一种空穴型氮铟镓p-InxGa1-xN薄膜及其制备制造技术

一种空穴型氮铟镓p-InxGa1-xN薄膜，化学分子式为InxGa1-xN，式中x为0.3-0.8，导电类型为p型，即Mg掺杂空穴型，薄膜厚度为0.2-0.6?m；其制备方法是：首先在MOCVD沉积系统的进样室中，对衬底表面进行表面等离子体清洗，然后在MOCVD沉积系统的沉积室中，采用MOCVD工艺在衬底表面沉积一层Mg掺杂InxGa1-xN薄膜。本发明专利技术的优点是：该空穴型InxGa1-xN薄膜对应于太阳光谱具有几乎完美的匹配带隙，且其吸收系数高，载流子迁移率高、抗辐射能力强，为利用单一半导体材料来设计、制备更为高效的多结太阳电池提供了可能；其制备方法简单工艺简单易行，有利于大规模推广应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜太阳电池
，特别是涉及一种空穴型氮铟镓P-InxGahN薄膜及其制 备。
技术介绍
III族氮化物BN、AIN、GaN, InN(III-N)等及其多元合金化合物是性能优越的新型半导体材料(直接带隙半导体材料)，在太阳电池、声表面波器件、光电子器件、光电集成、高速和高频电子器件等方面得到重要应用，有着十分广阔的应用前景。随着近年来对InN的研究发展，尤其是InN的禁带宽度研究，为设计、制备新型高效太阳电池奠定了理论和实验基础2002年以前，InN的禁带宽度一直被认为是约I. 9eV,2002年以后(含2002年)，对InN禁带宽度的认识有了新的突破，认为是0.6 O. 7eV。因此，InxGa1J三元氮化物(GaN和InN的固溶体或混晶半导体)的禁带宽度覆盖的光子能范围很宽，为O. 6 3. 4eV (GaN的禁带宽度为3. 4eV)，可随其中In含量x的变化在该范围内按如下关系式连续变化足(滅^+这提供了对应于太阳光谱几乎完美的匹配带隙，从而也为利用单一三元合金体系的半导体材料来设计、制备更为高效的多结太阳电池提供了可能。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种空穴型氮铟镓p？InxGa1？xN薄膜，其特征在于：化学分子式为InxGa1？xN，式中x为0.3？0.8，导电类型为p型，即Mg掺杂空穴型；该空穴型氮铟镓p？InxGa1？xN薄膜沉积在衬底上，薄膜厚度为0.2？0.6μm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：薛玉明，宋殿友，潘宏刚，朱亚东，刘君，尹振超，辛治军，冯少君，张嘉伟，刘浩，尹富红，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：