【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种多晶坩埚免加热氮化硅涂层的处理方法，其特征为，其处理方法如下：（1）在坩埚底部和四壁刷涂一层氮化硅涂层，使刷涂后坩埚表面无明显可视裸露的石英存在，所述氮化硅涂层由氮化硅粉、硅溶胶和去离子水均匀混合而成，所述氮化硅粉、硅溶胶与去离子水的重量比为1:（0.5~0.6）:（3.5~4.0），所述氮化硅粉的用量为550~600g/G6坩埚之间，所述坩埚底部和四壁氮化硅涂层的重量比为1:（1~1.2）；（2）将经步骤（1）涂好氮化硅涂层的坩埚放置在独立干燥的房间中自然干燥24~36h，得干燥好的的坩埚，所述独立干燥的房间为独立密闭的、且带有除湿装置的房间，使房间内部湿度小于等于30RH；（3）在干燥好的的坩埚表面喷涂若干圈氮化硅涂层，所述氮化硅涂层与步骤（1）中一致，氮化硅涂层中氮化硅粉的用量为150~200g/G6坩埚之间，使坩埚表面完全覆盖氮化硅涂层即可。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘明权，陈董良，王禄宝，吴明山，
申请(专利权)人：镇江环太硅科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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