【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用氢化物气相外延生长InN薄膜或InxGal-xN合金薄膜材料生长方法。
技术介绍
太阳能源是最为洁净的可再生能源，研究如何利用太阳能是发展能源技术的重要课题，而太阳能光伏电池是利用太阳能最为简洁方便的手段之一。目前，太阳能光伏电池主要以多晶硅、单晶硅和非晶硅薄膜太阳能电池为主。In族氮化物中InxGal-xN合金材料的带隙连续可调，对应的光谱几乎完美覆盖整个太阳光谱，是实现高效率太阳能电池的理想材料体系。如果这一新材料体系被用来制备太阳电池，尤其是用来制备多节串联电池，只需要改变InxGal-xN合金材料中不同In和Ga金属的组分，即可以调节吸收不同波段的 光子，调节吸收窗口。这给予设计和生长串联电池极大的自由度，有利于达到最佳的吸收波段组合。理论计算表明，不同组分的InxGal-xN电池的节数做得足够多，理论上最大的转换效率可以达到85%。因此，III族氮化物太阳能电池极有可能成为第三代光伏技术的重要发展方向之一，需得到优先的研究和发展。在III族氣化物半导体材料中，氣化钢(InN)具有最小的电子有效质量、最闻的电子迁移率、最大的峰值和饱和...
【技术保护点】
制备InN基薄膜的方法，其特征是利用氢化物气相外延（HVPE）设备生长InN薄膜；蓝宝石或者GaN/蓝宝石复合衬底清洗后，放入HVPE生长系统中，开始生长InN薄膜；生长区温度：500？650℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量1？5slm；铟源采用高纯金属铟和高纯HCl反应生成氯化铟，金属源区温度700？900℃；HCl流量：1？20sccm，HCl的氮气载气流量10？1000sccm。高纯氨气作为氮源，NH3流量：50？500sccm；生长时间10？120分钟。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：修向前，华雪梅，谢自力，张荣，韩平，陆海，顾书林，施毅，郑有炓，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：
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