燥的基板液处理装置和基板液处理方法。在本发明中，使用基板液处理装置(1)自干燥液供给部(23)向基板(3)供给挥发性较高的干燥液，该挥发性较高的干燥液的一部分含有硅系有机化合物，该基板液处理装置...

本发明提供一种包括具有等离子体耐性且轻量的金属窗的等离子体处理装置。对处理空间(100)内的被处理基板(G)进行等离子体处理的等离子体处理装置(1)包括在接地的金属制的处理容器(10)、(11)内载置有被处理基板(G)的载置台，将多个导...

本发明提供基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置具有：承载区，其包含左右分开地设置的第1承载件载置部及第2承载件载置部；处理区，其具有将多个层部分上下配置而成的层构造，并且各层部分具有用于输送基板的基板输送机构和用于处理基板的处理组件...

本发明提供不使用调整夹具就能够进行搬送位置调整的基板搬送装置的位置调整方法。本发明提供基板搬送装置的位置调整方法，其包括：第一检测步骤，利用搬送基板的基板搬送部保持基板，检测基板的位置；将由基板搬送部保持的基板向保持并旋转基板的基板旋转...

本发明提供一种对等离子体腐蚀的耐久性良好的喷淋头。等离子体处理装置(11)中设置的喷淋头(22)包括：基材(60)，其包括用于对腔室(20)内排出处理气体的气体排出孔(40)、以及形成于气体排出孔(40)的气体排出口一侧的凹部；和由陶瓷...

本发明涉及一种基板输送方法和基板处理装置。提供一种能够提高基板输送的生产率并且能够抑制基板进一步发生偏移的基板输送方法。通过使晶圆的边缘经过被配置在用于向基板处理室输送晶圆的输送路径中的右侧传感器和左侧传感器的上方来在第一晶圆坐标系中获...

本发明提供一种温度测量方法和热处理装置。温度测量方法是利用放射温度测量部来测量半导体制造装置中的处理容器内的温度的温度测量方法，其中，该放射温度测量部检测从对象物放射的红外线来测量温度，在该温度测量方法中，利用所述放射温度测量部来检测从...

本发明提供一种等离子体处理装置，在对载置台施加高功率的高频电力的情况下，有效地防止等离子体侵入排气部和挡板上方放电变得不稳定。该等离子体处理装置对于在处理室(4)内载置于载置台(23)的载置面上的基板(G)，在对载置台(23)施加高频偏...

本发明提供一种能够使功能液滴排出头与工件上的围堤部高精度地对位的液滴排出装置。该液滴排出装置(1)包括液滴排出头(34)、工件载置台(20)和第1拍摄装置(41)，工件(W)沿主扫描方向(X轴方向)移动了规定的距离时基于由第1拍摄装置(...

本发明提供一种热处理装置和温度控制方法。热处理装置将基板载置于设置在处理容器内的旋转台的表面，一边使旋转台旋转一边利用加热单元加热基板来进行规定的成膜处理，该热处理装置具备：接触型的第一温度测量单元，其对所述加热单元的温度进行测量；非接...

本发明提供一种含硅膜的成膜方法和成膜装置。在该含硅膜的成膜方法中，向形成于基板的表面的凹坑填充含硅膜，该含硅膜的成膜方法包含第1成膜循环，所述第1成膜循环包括：第1硅吸附工序，在该第1硅吸附工序中，向所述基板供给含硅气体，使所述含硅气体...

本发明提供一种温度控制方法。该温度控制方法用于抑制半导体晶圆间的温度偏差，包括供给工序、测量工序、计算工序以及控制工序。在供给工序中，在向加热载置台的加热器的电力供给停止的状态下或者向加热器供给的电力被固定的状态下，向温度与载置台的温度...

本发明的课题在于提高工艺的生产量。一个实施例中的气体供给系统具有构成气体供给系统的多个构成部件和用于配置多个构成部件的基座(212)。在多个构成部件中，一部分构成部件配置于基座(212)的一个面(212a)，另一部分构成部件配置于作为基...