【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种提高高度的埋栅式金属化电极构造，包括硅片，其特征是所述硅片顶端设置有金属电极，金属电极底部与硅片之间设置有子层电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李国庆，王晨光，
申请(专利权)人：湖北弘元光伏科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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