【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种既不使石墨加热器的电阻值有大的下降，而挠曲以及翘曲等的变形又极少的高温强度高的石墨加热器。本专利技术的石墨加热器，为了达成上述目的，在两端有电气连接部或端子部，在与电流流动的长方向上的交叉的截面上呈凹形的沟部形成，其特征在于∶所述沟部沿着所述长方向连续形成，但是在该沟部与所述长方向交叉的方向上有至少一个梁部形成。【专利说明】石墨加热器
本专利技术涉及在CVD(化学的气相蒸镀法)等的处理被进行的半导体基板处理装置以及基板成长装置等中，以对所述半导体基板进行加热为目的使用的石墨加热器。
技术介绍
半导体基板的结晶性以及单结晶性的薄膜，一般说来，是通过用等离子以及紫外线激光等的CVD法，或使用电子束蒸发法以及MBE法，进一步使用磁控等的溅射法以及脉冲激光蒸镀法等的PVD法等，在单独的基板上或材料本身被作为基板而制作的。在这样的薄膜的制作时，制作条件中特别以温度条件最为重要，如不达到一定以上的基板温度，就不能使结晶性以及单结晶性的薄膜生长。特别是，Sic, GaN, ZnO等的将来型宽能隙半导体等，与具有1400°C左右的熔点的Si不...
【技术保护点】
本专利技术的石墨加热器，在两端有电气连接部，在电流流动的长方向上形成在与长交叉的截面上呈凹形的沟，其特征在于∶所述沟部沿着所述长方向连续形成，但是在与该沟部交叉的方向上有至少一个梁部形成。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：加藤公二，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。