本发明提供基板处理方法和基板处理装置，能够缩短在使用多种处理气体对基板连续地实施多个处理时所需要的时间。在具有腔室（11）和向该腔室导入处理气体的处理气体导入管路（12）的导入管（19）的基板处理装置（10）中，在对自上方以第1层、第2...

本发明提供不需要较大的设置空间的紧凑型的排气加热装置。排气加热装置（14）用于对含有自处理装置的处理容器排出的未反应的处理气体的排气进行加热，其包括：加热容器（20），用于加热排气；内部壁（22），将加热容器内划分为中央的第1气体流通空...

本发明提供一种在收纳于处理容器内的基板上形成氮化硅膜的氮化硅膜的成膜方法，对上述处理容器内供给包含硅烷类气体、氮气和氢气的处理气体，使上述处理气体激发而生成等离子体，实施利用该等离子体进行的等离子体处理而在基板上形成氮化硅膜。上述氮化硅...

描述了用于基于库的临界尺寸（CD）计量的精确神经网络训练的方法。还描述了用于基于库的临界尺寸（CD）计量的快速神经网络训练的方法。

本发明使处理液用流量计具有各种功能，从而使可用性良好。具体而言，本发明对在供给配管200中流动的处理液的流速进行测定，且包括：一对超音波振动器2、3，在所述供给配管200的流动方向上，隔开固定距离地配置；流速计算部4，基于第1到达时间T...

本发明提供一种基板处理方法，在处理对象基板的掩模膜或中间膜上形成满足半导体装置小型化要求的尺寸的用于对蚀刻对象膜进行转印的开口部。该基板处理方法具有开口宽度缩小步骤，在硅基材（50）上依次层叠有非晶碳膜（51）、SiON膜（52）、反射...

在塑料基板上涂布包含膜成分的涂布组合物而形成涂布膜，对该涂布膜照射电磁波而将涂布膜干燥和/或改性，形成膜。作为膜，可以举出导电体膜、半导体膜、电介质膜，在形成导电体膜时使用包含金属纳米颗粒的涂布组合物，在形成半导体膜时使用有机半导体材料...

本发明提供基板交接装置、基板交接方法和存储介质，能够抑制基板交接装置的高度。基板交接装置，对于形成于间隔壁的开口部，使形成于基板搬送容器的前表面的基板取出口从该间隔壁的一面一侧与所述开口部相对，从所述间隔壁的另一面一侧取下所述基板搬送容...

本发明提供基板处理装置和基板处理方法，在SPM处理中兼顾抗蚀剂膜的去除效率的提高和膜损耗的降低。基板处理方法包括以下工序：通过将加热后的硫酸和过氧化氢水混合而生成充分含有具有抗蚀剂膜剥离效果的卡罗酸的第1温度的SPM液；在生成上述第1温...

本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括：真空容器；旋转台，其设于上述真空容器内，在载置圆形的基板的同时进行旋转，其中，在该旋转台的表面设有直径大于上述基板的直径的圆形的凹部，在该凹部内设有圆形的基板载置部，该基板载置部的直径小于...

本发明提供液处理装置和液处理方法。通过处理液对基板进行处理时能够高精度地测量处理液的流量并监视处理液的喷射状态。液处理装置（10）包括处理液供给源（31）和流路构件且在流路构件上具有超声波流量计（40）和用于将处理液送出到喷嘴（50）的...

本发明提供一种电解液注入方法以及电解液注入装置，不混入空气、气泡并且也不混入水分地在电池(特别是锂离子电容器)的单元容器内注入非水系电解液。该电解液注入装置具备循环注液部(16)、吹扫部(18)、真空部(20)以及控制器(22)。循环注...

本发明提供一种等离子处理装置。用于同时对多张被处理体实施等离子处理的立式等离子处理装置具有用于使处理气体等离子化的活化机构。活化机构包括：等离子体生成箱，其为纵长形状，与处理区域相对应地安装在处理容器上、且用于封闭与处理区域气密地连通的...

本发明提供真空处理装置。成膜装置通过在真空容器内多次执行交替地供给第一反应气体和第二反应气体并排气的循环而在基板的表面将薄膜成膜，其具有：设置在真空容器内、各自包含基板的载置区域的多个下部件；与多个下部件分别对置地设置，在与载置区域之间...

本发明在于提供一种与现有技术相比能够实现资源节省、削减制造成本的探测装置和晶片搬送单元。探测装置为进行形成于半导体晶片的半导体器件的电检查的探测装置，具备：测定部，其使探针与载置于载置台上的上述半导体晶片的上述半导体器件接触而进行电测定...

本发明提供一种基板处理装置。其采用简单的配管结构，有效地进行基板的最外周的特性修正。其具备气体供给装置，气体供给装置具备：喷淋头、向喷淋头供给处理气体的处理气体供给部、流通来自处理气体供给部的处理气体的处理气体供给流路、从处理气体供给流...

本发明提供一种防止在基板上形成没有进行液处理的未处理区域的液处理装置。本发明的液处理装置（10）包括：基板保持部（21）；以及升降构件（50），其以相对于基板保持部升降自如的方式设置。基板保持部包括：保持基座（22）；以及第1卡合构件（...

本发明提供一种能够以低运行成本来防止基板的挠曲和破损的液处理装置。本发明的液处理装置（10）包括：基板保持部（21），其能旋转，用于与基板（W）分开地从下方水平保持基板（W）；以及旋转驱动部（25），其用于驱动基板保持部（21）而使基板...

本发明提供一种不使基板处理装置的结构复杂化就能够快速冷却处理室内零件的处理室内零件的冷却方法。在用于对基板（G）实施干蚀刻处理的基板处理装置（10）中，对配置于由能够互相分离的基部（11a）和盖部（11b）构成的腔室（11）内的载置台（...

本发明提供一种辅助曝光装置，在光刻法中实现显影处理后的抗蚀剂图案的膜厚或线宽的精度或面内均匀性的大幅度的提高。该辅助曝光装置（AE）（10）具有：水平搬送部（30），将基板（G）以固定的姿势在一水平方向上进行搬送；UV照射单元（32），...