本发明提供一种蚀刻方法，其使用具有处理室的衬底处理装置对被处理体进行蚀刻，该处理室包括：第一电极；和与上述第一电极相对地配置的、载置被处理体的第二电极。该蚀刻方法包括：利用处理气体的等离子体在10℃以下的温度对通过包括第一聚合物和第二聚...

本发明提供基板处理装置和基板载置单元的制造方法。该基板处理装置包括：处理室；基座；固定轴，其贯穿该基座；第1固定构件，其供该固定轴插入嵌合，用于自上表面侧固定基座；第2固定构件，其供固定轴插入嵌合，用于自下表面侧固定基座；施力部件，其设...

本发明提供与对被处理基板供给处理液的处理液供给喷嘴连接的液体处理装置，其包括：将处理液存储容器和该处理液供给喷嘴连接的供给管路；设置于供给管路的过滤器装置；过滤器装置的二次侧的泵；将泵的排出侧和过滤器装置的吸入侧连接的循环管路；在泵的二...

本发明的课题在于抑制从氟化钇制的喷镀被膜产生微粒。本发明的解决方法在于提供一种在等离子体处理装置内被暴露于等离子体中的部件。该部件具有基材和被膜。基材例如为铝制或铝合金制。可以在基材的表面形成耐酸铝膜。被膜通过在包括基材或设置于该基材上...

本发明提供能够在利用显影液对曝光后的基板进行显影时对基板的面内的显影的进展程度而言有助于面内均匀性的提高的显影方法等。对被水平保持于可旋转的基板保持部的曝光后的基板，使用具有与上述基板相对地设置的接触部的第一显影液喷嘴，在基板的表面的一...

本发明的目的是在对曝光后的基板进行显影处理时，提高基板的面内的抗蚀剂图案的线宽的均匀性。进行显影处理，包括以下步骤：使用具有显影液的排出口和形成得比上述基板的表面小的接触部的显影液喷嘴，在上述基板的中央部使上述接触部与基板的表面相对的步...

本发明提供相对于由氮化硅构成的第二区域有选择地蚀刻由氧化硅构成的第一区域的方法。一实施方式的方法包括：(a)第一步骤，将具有第一区域和第二区域的被处理体暴露于包含碳氟化合物气体的处理气体的等离子体中，蚀刻第一区域，且在第一区域和第二区域...

本发明提供一种晶片检查装置，在利用真空吸引力使探针卡和晶片加压接触而进行的晶片级别的检查中，高速且稳定地进行用于产生期望的真空吸引力的抽真空。在该探测器中，过冲程保持用的真空机构(92)经由配管(88、90)等与形成于探针卡(36)、波...

本发明提供一种磁性退火装置。采用本申请，该磁性退火装置用于在磁场中对多个基板进行退火，其中，该磁性退火装置包括：横长筒状的处理容器，其用于在容纳着所述多个基板的状态下进行磁性退火处理；加热部件，其以从外部覆盖该处理容器的沿着长度方向延伸...

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。其中，将基板载置在设于处理室内的旋转台上，沿着所述旋转台的旋转方向该处理室划分为被供给蚀刻气体的处理区域和不被供给所述蚀刻气体而被供给吹扫气体的吹扫区域。向所述处理区域供给蚀刻气体，向所述吹扫区...

本发明提供有机EL元件密封膜的形成方法，解决形成叠层有无机膜和有机膜的叠层膜时使用硬质掩模有选择地成膜有机膜所导致的问题。该有机EL元件密封膜的形成方法在形成有多个有机EL元件(2)的基板(1)上，以覆盖与有机EL元件对应的区域的方式形...

本发明提供对具有通过交替设置氧化硅膜和氮化硅膜而构成的多层膜的第一区域和具有单层的氧化硅膜的第二区域进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括：在收纳有被处理体的处理容器内生成包含氢氟烃气体的第一处理气体的等离子体的步骤；和在该处理容器内生成...

本发明提供基板加热装置，包括：多个加热模块，其包括对基板进行处理的处理容器；和与各加热模块共用的排气路径，该基板加热装置高精度控制各加热模块中的排气量。基板加热装置包括：多个加热模块，各自包括用于对上述处理容器内的处理氛围取入清洁用的气...

本发明提供一种钨膜的成膜方法。在使用WCl6气体作为原料气体并通过顺序供给气体而形成钨膜的情况下，以足够的堆积速度将钨膜成膜。对收纳有被处理基板并且保持在减压环境下的腔室内，顺序供给作为钨原料气体的WCl6气体、由含有氢的还原性气体构成...

提供能够良好地对基板进行液体处理的基板液体处理装置和基板液体处理方法。在本发明中，基板液体处理装置(1)具有：液体处理部(3)，其利用处理液对基板(2)进行处理；处理液供给部(4)，其供给上述处理液；以及稀释液供给部(5)，其供给用于稀...

等离子体处理装置包括：形成有使内部空间与处理空间连通的连通孔的电介质部件；隔着内部空间的第一电极和第二电极；将第一处理气体供给到内部空间的第一气体供给机构；第一高频电源，其将第一高频电力供给到第一电极和第二电极中的至少任一者，生成第一处...

本发明提供锗膜的成膜方法和成膜装置。该成膜方法用于在被处理体的被处理面上形成锗膜，其中，该锗膜的成膜方法包括：工序一，向容纳有所述被处理体的处理室内供给氨基硅烷系气体；工序二，向所述处理室内供给乙硅烷以上的高阶硅烷系气体；以及工序三，向...

本发明涉及多层膜的蚀刻方法。[课题]要求对形成于多层膜的空间的垂直性在被处理体的一部分区域中的劣化进行抑制。[解决手段]多层膜的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的处理容器内使等离子体产生，对多层膜进行蚀刻的工序。在该工序中，由用于向被处理...

本发明提供在将基板彼此接合时适当地保持基板并适当地进行该基板彼此的接合处理的接合装置、接合系统以及接合方法。接合装置(41)包括：上吸盘(140)，其用于对上晶圆(WU)进行真空吸引而将该上晶圆(WU)吸附保持于下表面；以及下吸盘(14...

本发明提供能抑制在处理单元检测出异常的情况下的生产率的降低的基板处理装置和基板处理方法。本发明的基板处理装置包括处理单元；以及控制部，其用于使处理单元执行基板处理。控制部使处理单元实施基板处理，并根据包含在基板处理后利用基板表面测定检测...