本发明提供一种探测装置，该探测装置在按晶片等级进行半导体器件的电特性检查时能够简便且有效地防止在晶片表面附近产生火花(放电)。该探测装置中，火花防止机构(50)包括：在探测卡(16)和载置台(12)之间包围探针(26S、26G)的周围的...

本发明提供一种能够形成对多层膜进行蚀刻时使用的掩模的等离子体蚀刻方法。等离子体蚀刻方法为对掺杂有硼的无定形碳进行蚀刻的方法，该方法使用氯气和氧气的混合气体的等离子体，并使载置台(3)的温度为100℃以上。

本发明提供基板处理装置。该基板处理装置具有：用于容纳基板的容纳室；配置在该容纳室内、用于载置基板的下部电极；与该下部电极相对配置的上部电极；与下部电极相连接的高频电源；上部电极与下部电极之间的处理空间；与上部电极电连接的接地构件，上部电...

本发明提供一种能够抑制由等离子体导致的金属窗的溅射削落并且能够进行等离子体的强度的分布调整的感应耦合型的等离子体处理装置。该对基板(G)进行等离子体处理的等离子体处理装置(100)包括：在等离子体生成区域内产生感应耦合等离子体的高频天线...

本发明提供一种能够进一步改善表面粗糙度的精度、且能够应对接触孔、线等的微细化的进展的非晶体硅膜的成膜方法。在处理室内连续进行下述工序：将基板1收容在处理室内的工序；对处理室内的基板进行加热的工序；对处理室内进行排气，调整压力的工序；在氨...

本发明提供一种通过服务器和能够与该服务器通信的移动终端来监视配设在工厂内的制造设备的制造设备的监视装置，在移动终端的拍摄元件朝向制造设备时，基于通过位置信息获取单元获取到的位置信息、通过方向检测单元检测到的方向信息、拍摄元件的视角以及布...

本发明提供一种非晶体硅膜的成膜方法和成膜装置。该成膜方法包括如下工序：对基底进行加热，使氨基硅烷系气体流经加热后的基底，在基底的表面形成晶种层；对基底进行加热，向加热后的基底的表面的晶种层供给不含氨基的硅烷系气体，使不含氨基的硅烷系气体...

本发明提供多层保护膜的形成方法和多层保护膜的形成装置。该多层保护膜的形成方法能够不必进行脱氢工序。在形成与由IGZO构成的信道(32)接触的、并且具有氮化硅膜(31a、35b)和氧化硅膜(31b、35a)的栅保护膜(31)、钝化层(35...

本发明涉及等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置。课题在于改善槽的形状。等离子体蚀刻方法包括：第1工序、第2工序和第3工序。第1工序对在掩膜上形成的具有规定的图案的光致抗蚀膜进行等离子体处理。第2工序沿着被等离子体处理的光致抗蚀膜的图案用等...

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。在一种使用传热气体进行基板的温度控制的工艺中，维持基板面内的处理的均匀性。基板处理方法包括：将处理容器内调节为成为真空状态的压力P0的步骤；在利用升降销(85)使基板S从载置台(5)的上表面离开...

设置于流过从在被处理体(W)的表面形成薄膜的成膜装置主体(4)排出的排气的排气通路(60)的途中并且通过将排气中所含有的捕集对象气体冷却液化后进行回收的捕集机构(10)，包括：具有气体入口(72A)和气体出口(72B)的壳体(72)；将...

本发明的干燥装置和干燥处理方法在短时间内高效率地去除在对基板上的有机材料膜进行干燥的干燥装置的处理容器内残留的溶剂。干燥装置(100)具备能够进行抽真空的处理容器(1)、在处理容器(1)内支承基板(S)的作为支承构件的载置台(3)、向处...

本发明提供一种气体处理装置，其用于向被处理体供给气体来对被处理体进行处理，其特征在于，其包括：气密的处理容器；通孔；喷射器；套筒，其在通孔内嵌合于喷射器的外周面；环状的密封构件，其在通孔内位于比套筒靠处理容器的外侧的位置，并嵌合于喷射器...

本发明提供基板清洗装置、基板清洗方法。一边使基板旋转一边向基板的中心部依次喷射清洗液和气体，在使喷射清洗液和气体的喷嘴朝向基板的周缘侧移动之后，切换至设定在自第1清洗液喷嘴的移动轨迹偏离的位置上的第2清洗液喷嘴来喷射清洗液，一边喷射清洗...

包括：在将被处理基体搬入处理容器内之前，对在该处理容器内静电吸附被处理基体的静电卡盘施加电压的工序；和在对静电卡盘施加电压的工序之后，向处理容器内搬入被处理基体的工序。另外，在对静电卡盘施加电压的工序中，对静电卡盘施加电压，使以包围静电...

提供能够使等离子体在处理空间中更均匀地分布的气体供给装置。从处理气体供给源和附加气体供给源向处理空间(S)供给处理气体和附加气体的喷头(13)(气体供给装置)包括：多个气体分配板(28～31)、冷却板(32)和盖板(33)，将气体分配板...

本发明提供一种能旋转状态检测装置和方法、以及使用该装置的基板处理装置和使用该方法的基板处理方法。一种能旋转状态检测装置，其用于对成为如下状态的情况进行检测：基板(W)被载置到形成在设置于腔室内的旋转台的表面上的基板载置用的凹部上，即使使...

本发明提供一种能够应对被处理基板的大型化地改善向处理室内的气体供给的均匀性，另外能够精度良好且容易制造的维护性也良好的气体供给头、气体供给机构和基板处理装置。该气体供给机构具备具有载置基板(G)的载置台(4)的基板处理装置(1)，包括气...

本发明提供用于监视对被处理基板实施规定处理的基板处理装置的故障的基板处理装置的故障监视系统，所述基板处理装置的故障监视系统具备：警报收集单元，其收集由所述基板处理装置发出了的警报；和解析单元，其解析通过所述警报收集单元收集到的警报，并且...

本发明提供一种基板脱离检测装置和方法、以及使用该装置的基板处理装置和使用该方法的基板处理方法。一种基板脱离检测装置，其用于基板处理装置，该基板处理装置在基板被载置到基板载置用的凹部上的状态下使旋转台连续旋转，来进行上述基板的处理，该基板...