【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶体硅太阳能生产设备领域，尤其是是一种氮化硅膜制备装置。
技术介绍
由于太阳光照射到太阳能电池的硅片上，其中一部分太阳光会被反射，即使对将硅表面设计成绒面，虽然入射光会产生多次反射可以增加光的吸收率，但是，还是会有一部分的太阳光会被反射，为了减少太阳光的反射损失，通常所采取的办法是在太阳能电池的硅片表面覆盖一层减反射膜，这层薄膜可以减少太阳光的反射率，增加光电转换效率，在晶体硅表面淀积减反射膜技术中，氮化硅膜具有高绝缘性、化学稳定性好、致密性好、硬度高等特点，同时具有良好的掩蔽金属和水离子扩散的能力，从而被广泛采用。在晶体硅太阳能电池制造过程中，制备氮化硅膜通常采用等离子体增强化学气相沉积法，简称为 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), PECVD 是利用强 电场使所需的气体源分子电离产生等离子体，等离子体中含有很多活性很高的化学基团，这些基团经过经一系列化学和等离子体反应，在硅片表面形成固态薄膜。目前，在晶体硅太阳能电池制造过程中，用于制备氮化硅膜的装置主要包括真空沉积室，真空沉积室内...
【技术保护点】
氮化硅膜制备装置，包括真空沉积室（1），真空沉积室（1）内设置有多个等离子反应器（2），真空沉积室（1）上设置有进气口（3）与抽气口（4），其特征在于：所述进气口（3）上连接有气体混合装置，所述气体混合装置上设置有进口（65）与出口（66），所述进口（65）上连接有多个用于通入制程气体的进气管（5），所述出口（66）与真空沉积室（1）的进气口（3）连通。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈五奎，李军，徐文州，耿荣军，查恩，
申请(专利权)人：乐山新天源太阳能科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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