东京毅力科创株式会社专利技术

东京毅力科创株式会社共有7373项专利

  • 基板处理装置及成膜方法
    本发明提供一种基板处理装置及成膜方法。在旋转台(2)下方侧的与改性区域(S1)相对的位置配置偏压电极(120),并在改性区域(S1)的上方侧配置法拉第屏蔽件(95),使上述偏压电极(120)与法拉第屏蔽件(95)电容耦合而在上述改性区域...
  • 一种用于形成半导体器件的方法,包括:在处理室中在衬底上提供含金属栅电极膜;向处理室中流入由氢气(H2)和任选的稀有气体组成的处理气体;通过微波等离子体源由处理气体形成等离子体激发物质;以及将含金属栅电极膜暴露于等离子体激发物质以形成改性...
  • 基板处理装置和载置台
    本发明提供一种基板处理装置,提高载置台的温度响应性。该基板处理装置包括:腔室;设置于上述腔室内,用于载置基板的载置台;施加高频电力的高频电源;和对上述腔室内供给所期望的气体的气体供给源,上述载置台包括:形成有流通冷媒的流路的第一陶瓷基材...
  • 本发明提供一种等离子体处理装置(10),其特征在于,包括:能够减压的处理容器(12);兼作在处理容器内载置晶片(W)的载置台(20)的下部电极;以与下部电极相对的方式配置的上部电极或天线电极;向处理容器内导入包含含卤气体和氧气的气体的气...
  • 多层膜的蚀刻方法
    本发明提供一种对在第1氧化膜与第2氧化膜之间设有有机膜的多层膜进行蚀刻的多层膜的蚀刻方法。在该方法中,对有机膜进行蚀刻的工序(b)中的等离子体生成用的高频电力大于对第1氧化膜进行蚀刻的工序(a)和对第2氧化膜进行蚀刻的工序(c)中的高频...
  • 本发明提供一种等离子体处理装置,其将从至少两个高频电源分别向上部电极和/或下部电极供给与等离子体相关的高频电力,可靠地检测反射波的变动,将异常放电发生防患于未然。阈值设定部(123)在来自第二高频电源部(75)的高频的供给稳定后,在时刻...
  • 硅膜的形成方法及其形成装置
    本发明提供硅膜的形成方法及其形成装置。在表面形成有槽的被处理体的槽中形成硅膜的硅膜形成方法中,该硅膜的形成方法包括以下工序:第1成膜工序,以填充被处理体的槽的方式形成含有杂质的第1硅膜;掺杂工序,对在上述第1成膜工序中形成的上述第1硅膜...
  • 硅氧化物膜的成膜方法
    本发明涉及硅氧化物膜的成膜方法。该方法具备:(1)在被处理体的作为被处理面的基底上形成硅膜的工序、和(2)将前述硅膜氧化而在前述基底上形成硅氧化物膜的工序;在前述(1)工序和前述(2)工序之间,具备:(3)在将前述硅膜氧化之前,将形成有...
  • 本发明提供能够提高与构件的温度相对应的膜厚的控制性的等离子体处理方法和等离子体处理装置。该等离子体处理方法包括成膜工序、等离子体处理工序以及去除工序。在成膜工序中,将配置在腔室的内部的第一构件的温度调整为低于其他构件的温度,并利用不含有...
  • 本发明提供一种温度控制系统(1),其中,该温度控制系统(1)包括:第1调温单元,其用于贮藏第1温度的液体;第2调温单元,其用于贮藏比第1温度高的第2温度的液体;低温流路(76),其供来自第1调温单元的流体流动;高温流路(77),其供来自...
  • 成膜方法和成膜装置
    本发明提供成膜方法和成膜装置。成膜方法包括以下步骤:输入步骤,使具有多个基板载置部的旋转台间歇性地旋转而将多个基板载置部依次配置于输入输出区域,将基板依次载置到基板载置部;成膜步骤,反复多次进行通过使旋转台旋转而使多个基板公转、并且将彼...
  • 基板收纳处理装置和基板收纳处理方法以及基板收纳处理用存储介质
    本发明提供一种具有收纳处理后的基板之后的盖的锁定的确认功能来实现处理后的基板的搬送的安全性的基板收纳处理装置和基板收纳处理方法以及基板收纳处理用存储介质。基于来自控制单元的控制信号,处理后的晶片W收纳在盒(10)内,并且在盒的开口部(1...
  • 等离子体处理容器和等离子体处理装置
    本发明提供一种等离子体处理容器和等离子体处理装置。在以电感耦合等离子体处理装置为首的等离子体处理装置中,抑制因热导致的盖部件的变形。在电感耦合等离子体处理装置(1)的主体容器(2A)和上部容器(2B)的连接部分,遍及全周配置有O形圈(5...
  • 硅膜的成膜方法以及成膜装置
    本发明提供一种硅膜的成膜方法以及成膜装置,所述成膜方法在基底上形成包含硅膜的膜,其具备:将该基底加热,在加热了的基底表面上供给氨基硅烷系气体,在基底表面上形成晶种层的工序;以及,将基底加热,在加热了的基底表面的晶种层上供给不含氨基的硅烷...
  • 晶种层的形成方法、硅膜的成膜方法以及成膜装置
    本发明提供一种晶种层的形成方法、硅膜的成膜方法以及成膜装置,所述晶种层的形成方法在基底上形成晶种层,所述晶种层成为薄膜的晶种,其具备下述工序:(1)将基底加热,在加热了的基底表面上供给氨基硅烷系气体,在基底表面上形成第一晶种层;以及(2...
  • 成膜方法
    本发明提供一种使用成膜装置的成膜方法。该成膜装置包括第1气体供给部、以及第2气体供给部以及能够载置多个基板的旋转台,其中,该成膜方法包括:第1工序,自第1气体供给部和第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转;第2工序,自第1气体供给部供...
  • 基板位置检测装置、基板处理装置和成膜装置
    本发明提供一种基板位置检测装置、基板处理装置和成膜装置。一种基板位置检测装置,其是自设置于基板处理用的腔室的上表面的窗对腔室内部的规定的拍摄对象进行拍摄、并能根据该规定的拍摄对象的图像检测出基板的位置的基板位置检测装置,其具有:摄像装置...
  • 本发明提供了多个等离子体调谐杆子系统。该等离子体调谐杆子系统可以包括一个或更多个微波腔,该微波腔被配置成通过在等离子体内和/或与等离子体邻近的一个或更多个等离子体调谐杆中产生谐振微波能量,来将期望的电磁(EM)波模式的EM能量耦合到等离...
  • 液处理装置和液处理方法
    本发明提供液处理装置和液处理方法。利用一个过滤器得到与设有多个过滤器时相同的过滤效率并谋求防止生产率降低。根据来自控制部(101)的控制信号,将抗蚀剂液(L)经由过滤器(52)吸入到泵(70)内,将被吸入到泵内的抗蚀剂液的一部分自喷射嘴...
  • 成膜方法
    本发明提供成膜方法。该成膜方法所使用的成膜装置包括:旋转台;第1处理区域;第2处理区域;以及分离区域。该成膜方法包括以下工序:第1工序:在自第1气体供给部和分离气体供给部供给分离气体、自第2气体供给部供给氧化气体的状态下,使旋转台旋转至...