一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置制造方法及图纸

一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其特征在于：包括一真空反应腔；一基片架，设于真空反应腔内，用以放置基片；一基片测温模块，设于基片架上，用以测量基片温度；一气体导入模块，与真空反应腔连接并与基片架相对，用以向真空反应腔内输送N2H4、N2和SiH4气体；一加热用催化器，设于真空反应腔内并位于气体导入模块与基片架之间，用以对输送入真空反应腔内的气体进行加热并加快各气体间的反应以形成SiN薄膜；以及一红外热温测仪，用以检测所述加热用催化器的温度。本发明专利技术结构简单，投入成本低，可大大降低企业在购买设备中产生的高昂成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置。
技术介绍
传统的在基片上形成SiN薄膜的装置，主要为磁控溅射镀膜设备，缺陷是设备投入成本高。故有必要提供一种结构简单，投入成本低的用以在基片上形成SiN薄膜的装置， 以满足需求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，结构简单，投入成本低。一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其特征在于包括一真空反应腔；一基片架，设于真空反应腔内，用以放置基片；—基片测温模块，设于基片架上，用以测量基片温度；一气体导入模块，与真空反应腔连接并与基片架相对，用以向真空反应腔内输送N2H4' N2 和 SiH4 气体；一加热用催化器，设于真空反应腔内并位于气体导入模块与基片架之间，用以对输送入真空反应腔内的气体进行加热并加快各气体间的反应以形成SiN薄膜；以及一红外热温测仪，用以检测所述加热用催化器的温度。本专利技术之一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其结构简单，投入成本低，可大大降低企业在购买设备中产生的高昂成本。本专利技术可通过如下方案进行改进上述所述基片测温模块为一热电偶，其可将检测到的代表基片温度的热电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其特征在于：包括一真空反应腔；一基片架，设于真空反应腔内，用以放置基片；一基片测温模块，设于基片架上，用以测量基片温度；一气体导入模块，与真空反应腔连接并与基片架相对，用以向真空反应腔内输送N2H4、N2和SiH4气体；一加热用催化器，设于真空反应腔内并位于气体导入模块与基片架之间，用以对输送入真空反应腔内的气体进行加热并加快各气体间的反应以形成SiN薄膜；以及一红外热温测仪，用以检测所述加热用催化器的温度。

【技术特征摘要】
1.一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其特征在于包括 一真空反应腔； 一基片架，设于真空反应腔内，用以放置基片； 一基片测温模块，设于基片架上，用以测量基片温度； 一气体导入模块，与真空反应腔连接并与基片架相対，用以向真空反应腔内输送n2h4、N2和SiH4气体； 一加热用催化器，设于真空反应腔内并位于气体导入模块与基片架之间，用以对输送入真空反应腔内的气体进行加热并加快各气体间的反应以形成SiN薄膜；以及 一红外热温测仪，用以检测所述加热用催化器的温度。2.根据权利要求I所述的ー种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其特征在于所述基片测温模块为ー热电偶，其可将检测到的代表基片温度的热电动势信号发送至外接的电气仪表，电气仪表依据该热电动势信号显不基片的温度值。3.根据权利要求I或2所述的ー种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其特征在于所述气体导入模块为...

【专利技术属性】
技术研发人员：粟婷，屈生双，屈宸远，
申请(专利权)人：中山市创科科研技术服务有限公司，
类型：发明
国别省市：