载置台及等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种载置台及等离子体处理装置。本发明专利技术的一实施方式的载置台具备支承部件及基座。支承部件具有：载置区域，具有加热器；及外周区域，围绕载置区域。基座具有：第1区域，在其上支承载置区域；及第2区域，围绕第1区域。第2区域中设有贯穿孔。电连接于加热器的配线穿过第2区域的贯穿孔。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施方式涉及载置台及等离子体处理装置。
技术介绍
在半导体器件之类的电子器件的制造中，使用有一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置通过激发处理气体而生成等离子体，并通过该等离子体而处理被处理体。等离子体处理装置具备用于将被处理体载置在其上的载置台。载置台具有静电卡盘及基座。静电卡盘具有电介质制的主体部、埋设于该主体部内的卡盘用电极、及加热器。主体部具有在其上载置被处理体的载置区域。加热器控制被处理体的温度。因此，加热器设置于载置区域内。并且，静电卡盘使电连接于加热器的接点部从载置区域的下表面露出。该静电卡盘设置于基座上。在基座内，形成有温度调整用介质进行循环的流路。并且，在基座形成有通往接点部的贯穿孔，且在该贯穿孔内穿过有连接至接点区域的配线。该配线连接于加热器电源。以往技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-175573号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术课题然而，对等离子体处理装置要求被处理体的处理面内均匀性。为了提高该面内均匀性，需要减少被处理体的面内的温度偏差。用于解决技术课题的手段在本专利技术的一方式中，提供一种用于将被处理体载置在其上的载置台。该载置台具备支承部件、基座及多个配线。支承部件为用于支承被处理体的部件，且包含主体部、一个以上的加热器、一个以上的第1配线层、一个以上的第2配线层及多个接点部。主体部为陶瓷制，且具有将被处理体载置在其上的载置区域、及围绕该载置区域的外周区域。一个以上的加热器设置于主体部内。一个以上的第1配线层在主体部内延伸，且分别电连接于一个以上的加热器的供电侧。一个以上的第2配线层在主体部内延伸，且电连接于一个以上的加热器的基准电位侧。多个接点部在外周区域从主体部露出，且分别电连接于一个以上的第1配线层及一个以上的第2配线层。基座具有将载置区域支承在其上的第1区域、及将外周区域支承在其上的第2区域。在第2区域设有分别通往多个接点部的多个第1贯穿孔。多个配线穿过多个第1贯穿孔而分别接合于多个接点部。在此，形成在基座的贯穿孔可使支承部件产生温度奇异点。然而，在上述一方式所涉及的载置台中，通往多个接点部的多个第1贯穿孔并非设置于在其上支承载置区域的第1区域，而设置于围绕第1区域的第2区域。因此，可抑制在支承部件的载置区域中的温度奇异点的产生。其结果，在具有该载置台的等离子体处理中，可使在被处理体的面内的温度偏差减少。在本专利技术的一方式中，一个以上的加热器可以是多个加热器，且一个以上的第1配线层也可以是分别连接于多个加热器的供电侧的多个第1配线层。在载置台中，随着加热器的个数的增加，第1贯穿孔的个数变多。根据本方式，由于第1贯穿孔设置于第2区域，因此即使随着加热器的个数的增加而第1贯穿孔的个数增加，也可抑制支承部件的载置区域中的温度奇异点的产生。在本专利技术的一方式中，一个以上的第2配线层中至少一个也可以连接于所述多个加热器中两个以上的加热器的基准电位侧。在该方式中，连接于两个以上的加热器的基准电位侧的配线层已通用化。因此，可减少基准电位用接点部的个数、基准电位用配线的数量、及用于使基准电位用配线穿过的贯穿孔的数量。在本专利技术的一方式中，在基座中也可以形成有供给有制冷剂的制冷剂流路。在本专利技术的一方式中，支承部件在主体部内还具有静电吸附用电极、电连接于该静电吸附用电极的第3配线层、及电连接于第3配线层的其它接点部，其它接点部也可以在外周区域从主体部露出，在第2区域也可以设有通往所述其它接点部的第2贯穿孔，且载置台也可以还具备穿过第2贯穿孔而接合于其它接点部的其它配线。在该方式中，支承部件作为静电卡盘而发挥作用。并且，由于第2贯穿孔设置于第2区域，因此可抑制载置区域中的温度奇异点的产生。在本专利技术的一方式中，基座也可以具有导电性主部与绝缘部。在该方式中，主部提供所述第1区域及所述第2区域。绝缘部以能够装卸的方式安装于主部，并提供多个第1贯穿孔。多个配线各自包含具有一端及另一端的可挠性的引线、连结于引线的一端并连结于多个接点部中对应的接点部的第1端子、及连结于引线的另一端的第2端子，在划分第1端子及引线所穿过的第1贯穿孔的绝缘部的内面与第1端子及引线之间存在空间。根据该方式，即使基座产生热膨胀，因该热膨胀而导致的应力也可通过引线而被松弛。因此，提高第1端子与接点部的连结的可靠性。在本专利技术的一方式中，基座可还具备导电性主部、第1绝缘部、及第2绝缘部。在该方式中，主部提供所述第1区域及所述第2区域。第1绝缘部以能够装卸的方式安装于主部，并提供多个第1贯穿孔。第2绝缘部以能够装卸的方式安装于主部，并提供第2贯穿孔。第1绝缘部及第2绝缘部也可以是被一体化的绝缘部件。多个配线各自包含具有一端及另一端的可挠性的第1引线、连结于第1引线的一端且连结于多个接点部中对应的接点部的第1端子、及连结于第1引线的另一端的第2端子，并且划分第1端子及第1引线所穿过的第1贯穿孔的第1绝缘部的内面与第1端子及该第1引线之间存在空间。