成膜装置的运转方法及成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供成膜装置的运转方法和成膜装置。该方法用于运转成膜装置，该成膜装置用于多次重复依次向基板供给相互不同的处理气体的循环来层叠反应产物的层而获得薄膜，该成膜装置包括：真空容器；旋转台；第1处理气体供给部；第2处理气体供给部；分离区域；第1真空排气口，其用于主要排出上述第1处理气体；第2真空排气口，用于主要排出上述第2处理气体；以及清洁气体供给部，其供给用于对上述旋转台进行清洁的清洁气体；其中，该成膜装置的运转方法包括清洁工序，在该清洁工序中，使自上述第1真空排气口进行的排气停止，一边从上述第2真空排气口进行真空排气，一边从上述清洁气体供给部向真空容器内供给清洁气体。

【技术实现步骤摘要】
成膜装置的运转方法及成膜装置本专利技术基于2012年7月6日提出申请的日本特许出愿第2012－152659号要求优先权，将该日本申请的内容全部作为参照文献引入于此。
本专利技术涉及成膜装置的运转方法及成膜装置。
技术介绍
作为半导体制造工序中的成膜技术之一，存在将相互发生反应的多种处理气体依次向半导体晶圆（以下称作晶圆）的表面供给并层叠反应产物的所谓的原子层沉积（ALD：AtomicLayerDeposition）法。作为实施ALD法的装置，公知有利用旋转台使配置在旋转台上的多个晶圆公转、并使晶圆依次在被供给各种处理气体的区域中通过的装置。在该装置中，为了避免在旋转台的旋转方向上在多个处理气体的供给区域之间发生各处理气体的混合（分离各处理气体）而设有被供给例如氮气等作为非活性气体的分离气体的分离区域。而且，在各个处理气体的供给区域的旋转台的旋转方向下游侧设有真空排气口，专用于将各个处理气体与分离气体一起真空排出。作为多个处理气体的一例，能够列举出向晶圆的表面吸附的原料气体和用于使上述原料气体氧化或氮化的气体。此外，若分离气体伴随着旋转台的旋转而流入到原料气体的供给区域，则成为原料气体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜装置的运转方法，该方法用于运转成膜装置，该成膜装置用于多次重复依次向基板供给相互不同的处理气体的循环来层叠反应产物的层而获得薄膜，该成膜装置包括：真空容器；旋转台，其配置在上述真空容器内，用于载置基板并使基板公转；第1处理气体供给部，其用于向基板供给第1处理气体；第2处理气体供给部，其以在上述旋转台的旋转方向上与上述第1处理气体供给部分开的方式设置，用于向基板供给第2处理气体；分离区域，其在成膜处理时的上述旋转台的旋转方向上设置在上述第1处理气体供给部与第2处理气体供给部之间，被供给用于使上述第1处理气体和上述第2处理气体分离的分离气体；第1真空排气口，其用于主要排出上述第1处理气体；...

【技术特征摘要】
2012.07.06 JP 2012-1526591.一种成膜装置的运转方法，该方法用于运转成膜装置，该成膜装置用于多次重复依次向基板供给相互不同的处理气体的循环来层叠反应产物的层而获得薄膜，该成膜装置包括：真空容器；旋转台，其配置在上述真空容器内，用于载置基板并使基板公转；第1处理气体供给部，其用于向基板供给第1处理气体；第2处理气体供给部，其以在上述旋转台的旋转方向上与上述第1处理气体供给部分开的方式设置，用于向基板供给第2处理气体；分离区域，其在成膜处理时的上述旋转台的旋转方向上设置在上述第1处理气体供给部与第2处理气体供给部之间，被供给用于使上述第1处理气体和上述第2处理气体分离的分离气体；第1真空排气口，其用于主要排出上述第1处理气体；第2真空排气口，其以在上述旋转台的旋转方向上与上述第1真空排气口分开的方式设置，用于主要排出上述第2处理气体；以及清洁气体供给部，其在成膜处理时的上述旋转台的第1旋转方向上位于靠近上述第1真空排气口的程度比靠近上述第2真空排气口的程度大的位置，供给用于对上述旋转台进行清洁的清洁气体，其中，该成膜装置的运转方法包括清洁工序，在该清洁工序中，使自上述第1真空排气口进行的排气停止，一边从上述第2真空排气口进行真空排气，一边从上述清洁气体供给部向真空容器内供给清洁气体。2.根据权利要求1所述的成膜装置的运转方法，其中，上述第1处理气体供给部包括：气体喷嘴，其在上述旋转台的周缘部与中央部之间延伸；以及整流板，其以能够使分离气体在其上表面侧流动的方式沿着该气体喷嘴的长度方向设置。3.根据权利要求2所述的成膜装置的运转方法，其中，在上述成膜装置中，上述分离区域包括：第1分离区域，其在成膜处理时的上述旋转台的第1旋转方向上设置在上述第1处理气体供给部的下游侧与第2处理气体供给部的上游侧之间；以及第2分离区域，其在上述第1旋转方向上设置在上述第2处理气体供给部的下游侧与第1处理气体供给部的上游侧之间，上述第1真空排气口设置在比上述第1处理气体供给部靠上述第1分离区域侧的位置，上述第2真空排气口设置在比上述第2处理气体供给部靠上述第2分离区域侧的位置，上述清洁气体供给部在上述第1旋转方向上设置在比上述第1处理气体供给部靠上游侧且比上述第2真空排气口靠下游侧的位置。4.根据权利要求3所述的成膜装置的运转方法，其中，上述成膜装置还包括：改性区域，其在上述第1旋转方向上设置在比上述第2处理气体供给部靠下游侧且比上述第2分离区域靠上游侧的位置，用于对上述基板上的反应产物进行改性；以及设置在上述第2处理气体供给部与上述改性区域之间、并用于与外部的基板输送机构之间交接基板的区域，上述清洁气体供给部在上述第1旋转方向上位于比上述改性区域靠下游侧的位置。5.根据权利要求3所述的成膜装置的运转方法，其中，使上述旋转台向与上述第1旋转方向相反的方向即...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤寿，三浦繁博，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：