具有可配置的多电极式像素的光调变底板制造技术

揭露一种具有可配置的多电极式像素的光调变底板。该可配置的多电极式像素包含位于一第一域中的一第一组点电极以及位于一第二域中的一第二组点电极。概言之，点电极是包含于该第一组点电极及该第二组点电极两者中。举例而言，一像素控制电路耦接至一专用点电极。一第一点电极经由一第一点电极连接电路耦接至该像素控制电路，且一第二点电极经由一第二点电极连接电路耦接至该像素控制电路。在该第一域中，该第一点电极连接电路为现用的，而该第二点电极连接电路为非现用的。在该第二域中，该第一点电极连接电路为非现用的，而该第二点电极连接电路为现用的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于显示技术。更具体而言，本专利技术是关于用于控制光调变元件、空间光调变器以及光源的数字底板(digitalbackplane)。
技术介绍
微型显示器(micro-display)通常包含光调变底板以及一光调变单元或一发光单元。光调变单元包含例如硅基液晶(liquidcrystalonsilicon；LCOS)以及数字微镜装置(digitalmicromirrordevice；DMD)等技术。发光单元包含例如有机发光二极管(organiclightemittingdiodes；OLED)等技术。用于这些微型显示器中的技术亦可被用于制造较大的显示单元。图1A及图1B例示一传统LCOS显示器100的一小部分。具体而言，图1B仅显示LCOS显示器100的24个像素。一般而言，一LCOS显示器将具有成千上万个像素。图1A为显示器100沿图1B所示的AA’截取的剖视图。然而，图1B仅显示LCOS显示器100的一个层。在图1A中，一基板110支撑像素控制电路PCC_1_1、PCC_2_1、PCC_3_1、PCC_4_1、PCC_5_1、以及PCC_6_1。这些像素控制电路的上方为像素电极PE_1_1、PE_2_1、PE_3_1、PE_4_1、PE_5_1、以及PE_6_1。每一像素电极PE_X_Y均耦接至并受控于像素控制电路PCC_X_Y。因此，像素电极PE_1_1耦接至并受控于像素控制电路PCC_1_1。类似地，电极PE_2_1、PE_3_1、PE_4_1、PE_5_1、以及PE_6_1分别耦接至并受控于像素控制电路PCC_2_1、PCC_3_1、PCC_4_1、PCC_5_1、以及PCC_6_1。对于LCOS显示器100而言，像素电极是由一反射性导体制成以如以下所述反射入射光。如图1B所示，各偏振电极被排列成一矩形矩阵。为清晰起见，像素电极为PE_X_Y，其中X是指像素电极的行位置且Y是指像素电极的列位置。基板110将亦包含各种逻辑电路以支援像素控制电路的运作。为清晰起见，在附图中省略这些逻辑电路，乃因这些被省略的逻辑电路在此项技术中众所已知而并非为本专利技术的一组成态样。基板100、像素控制电路、像素电极以及被省略的逻辑电路形成光调变底板。一光调变底板的一实例阐述于Guttag等人提出申请且名称为「数字底板(DigitalBackplane)」的美国专利第7,071,908号中，该专利以引用方式倂入本文中。一光调变底板的另一实例阐述于Guttag等人提出申请且名称为「具有存储减少器的空间光调制器(SpatialLightModulatorwithMaskingComparators)」的美国专利第8,605,015号中，该专利以引用方式并入本文中。LCOS显示器100的光调变单元包含一液晶层120、一配向层130、一透明共用电极层140、以及一保护玻璃层150。保护玻璃层150保护LCOS显示器100的其余部分，但一般不会调处入射光或反射光。透明共用电极层140与像素电极合作以调处液晶层120中的液晶。配向层130将液晶层120中的液晶配向以正确地调处入射光及反射光。液晶层120容纳由像素电极控制的液晶，以选择性地使入射偏振光穿过液晶层120。具体而言，当一像素电极被对应的像素控制电路充电至一「现用状态(activestate)」时，偏振光可穿过像素电极上方的液晶层120的区域并被像素电极反射回去。然而，若像素电极是处于一非现用状态，则偏振光会被阻挡于像素电极上方的液晶层120的区域中。使用脉宽调变(pulsewidthmodulation)来产生不同的对比度(contrastlevel)。对于彩色显示器而言，可将滤色片(colorfilter)包含于光调变单元或场色序法(fieldsequentialcolorscheme)(即，快速循环经过三个不同的彩色光源)中。自标准解析度视讯至高解析度视讯以及更高解析度视讯的转变已引起对更高解析度显示器的极大需求。然而，对于光调变底板而言，像素控制电路的尺寸正成为对光调变底板中像素密度的限制因素。因此，为使用传统的技术来制造更高解析度的光调变底板，必须增大光调变底板的整体尺寸。然而，增大光调变底板的尺寸将亦会增大成本及功耗。因此，需要提供一种能够制造高解析度光调变底板的方法或系统。
技术实现思路
