本发明提供等离子体蚀刻方法，能够大幅改善充电损伤的发生，实现等离子体处理的稳定性和可靠性的提高。在能够真空排气的处理容器(10)内相对地平行配置上部电极(38)和下部电极(12)，由第一高频电源(32)通过第一匹配器(34)向下部电极(...

本发明提供一种探针卡盒，其能够容易地进行探针卡的操作处理且还能够应对小径化(小型化)了的探针卡。一种用于收纳探针卡的探针卡盒，其特征在于，包括：第1盒部件，其能够将上述探针卡载置在规定位置；第2盒部件，其能够与上述第1盒部件的上侧嵌合，...

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。在该基板处理方法中使用基板处理装置，该基板处理装置包括处理容器和旋转台，该旋转台以能够旋转的方式设于所述处理容器内且具有基板载置部。在该基板处理方法中，将基板载置于所述基板载置部，向所述处理容器...

本发明提供真空处理装置和真空处理方法。该真空处理装置具备：基板的载置区域，其以随着旋转台的旋转进行公转的方式设置在该旋转台的一个面侧，在其周围形成有用于限制基板的位置的限制部；升降构件，其为了在外部的基板输送机构和所述旋转台之间交接基板...

本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在感应耦合型等离子体工艺中，采用简单的补正线圈自由且精细地控制等离子体的密度分布。在该感应耦合型等离子体处理装置中，在与RF天线(54)接近的电介质窗(52)之下炸面饼圈状地产生感应耦合...

本发明提供一种不使接触探针折弯就能够投入探针卡的基板检查装置。晶片检查装置(10)包括：载置用于配置多个接触探针(20)的探针卡(18)的中间板(22)；用于配置中间板(22)的抽出状的工作台(21)；用于安装探针卡(18)的测试器(1...

提供一种能够防止晶片检查装置的结构的复杂化的晶片安装方法。在具备多个检测器(15)和搬送晶片(W)的搬送台(18)的晶片检查装置(10)中，将可伸缩的伸缩护罩(23)以包围检测器(15)的探针卡(20)的方式配置，将晶片(W)载置于由厚...

本发明提供一种能够谋求生产率的提高的基板处理装置。实施方式的基板处理装置包括多个处理单元以及基板输送装置。多个处理单元在铅垂方向上并排地配置，用于处理基板。基板输送装置能够在铅垂方向上移动，用于进行基板相对于处理单元的送入送出。另外，基...

公开了一种用于使用光学发射光谱(OES)数据作为输入确定蚀刻过程的终点的方法。由附接至等离子体蚀刻处理工具的光谱仪获得光学发射光谱(OES)数据。首先将获得的时间演变光谱数据过滤和去均值，之后使用诸如主成分分析的多变量分析，将获得的时间...

本发明提供一种能够防止由有机物致使发光部的有机化合物劣化的有机EL元件构造和其制造方法以及发光面板。有机EL元件构造(10)具有元件层叠部(12)，该元件层叠部(12)由在元件驱动电路层(11)上依次层叠的阳极膜(15)、含有有机化合物...

本发明提供寿命长的有机EL组件。该有机EL组件包括：在内部具有成为发光部的有机层(4)的有机EL面板(2)；设置在有机EL面板(2)的背面上、将有机EL面板(2)的背面密封的背面密封板(6)；设置在有机EL面板(2)的侧面、将有机EL面...

本发明提供一种微波等离子体源，其能够确保等离子体的扩散，并且即使减少微波辐射部的数量，也能够形成均匀的表面波等离子体。微波等离子体源(2)包括微波输出部(30)、微波供给部(40)和微波辐射板(50)。微波供给部(40)具有在微波辐射部...

本发明提供一种液体供给装置。在对被处理体给处理液时，够在抑制装置的复杂化的同时迅速地排出该处理液。使贮存有抗蚀剂液的贮存室(23)与排出该抗蚀剂液的喷嘴(21)一体形成为盒(12)，并将盒(12)从待机部(13)搬送到晶片(W)的正上方...

本发明涉及非晶硅的结晶化方法、结晶化硅膜的成膜方法、半导体装置的制造方法和成膜装置。一种使非晶硅发生结晶化的非晶硅的结晶化方法，其中，在晶体生长慢的第一非晶硅膜上层叠晶体生长快于前述第一非晶硅膜的第二非晶硅膜，对所层叠的前述第一非晶硅膜...

本发明提供一种通过隔着硬掩模蚀刻氧化硅膜而在被处理体上形成具有50以上的深宽比的空间的蚀刻方法。该蚀刻方法包括以下工序：(a)第1工序，在具有构成下部电极的载置台和上部电极的电容耦合型的等离子体处理装置的处理容器内，将被处理体暴露于碳氟...

在对多层膜进行等离子体蚀刻时，在扩大凹部的下端形状的同时抑制基底损失。进行下述步骤：将包含CF类气体和氧气的处理气体导入处理室内进行等离子体蚀刻，由此在多层膜形成直至规定深度的凹部的主蚀刻步骤，其中，该多层膜包括形成在基底硅膜上的相对介...

本发明提供一种等离子体处理装置以及聚焦环。其抑制倾斜伴随着聚焦环的消耗进行变动。等离子体处理装置包括：腔室，其用于对被处理体进行等离子体处理；载置台，其设于腔室的内部，并具有用于载置上述被处理体的载置面；以及聚焦环，其以包围被载置于载置...

本发明提供一种蚀刻方法。目的在于控制蚀刻图案的CD收缩比。该蚀刻方法为对基板上的蚀刻对象膜进行蚀刻处理的方法，其包括如下步骤：供给包含含卤素气体、氢气、非活性气体以及氧气的处理气体，利用由该处理气体生成的等离子体对在蚀刻对象膜上形成有图...

本发明提供一种能够在基材上均匀地形成薄的氧化铝膜得到均匀的微细凹凸状的防反射结构的、具有防反射功能的部件及其制造方法。具有防反射功能的部件(10)具有基材(11)和形成在基材(11)的表面的防反射膜(13)。防反射膜(13)通过利用高温...

本发明提供一种不增厚密封层就能够获得高阻隔性的顶部发光型的有机EL显示装置及其制造方法。在该顶部发光型的有机EL显示装置(1)中，在基板(11)上隔着驱动电路(12)形成依次叠层有下部电极层(13)、有机EL层(14)和上部电极层(15...