其它配线包含具有一端及另一端的可挠性的第2引线、连结于第2引线的一端且连结于其它接点部的第3端子、及连结于第2引线的另一端的第4端子，并且划分第2贯穿孔的第2绝缘部的内面与第3端子及第2引线之间存在空间。根据该方式，即使基座产生热膨胀，因该热膨胀而导致的应力也通过第1引线及第2引线而被松弛。因此，提高第1端子与接点部的连结的可靠性、及第3端子与其它接点部的连结的可靠性。在本专利技术的一方式中，载置台也可以还具备存在于第3端子与第2绝缘部之间的筒状的绝缘部。根据该方式，可在第3端子的周围取得更高的绝缘强度。在本专利技术的另一方式中，提供等离子体处理装置。该等离子体处理装置具备处理容器及上述一方式或各种方式中任一载置台。载置台设置于处理容器内。根据该等离子体处理装置，可抑制被处理体的面内的温度偏差。专利技术效果如上所述，提供可减少被处理体的面内的温度偏差的载置台及等离子体处理装置。附图说明图1为概略地表示一实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。图2为表示一实施方式所涉及的载置台的俯视图。图3为表示一实施方式所涉及的载置台的基座的俯视图。图4为沿着图2的IV-IV线而取的剖视图。图5为放大表示一实施方式所涉及的支承部件的一部分的剖视图。图6为沿着图2的VI-VI线而取的剖视图。具体实施方式以下，参考附图对各种实施方式进行详细说明。另外，在各附图中对于相同或相应的部分标注相同的符号。图1为概略地表示一实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。图1中概略地示出了一实施方式所涉及的等离子体处理装置的纵剖面中的结构。图1中所示的等离子体处理装置10为电容耦合型平行板等离子体蚀刻装置。该等离子体处理装置10具备大致圆筒状的处理容器12。处理容器12例如由铝构成，且在其表面进行了阳极氧化处理。处理容器12内设有载置台16。载置台16包含支承部件18及基座20。基座20具有大致圆盘形状，且在其主部由例如铝之类的导电性金属构成。该基座20构成下部电极。基座20由支承部14支承。支承部14为从处理容器12的底部延伸的圆筒状部件。在基座20中通过匹配器MU1电连接有第1高频电源HFS。第1高频电源HFS为产生等离子体生成用高频电力的电源，且产生27～100MHz的频率的电力，在一例中产生40MHz的高频电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种载置台，具备：支承部件；基座；及多个配线，所述支承部件用于支承被处理体，且包含：陶瓷制的主体部，具有用于载置所述被处理体的载置区域、及围绕该载置区域的外周区域；一个以上的加热器，设置于所述主体部内；一个以上的第1配线层，在所述主体部内延伸，且分别电连接于所述一个以上的加热器的供电侧；一个以上的第2配线层，在所述主体部内延伸，且电连接于所述一个以上的加热器的基准电位侧；及多个接点部，在所述外周区域从所述主体部露出，且分别电连接于所述一个以上的第1配线层及所述一个以上的第2配线层，所述基座支承所述支承部件，且具有将所述载置区域支承在其上的第1区域、及将所述外周区域支承在其上的第2区域，并且在该第2区域设有分别通往所述多个接点部的多个第1贯穿孔，所述多个配线穿过所述多个第1贯穿孔而分别接合于所述多个接点部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.06.12 JP 2014-1214541.一种载置台，具备：支承部件；基座；及多个配线，所述支承部件用于支承被处理体，且包含：陶瓷制的主体部，具有用于载置所述被处理体的载置区域、及围绕该载置区域的外周区域；一个以上的加热器，设置于所述主体部内；一个以上的第1配线层，在所述主体部内延伸，且分别电连接于所述一个以上的加热器的供电侧；一个以上的第2配线层，在所述主体部内延伸，且电连接于所述一个以上的加热器的基准电位侧；及多个接点部，在所述外周区域从所述主体部露出，且分别电连接于所述一个以上的第1配线层及所述一个以上的第2配线层，所述基座支承所述支承部件，且具有将所述载置区域支承在其上的第1区域、及将所述外周区域支承在其上的第2区域，并且在该第2区域设有分别通往所述多个接点部的多个第1贯穿孔，所述多个配线穿过所述多个第1贯穿孔而分别接合于所述多个接点部。2.根据权利要求1所述的载置台，其中，所述一个以上的加热器为多个加热器，所述一个以上的第1配线层为分别连接于所述多个加热器的供电侧的多个第1配线层。3.根据权利要求2所述的载置台，其中，所述一个以上的第2配线层中至少一个连接于所述多个加热器中两个以上的加热器的基准电位侧。4.根据权利要求1～3中任一项所述的载置台，其中，所述基座中形成有供给有制冷剂的制冷剂流路。5.根据权利要求1～4中任一项所述的载置台，其中，所述支承部件在所述主体部内还具有：静电吸附用电极；第3配线层，电连接于该静电吸附用电极；及其它接点部，电连接于该第3配线层，所述其它接点部在所述外周区域从所述主体部露出，在所述第2区域设有通往所述其它接点部的第2贯穿孔，所述载置台还具备...

【专利技术属性】
技术研发人员：喜多川大，小泉克之，永井力，林大辅，照内怜，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP