加热装置及具有其的CVD设备的反应腔、CVD设备制造方法及图纸

技术编号:9662752 阅读:98 留言:0更新日期:2014-02-13 18:23
本发明专利技术提出一种加热装置,包括:加热组件阵列,加热组件阵列包括多个平行排列的加热组件;多个调功器,多个调功器中的一部分控制位于加热组件阵列中部的加热组件的功率,且另一部分控制位于加热组件阵列边缘的加热组件的功率;电源,用于为加热组件阵列和多个调功器供电;与多个调功器相连的控制器,以控制位于加热组件阵列边缘的加热组件的功率大于位于加热组件阵列中部的加热组件的功率。根据本发明专利技术实施例的加热装置具有加热温度可调且加热均匀的优点。本发明专利技术还提出了一种用于CVD设备的反应腔以及CVD设备。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提出一种加热装置,包括:加热组件阵列,加热组件阵列包括多个平行排列的加热组件;多个调功器,多个调功器中的一部分控制位于加热组件阵列中部的加热组件的功率,且另一部分控制位于加热组件阵列边缘的加热组件的功率;电源,用于为加热组件阵列和多个调功器供电;与多个调功器相连的控制器,以控制位于加热组件阵列边缘的加热组件的功率大于位于加热组件阵列中部的加热组件的功率。根据本专利技术实施例的加热装置具有加热温度可调且加热均匀的优点。本专利技术还提出了一种用于CVD设备的反应腔以及CVD设备。【专利说明】加热装置及具有其的CVD设备的反应腔、CVD设备
本专利技术涉及微电子
,特别涉及一种加热装置及具有其的CVD设备的反应腔、CVD设备。
技术介绍
等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)广泛应用于太阳能电池生产领域、半导体芯片制造以及TFT面板制造领域。在气相沉积的工艺过程中,需要对工艺腔内的载板及其上的晶片进行加热。目前,加热方式普遍采用红外辐射加热、加热器传导加热等形式。在红外辐射加热中,一般采用并排的红外灯管,通过大功率大面积的辐射加温,使载板在工艺周本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种加热装置,其特征在于,包括:加热组件阵列,所述加热组件阵列包括多个平行排列的加热组件;多个调功器,所述多个调功器中的一部分控制位于所述加热组件阵列中部的所述加热组件的功率,所述多个调功器中的另一部分控制位于所述加热组件阵列边缘的所述加热组件的功率;电源,用于为所述加热组件阵列和所述多个调功器供电;以及控制器,所述控制器与所述多个调功器相连,以控制位于所述加热组件阵列边缘的所述加热组件的功率大于位于所述加热组件阵列中部的所述加热组件的功率。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:魏晓
申请(专利权)人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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