成膜装置和成膜方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供成膜装置和成膜方法。一边使旋转台旋转，一边重复进行向晶圆供给处理气体而形成反应层的步骤和利用等离子体来对该反应层进行改性的步骤，从而形成薄膜。并且，在形成该薄膜之后，停止处理气体的供给，并使用加热灯将晶圆加热到比成膜温度高的温度而进行薄膜的改性。

【技术实现步骤摘要】
成膜装置和成膜方法本申请基于2012年7月20日向日本国专利厅提出申请的日本专利申请2012－161817号主张优先权，在此引用日本专利申请2012－161817号的全部内容。
本专利技术涉及在基板上形成薄膜的成膜装置和成膜方法。
技术介绍
作为在半导体晶圆等基板（以下称作“晶圆”）上形成例如氧化硅膜（SiO2）等薄膜的方法，公知有例如使用了日本特开2011－40574所记载的装置的ALD（AtomicLayerDeposition：原子层沉积）法。在该装置中，使五张晶圆在旋转台上沿着周向排列，并将多个气体喷嘴配置在该旋转台的上方侧。而且，按顺序对正在公转的各个晶圆供给互相反应的多种反应气体而层叠反应生成物。另外，在周向上与气体喷嘴分开的位置设置用于进行等离子体改性的构件，通过对层叠于晶圆之上的各个反应生成物进行等离子体改性处理来谋求薄膜的致密化。然而，根据应用这样的氧化硅膜的器件的种类的不同，即使进行等离子体改性，有时也不能形成致密的程度满足所要求的规格的薄膜。具体而言，在晶圆的表面上形成有例如具有几十到超过一百的较大的深径比的孔、槽（沟槽）等凹部的情况下，该凹部的深度方向上的改性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜装置，其用于在真空容器内对基板进行成膜处理，其中，该成膜装置包括：旋转台，其用于使载置基板的基板载置区域公转；处理气体供给部，为了随着上述旋转台的旋转而在基板上依次层叠分子层或原子层以形成薄膜，该处理气体供给部在处理区域向基板供给处理气体；加热部，其用于将基板加热到形成薄膜的成膜温度；等离子体处理部，其在上述旋转台的旋转方向上与上述处理气体供给部分开地设置，用于利用使等离子体产生用气体等离子体化而生成的等离子体来对基板上的分子层或原子层进行改性；加热灯，其以与上述旋转台上的基板的通过区域相对的方式设于该旋转台的上方侧，用于向该基板照射基板的吸收波长区域的光而将基板加热到比上述成膜温度高...

【技术特征摘要】
2012.07.20 JP 2012-1618171.一种成膜装置，其用于在真空容器内对基板进行成膜处理，其中，该成膜装置包括：旋转台，其用于使载置基板的基板载置区域公转；第1处理气体供给部，为了随着上述旋转台的旋转而在基板上依次层叠分子层或原子层以形成吸附层，该第1处理气体供给部在处理区域向基板供给处理气体；第2处理气体供给部，其在上述旋转台的旋转方向上与上述第1处理气体供给部分开地设置，用于向上述基板载置区域供给与自上述第1处理气体供给部供给的处理气体发生反应的气体，以与上述吸附层反应而形成反应层；加热部，其用于将基板加热到形成薄膜的成膜温度；等离子体处理部，其在上述旋转台的旋转方向上与上述第1处理气体供给部和上述第2处理气体供给部分开地设置，用于利用使等离子体产生用气体等离子体化而生成的等离子体来对上述反应层进行改性；加热灯，其以与上述旋转台上的基板的通过区域相对的方式设于该旋转台的上方侧，用于向该基板照射基板的吸收波长区域的光而将基板加热到比上述成膜温度高的温度；以及控制部，其用于输出控制信号，以重复进行通过上述旋转台的旋转来形成上述吸附层的步骤、形成上述反应层的步骤和利用等离子体来对上述反应层进行改性的步骤，从而形成薄膜，之后，停止处理气体的供给，利用上述加热灯来加热基板，从而对上述薄膜进行改性。2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，上述加热部设于上述旋转台的下方侧。3.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，基板的在利用上述加热灯来对薄膜进行改性时的温度为处理气体发生热分解的温度以上的温度。4.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，该成膜装置还包括：分离气体供给部，为了将被自上述第1处理气体供给部和上述第2处理气体供给部分别供给气体的处理区域彼此分离，该分离气体供给部用于向设于上述处理区域彼此之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤寿，三浦繁博，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：