本发明不降低生产量地有选择地蚀刻由氧化硅构成的区域。本发明提供一种在等离子体处理装置的处理容器内从具有由氧化硅构成的氧化区域的被处理体有选择地蚀刻该氧化区域的方法。该方法包括：(a)在处理容器内，生成含有氢、氮和氟的气体的等离子体，使上...

本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。向预定的等离子体处理区域内供给处理气体，在等离子体产生区域使所述处理气体等离子体化而对已形成在基板(W)上的膜实施等离子体处理。获取已形成在基板上的膜的基于等离子体处理的面内处理量的分布...

提供能够将基板调节到期望的温度的基板检查装置。探针台(10)包括：载置形成有半导体器件的晶片(W)的载置台(11)；对被载置的晶片(W)的半导体器件的电特性进行检查的测试头(14)；调节载置台(11)的温度的温度调节系统(25)；和通过...

本发明提供即使在对载置台施加高功率的高频电力的情况下也能够有效地防止在处理室内的不期望部分处的放电、等离子体进入到排气区域的等离子体处理装置和应用于等离子体处理装置的排气构造。一种等离子体处理装置，在处理室内将基板载置于载置台的载置面上...

本发明是在表面形成有图案的基板上形成有机膜的发明，在基板上涂布有机材料，此后，对该有机材料进行热处理，在基板上形成有机膜，此后，对该有机膜进行紫外线照射处理，将该有机膜的表面除去至规定的深度，由此在基板上适当且高效地形成有机膜。

本发明提供一种可靠地检测有无被基板处理装置处理的基板的基板处理装置和基板处理装置的基板检测方法。液处理装置(1)包括：基板保持旋转部(23)，其具有旋转板(23P)和基板支持部(51)；以及液体供给部(24)。旋转板(23P)与旋转轴(...

本发明提供成膜方法和成膜装置。该成膜方法包括以下工序：第1原料气体供给工序，向基板上供给含有第1金属元素的第1原料气体；第2原料气体供给工序，向所述基板上供给含有第2金属元素的第2原料气体；以及反应气体供给工序，将含有非金属元素的反应气...

本发明提供成膜装置以及排气装置和排气方法，即使成膜装置大型化，也能够防止排气结构的大型化、高成本化和复杂化并且能够抑制反应生成物在排气路径的沉积。排气单元(3)包括：对处理容器11内进行排气的前级真空泵(32)；在前级真空泵(32)的排...

本发明提供在被处理体的基底层上形成图案的方法。该方法包括：(a)在基底层上形成包含第一聚合物和第二聚合物的能够自组织化的嵌段共聚物层的步骤；(b)对被处理体进行处理，以使得在嵌段共聚物层形成包含第一聚合物的第一区域和包含第二聚合物的第二...

本发明提供能够降低因喷嘴内的水解劣化而导致的甲硅烷基化液的废弃量的基板液处理装置和基板液处理方法。通过向喷嘴(43)内的甲硅烷基化液流路(431)供给阻隔流体，从而利用在比位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液靠近喷出口(434)的一侧存...

本发明提供一种能够使用微波对被处理体实施均匀的热处理的加热处理装置。加热处理装置(10)具有内部被导入有效波长为λg的微波的4个处理室(11)，4个处理室(11)相互平行地配置，并且4个处理室(11)中的每一个具有与基板(G)相对的开口...

公开了一种用于最优化半导体制造中的漂洗和干燥过程的方法。该最优化力图在保持低的缺陷数和高的器件良率的情况下最大化处理吞吐量，并且该最优化利用模拟和试验数据来设定漂洗和干燥过程的最优工艺参数。还公开了漂洗液体和吹扫气体喷嘴移动的改进方法。

本发明提供一种电感耦合型等离子体处理装置，其完美地抑制RF天线内的波长效应，并且能够自如且精细地控制等离子体密度分布。在腔室(10)的顶部或电介质窗(52)上设有用于在腔室(10)内生成电感耦合等离子体的环状的RF天线(54)。该RF天...

本发明提供一种能够可靠并且迅速的判定处理容器内的部件的更换时期的判定方法、控制方法、判定装置、和图案形成系统。判定处理容器内的部件的更换时期的判定方法，包括：预先根据第一图案的形状或尺寸算出第一偏差的工序；在所述处理容器内对基板上的膜进...

本发明提供一种涂布、显影装置，其目的在于提供能够抑制处理模块的设置面积并且能够抑制装置的运转效率降低的技术。将前级处理用单位块作为第一前级处理用单位块和第二前级处理用单位块以上下二层化的方式相互叠层，将后级处理用单位块作为第一后级处理用...

高精度地检测基板与支承体之间的摩擦，上述基板被保持于将多个基板保持成架状的基板保持件，上述支承体支承上述基板的背面来进行输送。该基板输送装置具备：载置部，其载置上述基板保持件；基板输送机构，其具备支承上述基板的下表面的支承体以及使上述支...

本发明提供一种涂布、显影装置，其目的在于提供能够抑制处理模块的设置面积并且能够抑制装置的运转效率降低的技术。将前级处理用单位块作为第一前级处理用单位块和第二前级处理用单位块以上下二层化的方式相互叠层，将后级处理用单位块作为第一后级处理用...

本发明提供使用气体喷嘴的成膜装置。该成膜装置包括：第1和第2原料气体喷嘴，分别在与基板之间的间隙对应的高度位置形成有朝向基板的中央部喷出原料气体的多个气体喷出孔；向反应容器内供给反应气体的反应气体供给部；第1和第2原料气体供给路径，分别...

本发明以短时间且大流量供给由液体原料或固体原料生成的原料气体，并且避免原料的浪费。具备：收纳固体状或液体状的原料的原料容器(1)；在原料容器(1)中加热原料的加热器(2)；向原料容器(1)内供给载气的载气供给配管(3)；控制载气的流量的...

本发明提供一种能够不形成核生成用的初始钨膜而以一个阶段成膜钨膜的钨膜的成膜方法。对被处理基板在减压气氛气下同时或交替供给作为钨原料的氯化钨气体和还原气体，一边对被处理基板进行加热一边使氯化钨气体和还原气体反应，在被处理基板的表面不成膜核...