成膜方法技术

一种成膜方法，所述成膜方法在基板形成由含氟树脂构成的有机层，具有：蒸镀膜形成工序，形成所述有机层作为蒸镀膜；膜厚测定工序，测定所述蒸镀膜的膜厚；以及判断工序，根据所述膜厚的测定结果，判断用于反馈的参数，以便修改所述蒸镀膜形成工序的条件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】一种，所述在基板形成由含氟树脂构成的有机层，具有：蒸镀膜形成工序，形成所述有机层作为蒸镀膜；膜厚测定工序，测定所述蒸镀膜的膜厚；以及判断工序，根据所述膜厚的测定结果，判断用于反馈的参数，以便修改所述蒸镀膜形成工序的条件。【专利说明】
本专利技术涉及。 本申请基于2012年8月24日于日本申请的特愿2012-185443号主张优先权，在此援用其内容。
技术介绍
当前，在便携终端等各种终端中，多使用使人体直接接触面板表面进行操作的触控面板。由于人体直接接触面板表面，所以该触控面板的表面易于划出伤痕和沾上污垢，因此设置有防污层(有机层)。 作为防污层，大多使用氟系树脂。作为由氟系树脂构成的膜的形成方法，已知有真空蒸镀法(例如专利文件I)。 专利文件1:日本特开2010-106344号公报 根据专利文件1，能够通过真空蒸镀法，有效地形成膜质优异的膜。然而，该膜由于具有数nm这样极薄的膜厚，因此为了维持膜质，重要的是维持膜厚的均匀性。 所以，需要比规格的规定膜厚更厚地形成作为防污层的有机层之后再进行去除的工序。 另外，因此，作业时间会增加、工作量会增加的同时产生有机层材料的浪费，所以存在有欲削减这些制造成本的要求。 另外，一个批次处理多张时，每个批次的膜厚有可能产生偏差，存在有欲防止这种与膜特性的下降直接相关的膜厚偏差的要求。 另外，进行将形成的防污层(有机层)保持在恒温恒湿气氛中的恒温恒湿处理时，维持膜特性是比较容易的，但由于花费处理时间，因此存在有欲缩短其处理时间的要求。 但是，即使在这种情况下，也需要注意不使防污层与其下层之间的密合性因使用状态而下降。或者，需要注意不使滑动特性这种膜特性下降。
技术实现思路
有鉴于上述情况，本专利技术的实施方式欲达到以下目的。 1.削减有机层的去除工序，实现制造成本的削减。 2.实现将形成作为防污层的有机层的膜厚设为规定的范围。 3.即使在同时处理多张面板(基板)时，也抑制膜厚的偏差。 4.抑制批次间的膜厚偏差。 (I)为了达到上述目的，本专利技术的一实施方式的，所述在基板形成由含氟树脂构成的有机层，具有:蒸镀膜形成工序，形成所述有机层作为蒸镀膜；膜厚测定工序，测定所述蒸镀膜的膜厚；以及判断工序，根据所述膜厚的测定结果，判断用于反馈的参数，以便修改所述蒸镀膜形成工序的条件。 (2)在上述的中，可以在所述基板预先形成无机层。 (3)在上述的中，可以在形成所述有机层之前，将等离子体暴露于所述无机层。 (4)在上述的中，可以进一步包括:绝缘层形成工序，通过使用水蒸气作为反应性气体的反应性溅射，在所述基板上形成所述无机层。 (5)在上述的中，可以进一步具有:精加工处理工序，用于实现所述蒸镀膜的稳定化和固定化。 (6)在上述的中，可以在所述膜厚测定工序中，以光学方式测定所述膜厚。 (I)本专利技术的一实施方式的，所述在基板形成由含氟树脂构成的有机层，具有:蒸镀膜形成工序，形成所述有机层作为蒸镀膜；膜厚测定工序，测定所述蒸镀膜的膜厚；以及判断工序，根据所述膜厚的测定结果，判断用于反馈的参数，以便修改所述蒸镀膜形成工序的条件。 根据该方法，由于无需比规定值更厚地形成蒸镀膜的膜厚并在后工序中进行去除，因此能够减少原料使用量。另外，能够缩短处理时间。 (2)上述的，可以与在所述基板预先形成无机层相对应。 (3)在上述的中，可以在形成所述有机层之前，将等离子体暴露于所述无机层。 (4)上述的可以进一步包括:绝缘层形成工序，通过使用水蒸气作为反应性气体的反应性溅射，在所述基板上形成所述无机层。 