成膜方法技术

本发明专利技术公开了对在表面暴露有使用铜的配线和绝缘膜的基板形成含锰膜的成膜方法。该成膜方法具备在使用铜的配线上，利用使用了锰化合物的CVD法形成含锰膜的工序(步骤2)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及形成膜的。
技术介绍
作为使用铜(Cu)的配线的罩膜，如日本特开2003-243392号公报所记载，研究了以使用铜的配线作为催化剂，通过无电解镀处理方法选择生长得到的导电性的钴-钨-磷 (CoffP)膜等。
技术实现思路
然而，由于CoWP膜以使用铜的配线作为催化剂，通过无电解镀处理方法成膜， CoWP膜在配线上各向同性地生长。因此，CoWP膜，特别是若膜厚变厚，则不仅在使用铜的配线上成膜，在层间绝缘膜上也成膜。另外，在铜的除去不完全、铜的残渣残留在层间绝缘膜上时，在残渣上也形成CoWP膜。这样，存在CoWP膜选择生长性不充分的情况。本专利技术是鉴于上述事实作出的，目的在于提供一种，该方法能够选择性地形成或不形成能够作为罩膜或阻挡膜使用的膜。本专利技术的一个实施方式的，其对在表面暴露出使用铜的配线和绝缘膜的基板形成含锰膜，该具备(1)在使用铜的配线上，利用使用了上述锰化合物的CVD 法形成上述含锰膜的工序。附图说明图1是表示本专利技术第1实施方式的的一个例子的流程图。图2A是表示基板的状态例的剖面图。图2B是表示基板的状态例的剖面图。图2C是表示基板的状态例的剖面图。图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：三好秀典，原正道，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：