成膜方法技术

本发明专利技术提供一种成膜方法。该成膜方法包括以下步骤：将基板载置于以能够旋转的方式设置于真空容器内的旋转台的基板载置部；成膜步骤，通过使上述旋转台旋转而使载置于该旋转台的上述基板交替地暴露于含钛气体和与该含钛气体反应的含氮气体，从而在上述基板上形成氮化钛膜；暴露步骤：使形成有上述氮化钛膜的上述基板暴露于上述含氮气体，反复进行上述成膜步骤和上述暴露步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种通过使基板依次地暴露于相互反应的至少两种反应气体而形成由反应生成物构成的膜的。
技术介绍
伴随着半导体存储器的高集成化，大多采用一种将金属氧化物等高电介质材料用作电介质层的电容器。这样的电容器的电极由具有较大的功函数的例如氮化钛(TiN)形成。形成TiN电极能够通过这样的方法进行:例如，如专利文献I所公开的那样，利用将例如氯化钛(TiCl4)和氨(NH3)用作原料气体的化学气相成膜(CVD)法，在高电介质层上形成TiN膜，并使其图案化。但是，从降低电容器的泄漏电流的方面考虑，能够在400°C以下的成膜温度下进行TiN膜的成膜。但是，若在例如300°C的成膜温度下形成TiN膜，则存在电阻率变高这样的问题。专利文献1:日本专利第4583764号
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述情况而做成的，其提供一种能够降低TiN的电阻率的。采用本专利技术的方式，能够提供一种，该包含以下步骤:将基板载置于以能够旋转的方式设置于真空容 器内的旋转台的基板载置部；成膜步骤，通过使上述旋转台旋转，使载置于该旋转台的上述基板交替地暴露于含钛气体和与该含钛气体反应的含氮气体，从而在上述基板上形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜方法，其包括如下步骤：成膜步骤：通过使具有基板载置部且以能够旋转的方式设置于真空容器内的旋转台旋转，使载置于该旋转台的上述基板载置部的基板交替地暴露于含钛气体和与该含钛气体反应的含氮气体，从而在上述基板上形成氮化钛膜；暴露步骤：使形成有上述氮化钛膜的上述基板暴露于上述含氮气体，通过反复进行上述成膜步骤和上述暴露步骤来形成所期望的膜厚的氮化钛膜。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：大下健太郎，小堆正人，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：