本发明提供在自喷出嘴(7)喷出作为处理液的抗蚀液(L)时能够抑制生产率的降低并能够使用一个过滤器(52)来谋求该抗蚀液L的清洁化的处理液供给装置和处理液供给方法。在供抗蚀液(L)流通的供给管路(51)上设置过滤器(52)和泵(70)或泵...

本发明提供一种处理液供给装置和处理液供给方法，使得不浪费地消耗处理液，有效地抑制处理液中的颗粒的增加。该处理液供给装置包括：供给用于对被处理体进行处理的处理液的处理液供给源；经由供给路径与上述处理液供给源连接，向被处理体排出上述处理液的...

本发明提供一种能够将杯体的周围的气氛维持为清洁的状态的液处理装置。液处理装置(16)用于对旋转的基板(W)供给处理液来进行液处理，包围构件(20、23、24)在比上述杯体(50)靠外侧的位置将包括包围旋转的基板(W)并在上方设有开口的杯...

具有加热基板并将该基板暴露于氧等离子体中的工序和循环处理工序，在该循环处理工序中，将基板暴露于氟化氢气体和醇类气体的混合气体的气氛中，并且重复如下两个阶段：将混合气体的全压设为第1全压或将醇类气体的分压设为醇类气体的第1分压的第1阶段，...

本实施方式的等离子体处理方法，首先实施对等离子体处理空间供给第一含氟气体，使用第一含氟气体的等离子体对被处理基板进行蚀刻的蚀刻工序(S101)。接着，等离子体处理方法实施对等离子体处理空间供给O2气体，使用O2气体的等离子体除去蚀刻工序...

本发明提供一种能够良好地进行设置在衬底的半导体器件的电特性检查的衬底检查装置的将衬底与探针卡抵接的方法。将晶片(W)隔着晶片板(37)载置在吸盘部件(22)后搬送至与探针卡(36)的位置，将搬送的晶片(W)与晶片板(37)一起利用升降装...

本发明提供一种使衬底与衬底检查装置的探针卡抵接的使衬底与探针卡抵接的衬底抵接装置，其能够良好地对设置在衬底上的半导体器件进行电特性检查。使衬底与探针卡抵接的衬底抵接装置包括：将晶片(W)与晶片板(24)一起搬送到与探针卡(19)相对的位...

烘焙处理系统(100)包括：真空烘焙装置(VB)1)，其用于以大气压以下的压力对利用外部的喷墨打印装置(IJ)200)形成于基板(S)上的有机材料膜进行焙烧；输送装置(11)，其用于将基板(S)向真空烘焙装置(VB)1)输送；输送室(T...

本发明提供一种抑制处理块的设置面积并且抑制装置的工作效率降低的技术。构成具备模式选择部的涂覆显影装置，上述模式选择部用于在由检查模块进行的检查中检查出基板异常时，基于存储在存储部的数据，从模式M1和M2中选择后续的基板的搬送模式。上述模...

本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在实施方式的一个例子中，包括利用由含氢气体形成的等离子体对形成为规定图案的光致抗蚀剂的表面进行等离子体处理的等离子体处理步骤。另外，等离子体蚀刻方法，在实施方式的一个例子中，包括以被等离子体处理后的光致抗...

本发明提供能够进行高效率的半导体器件的电特性的检查的衬底检查装置。探针器(10)包括具有与形成在晶片(W)上的半导体器件的各电极接触的多个探针(17)的探针卡(15)；和与该探针卡(15)电连接的测试盒(14)，探针卡(15)的卡侧检查...

本发明提供一种氧化硅膜的制造方法。在该方法中，将在表面具有金属膜的基板设置在反应容器内，在设置了所述基板之后，利用氢气供给部件开始向所述反应容器内供给氢气。在供给氢气之后，利用氧化气体供给部件开始向所述反应容器内供给氧化气体，并且利用含...

本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法，该基板处理装置通过执行多次将在容器内相互发生反应的至少两种反应气体依次供给到基板的表面的供给循环，从而在所述基板上形成含有反应产物的膜。该基板处理装置包括：旋转台，其设于所述容器内，并形成有用于...

提供能够以高蚀刻速率形成深径比高的形状的等离子体处理方法，该方法包括：蚀刻工序，将含有SF6、ClF3和F2中的至少一种的第一气体供给到处理容器内，生成第一气体的等离子体来对被处理体的被蚀刻层进行蚀刻；第一成膜工序，将含有碳氢化合物、碳...

本发明提供一种硅氧化膜的制造方法，该硅氧化膜的制造方法使用成膜装置，该成膜装置包括：旋转台；第1气体供给部，其在第1处理区域中朝向旋转台的上表面供给第1气体；以及第2气体供给部，其在第2处理区域中朝向旋转台的上表面供给第2气体。在该制造...

等离子体处理装置(1)包括处理容器(2)和具有多个微波导入组件(61)的微波导入装置(5)。向多个微波导入组件(61)中的每个导入微波，基于该微波和从处理容器(2)反射至多个微波导入组件(61)的反射微波，求取多个微波导入组件(61)的...

在步骤1的升压步骤中，利用PCV(54)对原料容器(60)内供给运载气体，使原料容器(60)内上升至第一压力P1。在步骤2的降压步骤中，使排气装置(35)工作，从原料气体供给管(71)经由排气旁通管(75)将原料气体废弃，使原料容器(6...

本发明提供能够提高生产率的基板处理方法和基板处理装置。一技术方案的基板处理方法包括以下工序：处理液供给工序，在该处理液供给工序中，对进行了在处理后需要气氛管理或时间管理的前处理的基板供给含有挥发成分的、用于在基板上形成膜的处理液；以及收...

本发明提供半导体器件的制造方法，其维持被蚀刻层相对于掩模的蚀刻的选择比且抑制形成于被蚀刻层的空间的方向变化。在半导体器件的制造方法(MT)中，包括：(a)将含有氟碳化合物气体、氟代烃气体和氧气的第一气体供给到处理容器(12)内，激发该第...

本发明提供一种能够实现轻量化且廉价的测定装置、基板处理系统和测定方法。实施方式的一个方式所涉及的测定装置包括搬送部、拍摄部和测定部。搬送部搬送形成有图案的基板。拍摄部配置于搬送部的上方，对载置于搬送部上的基板的图案进行拍摄。另外，测定部...