本专利技术的一实施方式所涉及的，所述在由成膜在基板的无机物构成的无机层上形成由含氟树脂构成的有机层，具有:绝缘层形成工序，通过使用水蒸气作为反应性气体的反应性溅射，在所述基板上形成所述无机层；蒸镀膜形成工序，接下来在所述无机层上形成所述有机层作为蒸镀膜；膜厚测定工序，测定所述蒸镀膜的膜厚；以及判断工序，根据所述膜厚的测定结果，判断用于反馈的参数，以便修改所述蒸镀膜形成工序的条件。 根据该实施方式，由于无需比规定值更厚地形成蒸镀膜的膜厚并在后工序中进行去除，因此能够减少原料使用量。另外，能够缩短处理时间。 (5)本专利技术的一实施方式所涉及的进一步具有:精加工处理工序，用于实现所述蒸镀膜的稳定化和固定化。根据该方法，能够防止有机层的膜厚发生偏差。 此外，在精加工处理工序中，进行用于将蒸镀的有机材料与无机层牢固地结合的处理。在精加工处理工序中，通过水解(脱醇)反应、脱水缩合反应，形成了牢固的硅氧烷键(S1-O-Si)。硅氧烷键的形成例如能够通过FTIR光谱的观察来确认。 (6)本专利技术的一实施方式所涉及的，在所述膜厚测定工序中，以光学方式测定所述膜厚。根据该方法，不管是在成膜气氛还是在解除了密闭的状态下，都能够测定膜厚并进行反馈，以便修改蒸镀膜形成工序的条件。 根据本专利技术的实施方式，能够削减有机层的去除工序，实现制造成本的削减，将形成作为防污层的有机层的膜厚控制在规定的范围，即使同时处理多张面板(基板)时，也能够抑制膜厚的偏差，且能够抑制批次间的膜厚偏差。 【专利附图】【附图说明】 图1是表示由本专利技术的第一实施方式所涉及的得到的层压结构的示意性首1J视图。 图2是表示本专利技术的第一实施方式所涉及的的流程图。 图3是表示本专利技术的第一实施方式所涉及的成膜装置的概略结构的示意图。 图4是表示本专利技术的第一实施方式所涉及的防污层形成的示意图。 图5是表示由本专利技术的第二实施方式所涉及的得到的层压结构的示意性首1J视图。 图6是表示本专利技术的第三实施方式所涉及的成膜装置的概略结构的示意图。 【具体实施方式】 下面，基于附图对本专利技术的第一实施方式所涉及的进行说明。 图1是表示由本实施方式中的得到的层压结构的示意性剖视图，图中的符号I为层压结构。 本实施方式的层压结构I由透明基板2 (基板)、在透明基板2上成膜的无机层3、以及在无机层3上层压的防污层4(有机层)构成。 透明基板2保护在一面侧(与无机层3的相反侧)容纳的元件并构成触控面板。作为透明基板2的材料，例如可以举出透明树脂薄膜或玻璃等。透明基板2在本实施方式中由玻璃构成。此外，本实施方式中的透明基板2并不限定于透射率100%的材料，还包括所谓半透明的材料。 无机层3用于使防污层4与透明基板2的密合性提高。详细内容将在后面描述，但该无机层3由成膜时通过使用水蒸气的反应性溅射等形成。据此，提高了与防污层4的密合性。 通过将无机层3的表面暴露于等离子体的等离子体处理工序进行清洁从而能够设为刻蚀的状态。据此，能够相比以往提高与防污层4的密合性。 无机层3由无机材料形成。作为无机材料,可以举出选自S1、Al、Ta、Nb、T1、Zr、Sn, Zn,Mg和In中的至少一种金属的氧化物、氮氧化物、氮化物。 具体而言，无机材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、氧化钛、氧化镁、氧化铟、氧化锡、氧化锌、氧化钽、氧化铌、氧化锆等。可以单独使用这些的一种或者任意混合使用。 此外，在本实施方式中，无机层3由具有优选透射率的S12 (氧化硅)膜构成。 无本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜方法，所述成膜方法在基板形成由含氟树脂构成的有机层，其特征在于，具有：蒸镀膜形成工序，形成所述有机层作为蒸镀膜；膜厚测定工序，测定所述蒸镀膜的膜厚；以及判断工序，根据所述膜厚的测定结果，判断用于反馈的参数，以便修改所述蒸镀膜形成工序的条件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉田隆，松本昌弘，谷典明，池田进，久保昌司，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：日本;JP