本发明提供一种成膜方法。该成膜方法利用成膜装置在上述多个基板上形成含有第1元素及第2元素的掺杂氧化膜，该成膜方法包括以下工序：成膜工序，从上述第1气体供给部供给含有上述第1元素的第1反应气体，从上述第2气体供给部供给氧化气体，在上述基板...

本发明提供能够消减晶片检查装置的设置空间并且能够降低设置成本的晶片检查装置。本发明的晶片检查装置（10）具备：以一片一片地搬送晶片的方式在第一搬送区域（S2）设置的第一晶片搬送机构（12）；在第一搬送区域的端部的对准区域（S3）内，经由...

本发明提供一种在剥离被处理基板时难以产生因被处理基板的吸附现象导致的基板的破裂以及残留的电荷或剥离带电导致的元件的静电破坏的基板载置台和使用其的基板处理装置。该基板载置台包括：包括静电卡盘的载置台主体，该静电卡盘在具有载置基板的载置面的...

本发明提供一种堆积物去除方法，其是将在利用蚀刻而形成于基板之上的图案的表面上堆积的堆积物去除的堆积物去除方法，其中，该堆积物去除方法包括以下工序：第1处理工序，将基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中；氧等离子体处理工序，在第1处理工序之后，...

本发明要解决的技术问题是在主要利用APC阀进行处理容器内的压力调节的真空装置中，抑制急剧的压力变化。按照步骤S1～步骤S5的步骤，能够抑制处理容器（1）内的压力变化。在步骤S1中，EC（81）取得APC阀（55）的开度，在步骤S2中，利...

本发明提供能够使用金属窗对大型的被处理基板进行均匀的等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置。本发明的电感耦合等离子体处理装置对矩形的基板实施电感耦合等离子体处理，具备：收容基板的处理室；用于在处理室内的配置基板的区域生成电感耦合等离子体...

本发明提供等离子体处理装置和等离子体产生装置。该等离子体处理装置包括：真空容器；基板载置部，其设于上述真空容器内，用于载置基板；气体供给部，其用于向上述真空容器内供给等离子体产生用气体；天线，能向该天线供给高频电力而使自上述气体供给部供...

本发明能够避免相邻的蒸镀头彼此的蒸气的混入并且抑制排气效率的降低。本发明的成膜装置具备处理容器、搬运机构、多个蒸镀头、分隔壁和排气机构。处理容器区划出用于处理基板的处理室。搬运机构在处理室中，在沿着规定方向延伸的搬运路径上搬运基板。多个...

提供一种成膜方法，其在使用等离子体CVD法形成例如作为太阳能电池的发电层的硅膜时能够控制硅膜的结晶性，其组合第1工序（预混合）和第2工序（后混合），上述第1工序是预先混合氢气与单硅烷气体，使该混合气体等离子体化而在基板（S）上使硅膜（F...

本发明提供一种实现了在处理液供给路径上安装有新的过滤器部时为了从过滤器部除去气泡而消耗的处理液的削减和启动时间的缩短的技术。实施如下工序：将处理液充满在新的过滤器部内的工序；接着，为了从上述过滤器部除去气泡而使该过滤器部内成为作为负压气...

本发明涉及层叠膜的形成方法及其形成装置，该层叠膜的形成方法包括如下工序：在容纳于反应室内的多片被处理体上形成氧化硅膜的氧化硅膜形成工序、和向前述反应室内供给硅源、氮化剂和氧化剂、在前述多片被处理体上形成氮氧化硅膜的氮氧化硅膜形成工序；该...

本发明提供一种功率器件用的探针卡，能够显著地减小探针与测试器间的测定线路和载置台与测试器间的测定线路各自的电阻，在用作探针装置的实际设备时也能够充分地确保可靠性。本发明的探针卡（10）具备：与功率器件（D）的发射极电极电接触的第一探针（...

本发明提供一种染料吸附装置以及染料吸附方法。本发明改善使基板上的多孔质半导体层吸附染料的染料吸附处理的生产率以及染料使用效率。在本发明的染料吸附装置中，染料溶液滴下涂覆部（12）对搬入到该染料吸附装置（10）的未处理的基板（G）进行向基...

在抑制在被处理体的表面上形成的图案的塌陷或被处理体的表面的膜粗糙化等对被处理体造成的损伤的同时易于去除附着于被处理体的表面的微粒等附着物。作为前处理，向晶圆（W）供给氟化氢的蒸气而使晶圆（W）的表面的自然氧化膜（11）溶解，从而使附着于...

提供一种基板处理方法，能够防止产生弓形形状而在掩模层上形成良好的垂直加工形状的孔并且确保作为掩模层的残膜量。该基板处理方法将在处理对象层上层叠掩模层(52)和中间层(54)而得到的晶片W收容到腔室(11)内，使腔室(11)内产生处理气体...

本发明提供一种杂质扩散方法，该方法是使用虚设的被处理基板并且使杂质相对于被处理基板所具有的被扩散部位进行气相扩散的杂质扩散方法，其具备：将前述被处理基板及前述虚设的被处理基板载置于基板载置夹具的工序；将载置有前述被处理基板及前述虚设的被...

本发明提供成膜装置和成膜方法。一边使旋转台旋转，一边重复进行向晶圆供给处理气体而形成反应层的步骤和利用等离子体来对该反应层进行改性的步骤，从而形成薄膜。并且，在形成该薄膜之后，停止处理气体的供给，并使用加热灯将晶圆加热到比成膜温度高的温...

本发明提供基板清洗装置、基板清洗系统以及基板清洗方法。在抑制图案塌陷、基底膜的侵蚀的同时将附着于基板的微粒去除。实施方式的基板清洗装置包括第1液供给部和第2液供给部。第1液供给部用于向基板供给处理液，该处理液含有挥发成分，用于在基板上形...

本发明提供一种利用处理液对基板进行处理时能够减少更换处理液过滤用过滤器时的药液消耗量和能够缩短更换所需要的处理液供给装置的运转方法。处理液供给装置（10）包括流路部件、处理液供给源（12）、过滤处理液的能够更换的过滤器部（14）、和用于...