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一种空穴型氮铟镓p-InxGa1-xN薄膜，化学分子式为InxGa1-xN，式中x为0.3-0.8，导电类型为p型，即Mg掺杂空穴型，薄膜厚度为0.2-0.6?m；其制备方法是：首先在MOCVD沉积系统的进样室中，对衬底表面进行表面等离子体...
该专利属于天津理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津理工大学授权不得商用。

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