本发明的目的在于使聚焦环的吸附特性稳定化。本发明提供一种聚焦环，其在处理容器内配置于载置基板的下部电极的周缘部、与该下部电极的部件接触，上述聚焦环的接触面由含硅材料、氧化铝(Al2O3)和石英中的任一者形成，上述聚焦环的接触面和上述下部...

提供一种测量处理装置及方法、基板处理系统、测量用工具。能够不导致系统的大型化地在短时间内确认基板的膜去除的状态和包围构件的保持状态。利用设置于包围构件(302)的上方的第一摄像机～第三摄像机(601～603)来拍摄被去除了周缘部的处理膜...

本发明提供一种抑制被供给到基板上之后的处理液附着于干燥后的基板而防止污损基板的基板处理系统。基板处理系统用于处理基板，其包括：保持板，其以绕铅垂轴线旋转自如的方式设置；基板保持构件，其设于保持板，用于保持基板；旋转驱动部，其用于使由基板...

本发明提供能够抑制微粒下落到输送中的基板上的闸阀和使用这样的闸阀的基板处理装置。闸阀(70a)是用于对处理室(30a)的输入输出口进行开闭的构件，该闸阀具有：壁部(71b)，在该壁部上形成有与输入输出口(61a)相连通的开口部(71a)...

本发明提供一种基本处理装置和基板处理方法。课题在于提高基板处理装置的生产率。在本发明中，在基于收容于承载件(C)的基板(晶圆W)的收容状态利用第一基板输送部(29)和第二基板输送部(30)来与所述承载件(C)之间输送所述基板(晶圆W)的...

本发明提供能够在短时间内正确定位升降销的高度位置的基板处理装置。从控制部(50)的驱动控制部(51)向升降销装置的驱动部发出电动机的驱动指令。接受该驱动指令，电动机以与指令脉冲对应的旋转速度和转矩旋转驱动，使升降销上升驱动。抵接检测部(...

本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及基板处理装置的维护方法。在对晶圆进行加热处理时分解由于晶圆的处理而产生的升华物，从而抑制升华物附着于排气路径的情况。另外，在利用来自光源部的光对晶圆W进行加热等处理时将附着到透光窗的升华物去除...

本发明提供一种能够与处理所需的喷出形态相应地不产生喷出不良地喷出处理流体的基板处理装置。实施方式的基板处理装置具有喷嘴和配管。喷嘴朝向基板喷出处理流体。配管向喷嘴供给处理流体。另外，配管具有从内侧依次呈第1层、第2层以及第3层的3层构造...

本发明提供一种磁化处理装置和磁化处理方法。本实施方式的磁化处理装置具有：载置台，其用于对收纳有多个基板的收纳容器进行载置；磁化处理室，其能够收容所述收纳容器，用于对所述收纳容器内的所述多个基板施加磁场；输送机构，其能够从所述载置台向所述...

基板处理装置包括：一边保持基板(3)一边使基板(3)旋转的基板旋转部(11)、向基板供给处理液的处理液供给部(13)以及向基板供给与从处理液供给部供给来的处理液置换的置换液的置换液供给部(14)。在置换液供给部(14)向基板供给置换液时...

一实施方式的等离子体处理装置具备处理容器、载置台、多个加热器及供电装置。载置台设置于处理容器内。多个加热器设置于载置台内。供电装置对多个加热器供给电力。供电装置具备多个变压器及多个零交控制型的固态继电器(SSR)。多个变压器构成为使来自...

一种用于将液体分配至基片上的设备可以包括：贮存器，所述贮存器用于储存待分配的液体；过滤器，所述过滤器包括入口和出口，过滤器的入口经由第一阀与贮存器流体连通；定量泵，所述定量泵包括入口、第一出口、以及第二出口，定量泵的入口与贮存器流体连通...

方案ID管理服务器(20)具备部分ID保持部(202)、方案ID保持部(203)、部分ID发送部(205)、重复判定部(206)、使用可否通知部(207)。部分ID发送部(205)在从终端装置接收到部分ID请求的情况下，从部分ID保持部...

本发明提供一种成膜装置，将基板载置于设于处理容器内的旋转台的上表面，一边使旋转台旋转一边利用加热部件加热基板，并进行预定的成膜处理，其中，该成膜装置包括：接触型的第1温度测定部件，其用于测定所述加热部件的温度；非接触型的第2温度测定部件...

本文公开了用于加工纳米结构的方法和系统。特别地，本文公开了用于在半导体制造期间加工纳米结构的方法，包括干燥纵横比高的纳米结构。还公开了用于实施本文公开的方法的系统。

本发明提供一种载置台及等离子体处理装置。本发明的一实施方式的载置台具备支承部件及基座。支承部件具有：载置区域，具有加热器；及外周区域，围绕载置区域。基座具有：第1区域，在其上支承载置区域；及第2区域，围绕第1区域。第2区域中设有贯穿孔。...

本发明提供基板液处理装置和基板液处理方法。基板中心部不会暴露在周围气氛中，自一喷嘴喷出的处理液不会阻挡自另一喷嘴喷出而在基板表面上朝向基板周缘部流去的处理液的流动或者不会将该处理液的流动朝向基板中心部挤回。基板液处理方法包括以下：工序a...

在一个实施方式的等离子体处理装置中，在载置台与处理容器之间设置有挡板构造。挡板构造具有第一构件和第二构件。第一构件具有在载置台与处理容器之间延伸的第一圆筒部，在铅垂方向上长的多个贯通孔以沿周向排列的方式形成于该第一圆筒部。第二构件具有第...

保护腔室的内部的构件免受等离子体的影响，防止变质以及消耗。等离子体处理方法包括成膜工序、等离子体处理工序、以及去除工序。在成膜工序中，利用含氧气体的流量与含硅气体的流量之比是0.2～1.4的含氧气体以及含硅气体这两者的等离子体在腔室的内...

本发明提供立式热处理装置和立式热处理装置的运转方法，在将呈搁板状保持有多个基板的保持件输入到反应容器内并向反应容器内供给处理气体而进行成膜处理时，能够提高基板间的膜厚的均匀性。该立式热处理装置构成为包括：气体供给部，其用于向反应容器内供...