本发明提供电力的利用效率和加热效率优异、能够对被处理体进行均匀的处理的微波加热处理装置和处理方法。在微波加热处理装置（1）中，在处理容器（2）的顶部（11），四个微波导入口（10）分别配置为以其长边和短边与四个侧壁部（12A、12B、1...

本发明提供一种微波加热处理装置和处理方法，该微波加热处理装置和处理方法，具有良好的电力的利用效率和加热效率，能够对被处理体进行均匀的处理。四个微波导入口（10）设置为，其全部远离晶片（W）的正上方，并且，其长边平行于侧壁部（12）的四个...

本发明提供一种碳氮氧化硅膜的形成方法，其是在基底之上形成碳氮氧化硅膜的碳氮氧化硅膜的形成方法，在基底之上层叠碳氮化硅膜和氮氧化硅膜来形成碳氮氧化硅膜。

本发明提供一种成膜方法，该成膜方法用于在形成有凹部的基板上形成膜，该膜由容易吸附于羟基的第1反应气体和能同该第1反应气体发生反应的第2反应气体这两者的反应生成物构成，该成膜方法包括：控制步骤，对羟基在上述基板的上述凹部的深度方向上的吸附...

本发明提供一种成膜方法，其是在成膜装置中进行的成膜方法，该成膜装置包括用于载置多个晶圆的旋转台；在旋转台的上方划分的第一反应气体供给区域、第二反应气体供给区域；以及用于分离第一反应气体供给区域和第二反应气体供给区域的分离区域，该成膜方法...

本发明提供一种成膜方法。该成膜方法包括以下步骤：将基板载置于以能够旋转的方式设置于真空容器内的旋转台的基板载置部；成膜步骤，通过使上述旋转台旋转而使载置于该旋转台的上述基板交替地暴露于含钛气体和与该含钛气体反应的含氮气体，从而在上述基板...

一种成膜装置，通过在真空容器内，多次执行交替地供给第一反应气体和第二反应气体并排气的循环，而在基板的表面将薄膜成膜，其特征在于，具有：设置在上述真空容器内、各自包含基板的载置区域的多个下部件；与上述多个下部件分别对置地设置，在与上述载置...

基板处理装置的控制部以进行包括以下步骤的处理的方式实施控制，所述步骤包括：在腔室内实施先行的第一加工工艺的步骤；在实施第一加工工艺之后实施后继的第二加工工艺的步骤；在第一加工工艺结束后直至第二加工工艺开始前的期间，基于所述第一加工工艺的...

本发明提供电感耦合等离子体用天线单元和电感耦合等离子体处理装置。对于设有将多个形成螺旋状的天线相邻设置而成的高频天线的等离子体处理装置，能确保良好的等离子体控制性。在天线单元（50）中，高频天线（13）包括：第1天线（13a），其呈螺旋...

本发明提供病毒检测装置及病毒检测方法，提供能够实时高精度地检测气体中的病毒的技术。在主配管（8）中按顺序设有粉尘去除部（1）、雾化部（4）、照射有激光的荧光测定部（5）、吸引泵（7），利用吸引泵（7）在主配管（8）内形成吸引流。另一方面...

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。该基板处理装置抑制不同的药液混合。基板处理装置（1）具有：基板保持部（21），其用于水平地保持晶圆（W）；旋转驱动部（24），其用于使基板保持部（21）旋转；第1药液喷嘴（73），其用于向晶圆（W）...

本发明提供一种晶片检查用接口，当进行形成在多个半导体元件的电特性检查时能够防止晶片弯曲。晶片检查用接口（18）包括：配置有多个探针（25）的探针卡（20）；保持该探针卡（20）的固定环（21）；夹着晶片（W）使其与探针卡（20）相对的吸...

本发明提供一种能够平面地配置且展开多个处理腔室，并且能够实现工作效率（每单位时间处理基板的枚数）提高的基板处理系统。在基板处理系统设置有将基板从装载模块（22）搬送至用于进行处理的第一处理腔室（23）的第一搬送单元（28）和设置于第一搬...

提供一种半导体装置的制造方法，其能够使孔形状为垂直来实现微细化，并且与现有技术相比能够减少工序，能够实现生产率的提高。该半导体装置的制造方法具备：在基板形成孔的孔形成工序；在上述孔内形成聚酰亚胺膜的聚酰亚胺膜形成工序；等离子体蚀刻工序，...

描述了确定结构的不对称性的方法。方法包括针对光栅结构，测量由光学散射测量获得的第一信号和不同的第二信号。然后确定所述第一信号与所述第二信号之间的差异。基于使用所述第一信号、所述第二信号和所述差异的计算来确定光栅结构的不对称结构参数。

本发明提供能够抑制蒸气产生部内部的压力上升和温度上升，能够进行精密的温度控制的成膜装置。对玻璃基板（G）进行成膜处理的成膜装置具有：収容玻璃基板（G）的处理室（5）；通过对成膜材料进行加热，产生该成膜材料的蒸气的蒸气产生部（1）；用于将...

提供一种水处理装置，能够通过分解被处理水中含有的有机物来减轻下游的过滤装置的载荷，而且能够避免配管等的腐蚀。水处理装置12具有：将含有有机物的被处理水15a加压至规定的压力的大口径流路22、小口径流路23及加压泵24；和向加压后的被处理...

本发明提供气化原料供给装置、基板处理装置及气化原料供给方法。气化原料供给装置能够提高载气中的液体原料的蒸气的饱和度。利用气化原料供给装置解决上述课题，气化原料供给装置包括：贮存罐，其用于贮存液体原料；第1温度控制部，其用于将贮存罐控制在...

一种导电膜的制造方法，包括：设为使包括纤维状导电性物质（2a）并具有流动性的材料（2）存在于基板（3）与表面形成有预定的凹凸形状（1a）的模子（1）之间的状态的工序；进行使材料（2）的流动性降低的处理的工序；以及从材料（2）剥离模子（1...

本发明涉及一种钨膜的成膜方法，形成与底层的密合性或电特性不会变差、电阻低的钨膜。在减压环境下对基板进行加热并且在基板的表面上形成钨膜时，隔着吹扫交替重复进行作为钨原料的WF6气体的供给、和作为还原气体的H2气体的供给，从而在基板的表面上...