处理液供给装置和处理液供给方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供在自喷出嘴(7)喷出作为处理液的抗蚀液(L)时能够抑制生产率的降低并能够使用一个过滤器(52)来谋求该抗蚀液L的清洁化的处理液供给装置和处理液供给方法。在供抗蚀液(L)流通的供给管路(51)上设置过滤器(52)和泵(70)或泵(111、112)。并且，使通过过滤器(52)后的抗蚀液(L)的一部分自喷出嘴(7)喷出并使余下的抗蚀液(L)返回到过滤器(52)的初级侧，在进行后续的喷出动作时，使该余下的抗蚀液(L)再次通过过滤器(52)。在这样的动作序列中，返回到过滤器(52)的初级侧的抗蚀液(L)的返回量设定为与自喷出嘴(7)喷出的抗蚀液(L)的供给量相同或多于该供给量。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供在自喷出嘴(7)喷出作为处理液的抗蚀液(L)时能够抑制生产率的降低并能够使用一个过滤器(52)来谋求该抗蚀液L的清洁化的。在供抗蚀液(L)流通的供给管路(51)上设置过滤器(52)和泵(70)或泵(111、112)。并且，使通过过滤器(52)后的抗蚀液(L)的一部分自喷出嘴(7)喷出并使余下的抗蚀液(L)返回到过滤器(52)的初级侧，在进行后续的喷出动作时，使该余下的抗蚀液(L)再次通过过滤器(52)。在这样的动作序列中，返回到过滤器(52)的初级侧的抗蚀液(L)的返回量设定为与自喷出嘴(7)喷出的抗蚀液(L)的供给量相同或多于该供给量。【专利说明】
本专利技术涉及向例如半导体晶圆、LCD用玻璃基板等被处理基板的表面供给处理液 的。
技术介绍
通常，在制造半导体器件的光刻技术中，在半导体晶圆、Fro基板等（以下称作晶 圆等）上涂敷光致抗蚀剂，将由此形成的抗蚀膜与规定的电路图案相对应地曝光并对该曝 光图案进行显影处理，从而在抗蚀膜上形成电路图案。 在这样的光刻工序中，在向晶圆等供给的抗蚀剂液、显影液等处理液中，由于各种 原因而有可能混入氮气等的气泡、微粒（异物），当将混有气泡、微粒的处理液供给到晶圆 等时，有可能产生涂敷不均、缺陷。因此，在用于将处理液向晶圆等涂敷的液处理装置中设 有用于通过过滤来将混入到处理液中的气泡、微粒去除的过滤器。 作为用于使混入到处理液中的气泡、微粒的过滤效率提高的装置，公知有处理液 处置装置，该处理液处置装置设有多个过滤器，并将通过了上述过滤器后的处理液向晶圆 等供给。然而，在设有多个过滤器的情况下，会使液处理装置大型化并需要大幅度的变更。 以往，公知有循环过滤式的药液供给系统，该循环过滤式的药液供给系统包括：第 1容器和第2容器，该第1容器和第2容器用于贮存药液（处理液）；第1泵，其设于将第1 容器和第2容器连接起来的第1配管，用于使贮存在第1容器内的药液流向第2容器；第1 过滤器，其设于第1配管；第2配管，其用于将第1容器和第2容器连接起来；以及第2泵， 其设于第2配管，用于使贮存在第2容器内的药液流向上述第1容器（参照专利文献1)。 另外，作为设有一个过滤器的循环过滤式的另一液处理装置，公知有光致抗蚀剂 涂敷液供给装置，该光致抗蚀剂涂敷液供给装置包括：光致抗蚀剂涂敷液（处理液）的缓冲 容器；循环过滤装置，其在自缓冲容器抽取光致抗蚀剂涂敷液的一部分并利用过滤器将该 一部分的光致抗蚀剂涂敷液过滤后使该一部分的光致抗蚀剂涂敷液返回到缓冲容器；以及 配管，其用于将光致抗蚀剂涂敷液自缓冲容器或循环装置向光致抗蚀剂涂敷装置输送（参 照专利文献2)。在专利文献3中，列举出在过滤器的初级侧和次级侧分别配置有泵的结构。 专利文献1 :日本特开2011 - 238666号公报（权利要求书和图7) 专利文献2 :国际公开2006/057345号公报（权利要求书和图4) 专利文献3 :日本特开2001 - 77015号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问是页 在专利文献1和专利文献2所记载的液处理装置中，使由过滤器过滤后的药液 (处理液）返回到第1容器（缓冲容器），将返回到第1容器内的药液向晶圆喷出。因此， 为了谋求提高药液的过滤效率，需要将返回到第1容器内的药液以多次循环的方式多次过 滤。 本专利技术是考虑到上述情况而做成的，其目的在于，提供一种能够抑制生产率的降 低并能够使用一个过滤器来谋求处理液的清洁化的技术。 