像素电极的图案形成方法和形成系统技术方案

本发明专利技术提供一种像素电极的图案形成方法和形成系统，在制造IPS方式、FFS方式的液晶驱动方式等的液晶显示装置时，即使使用分辨率低的现有的通常的曝光装置，也能够进一步实现像素电极的窄间距化。在玻璃基板(G)上形成像素电极的图案的方法，在玻璃基板(G)上的像素电极层(1)的上表面，在成为上述图案的第一间隙部的部分形成抗蚀剂(2)，然后形成牺牲膜，接着以保留残置牺牲膜(3a)、(3b)的方式去除牺牲膜，在像素电极层(1)的上表面形成上述图案的第二间隙部(S2)。然后去除抗蚀剂(2)，形成上述图案的第二间隙部，接着，在上述第一间隙部、第二间隙部的侧方形成接触部的抗蚀剂，然后去除第一间隙部、第二间隙部的像素电极层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及像素电极的图案形成方法和图案形成系统。
技术介绍
近年来，在智能电话和平板型电脑中使用的作为画面显示装置的液晶显示器的高品质图像化正在发展，从视角、透过率的观点来看，大多采用所谓的被称为IPS方式(InPlaneSwitching：共面转换)、FFS方式(FringeFieldSwitching：边缘场切换)的液晶驱动方式(例如专利文献1、2)。在采用这些液晶驱动方式的液晶显示装置中，当形成像素电极时，采用现有技术的通常的光刻工序。现有技术文献专利文献专利文献1：WO2014/7355号公报专利文献2：日本特开2011-164661号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，在上述的IPS方式、FFS方式的液晶驱动方式的液晶显示装置中，还要求更高分辨率，为了实现更高的分辨率，必须要求像素电极的密间距(finepitch)化。但是，目前在制造这种液晶显示装置时使用的曝光装置的曝光分辨率的极限为2μm。因此不能应对像素密度超过500ppi的液晶显示装装置。为了实现这样的装置，不得不使用半导体器件用的高性能曝光装置，但是半导体器件用的高性能曝光装置价格非常高，在致力于价格竞争的智能电话和平板型电脑的画面显示装置的制造中使用时，作为现实问题是非常困难的。本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，在制造IPS方式、FFS方式的液晶驱动方式等的液晶显示装置时，即使使用现有的曝光装置，也能够实现像素电极的进一步的窄间距化。用于解决课题的技术手段为了实现上述目的，本专利技术的像素电极的图案形成方法，用于在基板上形成像素电极的图案，其特征在于：在基板上的像素电极层的上表面，在成为上述图案的第一间隙部的部分形成抗蚀剂，然后在形成有上述抗蚀剂的像素电极层上形成牺牲膜，然后保留上述抗蚀剂的侧部的残置牺牲膜，去除上述牺牲膜，在像素电极层的上表面形成上述图案的第二间隙部，然后去除上述抗蚀剂，形成上述图案的第二间隙部，然后在上述第一间隙部、第二间隙部的侧方，形成接触部的抗蚀剂，然后去除上述第一间隙部、第二间隙部的像素电极层。根据本专利技术，通过通常的光致抗蚀剂工序，在基板上的像素电极层的上表面，在成为上述图案的第一间隙部的部分形成抗蚀剂，然后在形成有上述抗蚀剂的像素电极层上形成牺牲膜，然后保留上述抗蚀剂的侧部的残置牺牲膜，去除上述牺牲膜，由此在像素电极层的上表面形成上述图案的第二间隙部。因此，在残置牺牲膜相互之间形成第二间隙部。故而，通过实施一次光刻工序，能够在第一间隙部相互之间进一步形成第二间隙部。关于像素电极所需的与漏极等导通的接触部，在形成第一间隙部、第二间隙部之后，例如通过通常的光刻工序形成抗蚀剂。因此，通过去除上述第一间隙部、第二间隙部的像素电极层，与现有技术相比能够在基板上以窄间距形成像素电极。根据另一观点的本专利技术，用于在基板上形成像素电极的图案的方法，其特征在于：在基板上的像素电极层的上表面，形成接触部的抗蚀剂并在成为上述图案的第一间隙部的部分形成抗蚀剂，这时，上述接触部的抗蚀剂的高度形成得比第一间隙部的抗蚀剂高，然后在形成有各抗蚀剂的像素电极层上形成牺牲膜，然后保留上述各抗蚀剂的侧部的残置牺牲膜，去除上述牺牲膜，在像素电极层的上表面形成上述图案的第二间隙部，然后保留接触部的抗蚀剂，并且去除第一间隙部的抗蚀剂，形成上述图案的第一间隙部，然后去除上述第一间隙部、第二间隙部的像素电极层。根据本专利技术，例如通过所谓的半曝光，在基板上的像素电极层的上表面，形成接触部的抗蚀剂和在成为图案的第一间隙部的部分形成抗蚀剂，并且将上述接触部的抗蚀剂的高度形成得比第一间隙部的抗蚀剂高。然后，与上述的专利技术同样地，在形成有各抗蚀剂的像素电极层上形成牺牲膜，接着保留各抗蚀剂的侧部的残置牺牲膜，去除上述牺牲膜，在像素电极层的上表面形成上述图案的第二间隙部。然后保留接触部的抗蚀剂，并且去除第一间隙部的抗蚀剂，由此能够形成上述图案的第一间隙部。因此，通过一次光刻工序能够在第一间隙部相互之间进一步形成第二间隙部。因此，通过去除上述第一间隙部、第二间隙部的像素电极层，与现有技术相比能够在基板上以窄间距形成像素电极。进一步根据另外的观点，本专利技术提供一种图案形成系统，其为用于实施上述的图案形成方法的基板处理系统，其特征在于，包括：在基板上形成抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成装置；对由上述抗蚀剂膜形成装置形成的抗蚀剂膜进行曝光的曝光装置；将由上述曝光装置曝光后的抗蚀剂膜显影，在基板上形成抗蚀剂图案的显影装置；去除上述牺牲膜的牺牲膜去除装置；和去除上述第一间隙部、第二间隙部的像素电极层的像素电极层去除装置。专利技术效果根据本专利技术，即使使用现有的液晶显示装置的制造中所使用的曝光装置，也能够在基板上形成间距比现有技术窄的像素电极的图案。附图说明图1是为了表示实施方式的图案形成方法的工艺流程而示意性地表示玻璃基板的纵截面，并表示在像素电极层形成了抗蚀剂的状态的说明图。图2是为了表示实施方式的图案形成方法的工艺流程而示意性地表示玻璃基板的纵截面，并表示形成了牺牲膜的状态的说明图。图3是为了表示实施方式的图案形成方法的工艺流程而示意性地表示玻璃基板的纵截面，并表示保留残置牺牲膜而去除了牺牲膜的状态的说明图。图4是为了表示实施方式的图案形成方法的工艺流程而示意性地表示玻璃基板的纵截面，并表示去除了抗蚀剂的状态的说明图。图5是从平面看图4的状态的说明图。图6是表示从图4的状态在接触部形成了抗蚀剂的状态的说明图。图7是示意性地表示从图4的状态去除间隙部的像素电极层后的状态的纵截面的说明图。图8是表示从图7的状态去除了残置牺牲膜后的状态的平面的说明图。图9是现有技术的像素电极的平面的说明图。图10是为了表示其它实施方式的图案形成方法的工艺流程而示意性地表示玻璃基板的纵截面，并表示在像素电极层形成了抗蚀剂的状态的说明图。图11是为了表示其它实施方式的图案形成方法的工艺流程而示意性地表示玻璃基板的纵截面，并表示形成了牺牲膜的状态的说明图。图12是为了表示其它实施方式的图案形成方法的工艺流程而示意性地表示玻璃基板的纵截面，并表示留下残置牺牲膜而去除了牺牲膜的状态的说明图。图13是为了表示其它实施方式的图案形成方法的工艺流程而示意性地表示玻璃基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素电极的图案形成方法，用于在基板上形成像素电极的图案，其特征在于：在基板上的像素电极层的上表面，在成为所述图案的第一间隙部的部分形成抗蚀剂，然后在形成有所述抗蚀剂的像素电极层上形成牺牲膜，然后以保留所述抗蚀剂的侧部的残置牺牲膜的方式去除所述牺牲膜，在像素电极层的上表面形成所述图案的第二间隙部，然后去除所述抗蚀剂，形成所述图案的第二间隙部，然后在所述第一间隙部、第二间隙部的侧方形成接触部的抗蚀剂，然后去除所述第一间隙部、第二间隙部的像素电极层。

【技术特征摘要】
2014.10.23 JP 2014-2164891.一种像素电极的图案形成方法，用于在基板上形成像素电极的
图案，其特征在于：
在基板上的像素电极层的上表面，在成为所述图案的第一间隙部
的部分形成抗蚀剂，
然后在形成有所述抗蚀剂的像素电极层上形成牺牲膜，
然后以保留所述抗蚀剂的侧部的残置牺牲膜的方式去除所述牺牲
膜，在像素电极层的上表面形成所述图案的第二间隙部，
然后去除所述抗蚀剂，形成所述图案的第二间隙部，
然后在所述第一间隙部、第二间隙部的侧方形成接触部的抗蚀剂，
然后去除所述第一间隙部、第二间隙部的像素电极层。
2.一种像素电极的图案形成方法，用于在基板上形成像素电极的
图案，其特征在于：
在基板上的像素电极层的上表面，形成接触部的抗蚀剂并在成为
所述图案的第一间隙部的部分形成抗蚀剂，此时的所述接触部...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤田直纪，石田宽，八寻俊一，池田文彦，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP