【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请基于2012年10月17日提交的、题目为“使用多变量分析的等离子体蚀刻过程的终点检测的方法(METHOD OF ENDPOINT DETECTION OF PLASMA ETCHING PROCESS USING MULTIVARIATE ANALYSIS)”(参考号:TTI-240PROV)的共同未决的美国临时专利申请第61/715,047号,并要求该美国临时专利申请的权益和优先权,其全部内容通过引用被合并在本文中。本专利技术的背景
本专利技术涉及例如在半导体制造中用于控制在衬底上蚀刻结构的过程的方法和系统。更具体地,本专利技术涉及用于确定蚀刻过程的终点的方法。
技术介绍
在制造半导体器件、液晶显示器(LCD)、发光二极管(LED)和一些光伏器件(PV)的过程中通常与光刻结合地使用等离子体蚀刻工艺。一般来说,诸如光致抗蚀剂的辐射敏感材料的层首先被涂覆在衬底上,并且被暴露于图案化的光以对其给出潜像。之后,曝光的辐射敏感材料显影,以移除曝光的辐射敏感材料(或未曝光的,如果使用负性光致抗蚀剂),从而留下露出随后要被蚀刻的区域的辐射敏感材料的图案,并覆盖不希望被蚀刻的区域。在例如等离子体蚀刻过程的蚀刻过程期间,在等离子体处理室中衬底和辐射敏感材料图案被暴露于活跃离子,以引起辐射敏感材料下的材料的移除,以形成诸如通孔、沟槽等的蚀刻的特征。在蚀刻下层材料中的特征之后,使用灰化或
【技术保护点】
一种用于确定蚀刻过程终点数据的方法,包括:在等离子体蚀刻处理工具中,进行k次等离子体蚀刻过程运行,其中k是大于零的整数,所述k次等离子体蚀刻过程运行中的每次运行包括步骤:把要被处理的衬底装载入所述等离子体蚀刻处理工具,所述等离子体蚀刻处理工具包括具有检测器的光谱仪,所述检测器包括m个像素,每个像素对应于不同的光波长;在所述等离子体蚀刻处理工具中引发等离子体;收集在k次等离子体蚀刻过程运行中的每次运行期间按相等时间间隔取样的n个光学发射光谱(OES)数据集,所述n个光学发射光谱(OES)数据集中的每个数据集包括对应于所述光谱仪的m个像素的m个像素强度;针对k次等离子体蚀刻过程运行中的每次运行形成n×m光学发射光谱(OES)数据矩阵[X],每个时间样本占据所述光学发射光谱(OES)数据矩阵[X]的一行,所述光学发射光谱(OES)数据矩阵[X]的列对应于所述光谱仪的像素;计算n×m平均光学发射光谱(OES)数据矩阵[X]avg,其中所述平均光学发射光谱(OES)数据矩阵[X]avg的每个元素被计算为所述k次蚀刻过程运行的光学发射光谱(OES)数据矩阵[X]的元素的平均;从所述平均光学发射光谱 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.10.17 US 61/715,0471.一种用于确定蚀刻过程终点数据的方法,包括:
在等离子体蚀刻处理工具中,进行k次等离子体蚀刻过程运行,其中
k是大于零的整数,所述k次等离子体蚀刻过程运行中的每次运行包括步
骤:
把要被处理的衬底装载入所述等离子体蚀刻处理工具,所述等离子体
蚀刻处理工具包括具有检测器的光谱仪,所述检测器包括m个像素,每
个像素对应于不同的光波长;
在所述等离子体蚀刻处理工具中引发等离子体;
收集在k次等离子体蚀刻过程运行中的每次运行期间按相等时间间
隔取样的n个光学发射光谱(OES)数据集,所述n个光学发射光谱(OES)
数据集中的每个数据集包括对应于所述光谱仪的m个像素的m个像素强
度;
针对k次等离子体蚀刻过程运行中的每次运行形成n×m光学发射光
谱(OES)数据矩阵[X],每个时间样本占据所述光学发射光谱(OES)
数据矩阵[X]的一行,所述光学发射光谱(OES)数据矩阵[X]的列对应于
所述光谱仪的像素;
计算n×m平均光学发射光谱(OES)数据矩阵[X]avg,其中所述平
均光学发射光谱(OES)数据矩阵[X]avg的每个元素被计算为所述k次蚀
刻过程运行的光学发射光谱(OES)数据矩阵[X]的元素的平均;
从所述平均光学发射光谱(OES)数据矩阵[X]avg中过滤噪声;
截舍每个光学发射光谱(OES)数据矩阵[X]以消除在等离子体启动
期间以及超过蚀刻过程终点的时间获得的光学发射光谱(OES)数据;
截舍所述平均光学发射光谱(OES)数据矩阵[X]avg以消除在等离子
体启动期间以及超过蚀刻过程终点的时间获得的平均光学发射光谱
(OES)数据;
计算n×m均值光学发射光谱(OES)数据矩阵[Savg],其中所述均
值光学发射光谱(OES)数据矩阵[Savg]的列中的每列的每个元素被计算
为在所述平均光学发射光谱(OES)数据矩阵[X]avg的所述列上,所述平
均光学发射光谱(OES)数据矩阵[X]avg的n个像素强度中的每个的平均;
从光学发射光谱(OES)数据矩阵[X]减去所述均值光学发射光谱
(OES)数据矩阵[Savg],以将所述光学发射光谱(OES)数据去均值,
以及对所述去均值的并且非标准化的相减结果执行主成分分析
[T]=([X][i]-[Savg])[P],以获得变换后的光学发射光谱(OES)数据向量[T]
以及主成分权重向量[P];
存储所述均值光学发射光谱(OES)数据矩阵[Savg]以供以后用于蚀
刻过程终点的当场确定;
存储所述主成分权重向量[P]以供以后用于所述蚀刻过程终点的当场
确定。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述过滤噪声的步骤包括应用
移动平均滤波器。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述过滤噪声的步骤包括应用
特征特定于所述等离子体蚀刻处理工具的滤波器。
4.根据权利要求1所述的方法,还包括:
选择涉及所述变换后的光学发射光谱(OES)数据向量[T]的元素的
函数形式f(Ti)作为用于所述蚀刻过程终点的当场确定的趋势变量。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述趋势变量的所选择的函数
形式f(Ti)是所述变换后的光学发射光谱(OES)数据向量[T]的单个元素。
6.根据权利要求4所述的方法,其中所述趋势变量的所选择的函数
形式f(Ti)包含所述变换后的光学发射光谱(OES)数据向量[T]的两个元
素的比。
7.根据权利要求4所述的方法,还包括:
计算所述变换后的光学发射光谱(OES)数据向量[T]的至少一个元
素的时间演变;
根据所述变换后的光学发射光谱(OES)数据向量[T]的所述至少一
个元素的所计算的时间演变来确定所述变换后的光学发射光谱(OES)数
据向量[T]的至少一个最小值min(Ti);
存储所述变换后的光学发射光谱(OES)数据向量[T]的元素的确定
的所述至少一个最小值min(Ti)以供以后用于所述蚀刻过程终点的当场确
定。
8.根据权利要求7...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈艳,谢尔盖·科马罗夫,维·翁,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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