气体扩散均匀化装置及使用该装置的等离子体工艺设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种提高真空腔室中气体扩散均匀化的装置，包括一片或多片叠设的带有若干气体通孔的扩散件，扩散件的形状和尺寸与真空腔室空间的相应截面匹配，使得通过扩散件将真空腔室分割成两个空间，使得气体导入口与抽真空口分别置于该两个空间。本实用新型专利技术还提供设置气体扩散均匀化装置的等离子体工艺设备，其中的气体扩散均匀化装置安装于真空腔室内的内壁与所述下电极的下底面之间的空间内，气体导入装置和抽真空口分置于该两个空间，且所述下电极的上端面与所述气体导入装置处于同一空间中。本实用新型专利技术以设置扩散件这种简单的方式有效地实现了对真空腔室中气体扩散均匀性的改善，使得等离子体工艺的均匀性得到显著提高。相比传统的技术解决办法，本实用新型专利技术涉及到的机构易于实现，机械加工和安装简单可靠，成本也显著降低。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种气体扩散均匀化装置，尤其涉及提高真空腔室中气体扩散均匀化的装置。本技术还提供设置所述气体扩散均匀化装置的等离子体エ艺设备。
技术介绍
许多半导体集成电路芯片、LED芯片和其它微电子芯片的制造エ艺，都会用到真空环境下的薄膜生长或刻蚀的エ艺步骤。薄膜生长エ艺，是在基体的表面，生长出新的薄膜材料，通常所见的エ艺类型有等离子体加强化学气相沉积(PECVD)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)及物理气相沉积(PVD)等。刻蚀エ艺，是从基体表面有选择性地形成具有挥发性的反应物，从而去除材料，通常所见的エ艺类型有感应耦合等离子体(ICP)刻蚀エ艺及反应离子刻蚀(RIE)エ艺等。无论是薄膜生长反应，还是等离子体刻蚀反应，一般都是通过以下方式来实现的， 即将反应气体(又称エ艺气体)引入真空腔室中；利用射频或微波能量，将反应气体电离分解，形成等离子体；在等离子体中，含有离子、电子以及化学反应活性极高的中性原子或分子；当这些具有很高的化学活性的原子、分子和获得较高能量的离子与基体接触时，就可以发生化学的和物理的反应，在基体上生成固态薄膜，实现薄膜生长反应，或生成具有挥发性的反应物,并且由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体扩散均匀化装置，其特征在于：包括一片或多片叠设的带有若干气体通孔的扩散件，所述扩散件的形状和尺寸与要安装的真空腔室空间的相应截面匹配，使得通过所述扩散件将所述真空腔室分割成两个空间，使得气体导入口与抽真空口分别置于该两个空间内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赖守亮，季安，
申请(专利权)人：北京普纳森电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：