用于解决问题的方案 本专利技术提供一种处理液供给装置，其特征在于，该处理液供给装置包括：处理液供 给源，其用于供给用于处理被处理体的处理液；喷出部，其经由供给路径与上述处理液供给 源相连接，用于向被处理体喷出上述处理液；过滤器装置，其设置在上述供给路径上，用于 去除处理液中的异物；泵，其设置在上述供给路径上；以及控制部，其输出控制信号而执行 如下步骤：利用上述泵的吸入来将自上述过滤器装置的初级侧经由该过滤器装置而通到次 级侧后的处理液的一部分自上述喷出部喷出的步骤；使通到上述次级侧后的处理液中的、 除了上述处理液的一部分之外的余下的处理液返回到上述过滤器装置的初级侧的步骤；以 及利用上述泵使返回到上述过滤器装置的初级侧的处理液连同自上述处理液供给源补充 的处理液一起自过滤器装置的初级侧经由该过滤器装置而通到次级侧的步骤，返回到上述 过滤器装置的处理液的返回量设定为自上述喷出部喷出的处理液的喷出量以上。 上述处理液供给装置的具体形态也可以如下那样构成。 自上述处理液供给源补充的处理液的补充量是与自上述喷出部喷出出的处理液 的喷出量相当的量。 该处理液供给装置包括返回流路，该返回流路具有设于上述过滤器装置的外侧的 流路，上述余下的处理液经由上述返回流路返回到上述过滤器装置的初级侧。 用于捕集并排出气泡的捕集贮液部设于上述过滤器装置的次级侧，上述捕集贮液 部夹设于上述返回流路的中途。 上述返回流路有以下流路构成：第1返回流路，其将上述泵的喷出侧与上述过滤 器装置的初级侧连接起来；上述过滤器装置内的流路；以及第2返回流路，其将上述过滤器 装置的次级侧与该过滤器装置的初级侧连接起来，上述控制部输出控制信号而使上述余下 的处理液经由上述第1返回流路、过滤器装置以及第2返回流路返回到上述过滤器装置的 初级侧。 该处理液供给装置包括：相当于上述泵的喷出泵，其设于上述供给路径的位于过 滤器装置的次级侧的部分；以及供给泵，其设于上述供给路径的位于过滤器装置的初级侧 的部分，上述控制部输出控制信号，从而使用上述喷出泵和供给泵使上述余下的处理液返 回到上述过滤器装置的初级侧并向上述供给泵补充来自上述处理液供给源的处理液。 该处理液供给装置包括返回流路，该返回流路具有设于上述过滤器装置的外侧的 流路，上述余下的处理液经由上述返回流路返回到上述供给泵的吸入侧。 上述返回流路由以下流路构成：第3返回流路，其自上述喷出泵的喷出侧起延伸 到上述供给泵的喷出侧与过滤器装置的初级侧之间；上述过滤器装置内的流路；以及第4 返回流路，其自上述过滤器装置的次级侧与上述喷出泵的吸入侧之间起延伸到上述供给泵 的吸入侧，上述控制部输出控制信号而使上述余下的处理液经由上述第3返回流路、过滤 器装置以及上述第4返回流路返回到供给泵的吸入侧。 本专利技术提供一种处理液供给方法，其用于将用于处理被处理体的处理液在通过用 于去除异物的过滤器装置之后向被处理体供给，其特征在于，该处理液供给方法包括以下 工序：利用设置在上述供给路径上的泵的吸入来将自上述过滤器装置的初级侧经由该过滤 器装置而通到次级侧后的处理液的一部分自上述喷出部喷出的工序；使通到上述次级侧后 的处理液中的、除了上述处理液的一部分之外的余下的处理液返回到上述过滤器装置的初 级侧的工序；以及利用上述泵使返回到上述过滤器装置的初级侧的处理液连同自上述处理 液供给源补充的处理液一起自过滤器装置的初级侧经由该过滤器装置而通到次级侧的工 序，返回到上述过滤器装置的处理液的返回量设定为自上述喷出部喷出的处理液的喷出量 以上。 专利技术的效果 在本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理液供给装置，其特征在于，该处理液供给装置包括：处理液供给源，其用于供给用于处理被处理体的处理液；喷出部，其经由供给路径与上述处理液供给源相连接，用于向被处理体喷出上述处理液；过滤器装置，其设置在上述供给路径上，用于去除处理液中的异物；泵，其设置在上述供给路径上；以及控制部，其输出控制信号而执行如下步骤：利用上述泵的吸入来将自上述过滤器装置的初级侧经由该过滤器装置而通到次级侧后的处理液的一部分自上述喷出部喷出的步骤；使通到上述次级侧后的处理液中的、除了上述处理液的一部分之外的余下的处理液返回到上述过滤器装置的初级侧的步骤；以及利用上述泵使返回到上述过滤器装置的初级侧的处理液连同自上述处理液供给源补充的处理液一起自过滤器装置的初级侧经由该过滤器装置而通到次级侧的步骤，返回到上述过滤器装置的处理液的返回量设定为自上述喷出部喷出的处理液的喷出量以上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高栁康治，吉原孝介，寺下裕一，古庄智伸，佐佐卓志，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP