【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种等离子体化学气相沉积工艺设备，尤其涉及该设备中的真空腔体结构。技术背景自从半导体芯片制造技术从上世纪70年代发展起来以后，等离子体工艺技术，包括等离子体薄膜沉积技术，得到了很大发展和应用。在等离子体薄膜沉积技术中，又包括物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)技术；而在化学气相沉积技术中，等离子体加强化学气相沉积(PECVD)技术的应用最为广泛。今天，PECVD设备和工艺被大量地应用于半导体芯片、LED芯片、太阳能电池片以及其他专门用途的电子器件的制造工艺上。PECVD工艺，是在真空条件下借助射频能量所产生的电磁反应，将反应气体电离，产生等离子体。存在于等离子体中的有活性反应原子或分子，以及电子和离子。由于等离子体中的电子温度很高，可以达到几万度，因此等离子体虽然气体温度很低，活性反应原子或分子却可以在只有几百摄氏度(比如100-400°C)的基体表面发生化学反应，生成所需要的薄膜。如果不是由于等离子体的这一特殊性质，化学反应可能要在非常高的温度(比如5000-10000°C )条件下才能发生。由等离子体加强化学气相沉积(PECVD)工艺...
【技术保护点】
一种适用于等离子体加强化学气相沉积工艺设备的一体化真空腔体，包括上部腔体、下部腔体，还包括同射频电源连接在一起的电极，其由设置在该上部腔体内的上电极和设置在该下部腔体内的下电极组成，下电极在电性上是接地的；在上腔体上设有工艺气体导入装置，其通过设置在上部腔体上的工艺气体导入口导入工艺腔室而进入上下电极之间，在上下电极之间设置气体喷淋头；在下部腔体上安装冷却装置；在下电极上设置加热器，其置于所述真空腔体构成的真空腔室的外面，在该真空腔体上设有设有抽真空口；其特征在于：其中的下电极和下部腔体是同一种材料、一体构成的一体化真空下腔体构件。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：季安，赖守亮，
申请(专利权)人：北京普纳森电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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