因此，本专利技术利用可配置的多电极式像素来提供一种新颖的高解析度光调变底板。一可配置的多电极式像素在一第一域(field)中使用一第一组点电极(dotelectrode)，且在一第二域中使用一第二组点电极。在本专利技术的某些实施例中，一或多个专用点电极将会包含于该第一组点电极及该第二组点电极两者中。在本专利技术的一实施例中，一可配置的多电极式像素包含一像素控制电路、一专用点电极、一第一点电极、一第一点电极连接电路、一第二点电极、以及一第二点电极连接电路。该第一点电极连接电路耦接至该第一点电极以及该像素控制电路。类似地，该第二点电极连接电路耦接至该第二点电极以及该像素控制电路。该专用点电极直接耦接至该像素控制电路。在一第一域中，该第一点电极连接电路处于一现用状态(activestate)，且该第二点电极连接电路处于一非现用(inactivestate)状态。在一第二域中，该第一点电极连接电路处于该非现用状态，且该第二点电极连接电路处于一现用状态。因此，在该第一域期间，该可配置的多电极式像素使用该第一点电极及该专用点电极。相反地，在该第二域期间，该可配置的多电极式像素使用该第二点电极及该专用点电极。在本专利技术的另一实施例中，该可配置的多电极式像素亦包含一第三点电极、一第四点电极、一第五点电极以及一第六点电极。一第三点电极连接电路将该第三点电极耦接至该像素控制电路。一第四点电极连接电路将该第四点电极耦接至该像素控制电路。一第五点电极连接电路将该第五点电极耦接至该像素控制电路，且一第六点电极连接电路将该第六点电极耦接至该像素控制电路。该第一点电极、该第三点电极、该第五点电极、以及该专用点电极形成一矩形。类似地，该第二点电极、该第四点电极、该第六点电极、以及该专用点电极亦形成一矩形。在该第一域期间，该可配置的多电极式像素使用该第一点电极、该第三点电极、该第五点电极以及该专用点电极。在该第二域期间，该可配置的多电极式像素使用该第二点电极、该第四点电极、该第六点电极以及该专用点电极。根据以下的说明及附图，将会更全面地理解本专利技术。附图说明图1A至图1B例示一传统硅基液晶(LCOS)显示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光调变底板的像素，其特征在于，包含：一像素控制电路；一第一点电极；一第一点电极连接电路，耦接至该像素控制电路及该第一点电极；一第二点电极；一第二点电极连接电路，耦接至该像素控制电路及该第二点电极。

【技术特征摘要】
2014.05.09 US 14/273,5501.一种光调变底板的像素，其特征在于，包含：
一像素控制电路；
一第一点电极；
一第一点电极连接电路，耦接至该像素控制电路及该第一点电极；
一第二点电极；
一第二点电极连接电路，耦接至该像素控制电路及该第二点电极。
2.如权利要求1所述的像素，其特征在于，更包含一专用点电极，耦接至该像
素控制电路。
3.如权利要求2所述的像素，其特征在于，该第一点电极连接电路经由该专用
点电极耦接至该像素控制电路。
4.如权利要求3所述的像素，其特征在于，该第二点电极连接电路经由该专用
点电极耦接至该像素控制电路。
5.如权利要求2所述的像素，其特征在于，该像素被配置成使该第一点电极连
接电路在一第一域中处于一现用状态且在一第二域中处于一非现用状态。
6.如权利要求5所述的像素，其特征在于，该像素被配置成使该第二点电极连
接电路在该第一域中处于该非现用状态且在该第二域中处于该现用状态。
7.如权利要求2所述的像素，其特征在于，更包含：
一第三点电极；
一第三点电极连接电路，耦接至该像素控制电路及该第三点电极；
一第四点电极；以及
一第四点电极连接电路，耦接至该像素控制电路及该第四点电极。
8.如权利要求7所述的像素，其特征在于，该专用点电极位于该第一点电极与
该第二点电极之间，且其中该专用点电极位于该第三点电极与该第四点电极之间。
9.如权利要求8所述的像素，其特征在于，该像素被配置成：
该第一点电极连接电路在一第一域中处于一现用状态且在一第二域中处于一
非现用状态；
该第二点电极连接电路在该第一域中处于该非现用状态且在该第二域中处于
该现用状态；
该第三点电极连接电路在该第一域中处于该现用状态且在该第二域中处于该
非现用状态；以及
该第四点电极连接电路在该第一域中处于该非现用状态且在该第二域中处于
该现用状态。
10.如权利要求8所述的像素，其特征在于，该第三点电极连接电路经由该第
一点电极耦接至该像素控制电路。
11.如权利要求7所述的像素，其特征在于，更包含：
一第五点电极；
一第五点电极连接电路，耦接至该像素控制电路及该第五点电极；
一第六点电极；
一第六点电极连接电路，耦接至该像素控制电路及该第六点电极。
12.如权利要求11所述的像素，其特征在于，该专用点电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：安德鲁·伊恩·鲁塞尔，克雷格·迈克尔·沃勒，埃里克·保罗·艾森布兰特，
申请(专利权)人：晶典有限公司，张家口晶典科技有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US