批量式处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供处理气体的使用效率高、且即便被处理体的面积巨大也能够应用ALD法的批量式处理装置。具备主室（31a）；在主室（31a）内沿该主室的高度方向层叠设置，并载置被处理体（G）的多个工作台（101a～101y）；以及针对每个工作台（101a～101y）分别设置一个、并遮盖载置于工作台（101a～101y）的被处理体（G）的多个罩（102a～102y），利用多个工作台（101a～101y）与多个罩（102a～102y），以包围载置于多个工作台（101a～101y）的多个被处理体（G）中的各被处理体（G）的方式，形成容量小于主室（31a）的容量的处理用小空间（106）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及批量式处理装置。
技术介绍
以往，例如为了对在液晶显示器、有机EL等平板显示器(以下称作FPD)、太阳电池模块的制造中使用的作为被处理体的玻璃基板进行成膜、蚀刻等处理，从处理速度、控制性的观点出发，多使用等离子处理，并使用单张式处理装置，以避免批量式的装置构造的复杂性、提高等离子体的性能，由此来满足与处理能力(through — put)有关的要求。然而，当然，与利用单张式的装置进行处理相比，利用批量式的装置进行处理在处理能力方面效率高，近年来，也开发出了基于批量式处理的处理装置，例如专利文献I中记载有这样的批量式处理装置。 另一方面，随着形成于玻璃基板上的TFT (Thin Film Transistor :薄膜晶体管)微细化，由等离子体对作为栅极等而形成于玻璃基板上的薄膜造成的损伤严重，并且，在有机EL等的制造中，需要更低的温度的工艺(process)，根据这些要求，重新研究不使用等离子体的基于气体的工艺。在像这样的不产生等离子体而使用基于气体的处理的处理装置的情况下，由于处理装置的构造比使用等离子体的处理装置的构造简单，所以更容易采用批量式处理装置。专利文献I :日本特开平8 — 8234号公报但是，若欲简单地在大的工艺室内排列多个玻璃基板、对多个玻璃基板同时进行处理，则会发生处理气体的使用效率降低的情况。这是由于工艺室的容量变大。并且，在薄膜成膜的领域中，如下的原子层堆积法(以下称作ALD法)受到关注使基板的表面上交替流过有两种以上的前驱体气体，通过在形成于基板表面上的吸附位置(adsorption site)吸附这些前驱体气体而以原子层等级成膜薄膜。这是因为考虑到如下情况:ALD法的台阶覆盖性、膜厚均匀性、薄膜控制性优异，对于形成更加微细化的元件来说是极其有效的。例如，当前，在对具有730mmX920mm 2200mmX2500mm的大小、面积比半导体晶片的面积大很多的玻璃基板等的薄膜成膜中，为了实现薄膜的高质量化，开始研究ALD法的采用。但是，若欲对多个大面积的玻璃基板同时使用ALD法，则除了玻璃基板自身的面积大之外，收纳多个玻璃基板的工艺室自身的容量也变得巨大，因此难以对多个玻璃基板的表面分别均匀地进行前驱体气体的供给、排气。因此，例如难以在玻璃基板的表面分别均匀地形成吸附位置，难以实现前驱体气体与吸附位置之间的均匀且稳定的反应，无法得到期待质量的薄膜。
技术实现思路
本专利技术提供处理气体的使用效率高、且即便被处理体的面积巨大也能够应用ALD法的批量式处理装置。本专利技术的一个方式所涉及的批量式处理装置是对多个被处理体同时实施处理的批量式处理装置，具备主室；在上述主室内沿该主室的高度方向层叠设置、且用于载置上述被处理体的多个工作台；以及针对每个上述工作台分别设置一个、且遮盖载置于上述工作台的上述被处理体的多个罩，利用上述多个工作台与上述多个罩，以包围载置于上述多个工作台的上述多个被处理体中的各个被处理体的方式，形成容量小于上述主室的容量的处理用小空间。根据本专利技术，能够提供处理气体的使用效率高、并且即便被处理体的面积巨大也能够应用ALD法的批量式处理装置。附图说明图I是示出具备本专利技术的第一实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的处理 系统的一例的水平剖视图。图2是沿着图I中的II — II线的剖视图。图3中，(A)图是示出使罩上升后的状态的图，(B)图是示出使罩下降后的状态的图。图4中，(A)图是示出使升降器上升后的状态的图，(B)图是示出使升降器下降后的状态的图。图5是示出工作台与罩分离后的状态的立体图。图6中，(A)图是气体喷出孔形成区域附近的俯视图，(B)图是沿着(A)图中的VIB — VIB线的剖视图。图7中，(A)图是排气槽附近的俯视图，(B)图是沿着(A)图中的沿VIIB — VIIB线的剖视图。图8是示出处理用小空间内的气体的流动的图。图9中，(A) (F)是示出被处理体G的搬入、搬出动作的一例的剖视图。图10中，(A)图是第一变形例所涉及的批量式处理装置的俯视图，(B)图是沿着(A)图中的XB — XB线的剖视图。图11中，(A) (C)是示出处理用小空间的形成例的剖视图。图12中，(A)图是示出第三变形例所涉及的批量式处理装置的使工作台下降后的状态的图，(B)图是示出使工作台上升后的状态的图。图13是示出第三变形例所涉及的批量式处理装置的使升降器上升后的状态的图。图14是示出垂直气体喷出方式的一例的剖视图。图15是示出水平气体喷出方式的一例的剖视图。图16中，(A)图是示出第四变形例所涉及的批量式处理装置的使升降器下降后的状态的图，(B)图是示出使升降器上升后的状态的图。图17是示出工作台的销状升降器收纳部附近的剖视图。图18中，(A)图是示出第五变形例所涉及的批量式处理装置的使罩上升后的状态的图，(B)图是示出使罩下降后的状态的图。图19是示出本专利技术的第二实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩与其附近的剖视图。图20是示出本专利技术的第三实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩与其附近的剖视图。图21是示出本专利技术的第三实施方式的变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩与其附近的剖视图。图22是示出本专利技术的第四实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。图23中，(A)图及(B)图是沿着图22中XXIII — XXIII线的剖视图。图24中，(A)图及(B)图是将排气槽附近放大示出的剖视图。 图25是示出第四实施方式的第一变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。图26是示出第四实施方式的第二变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。图27是示出第四实施方式的第三变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。图28是示出第四实施方式的第四变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。图29是示出第四实施方式的第五变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。图30是示出第一实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。图31是示出本专利技术的第五实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。图32是将第五实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的排气槽附近放大示出的剖视图。图33是将第五实施方式的第一变形例所涉及的批量式处理装置的排气槽附近放大示出的剖视图。图34是示出第五实施方式的第二变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。图35是示出第五实施方式的第三变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。图36是将第五实施方式的第三变形例所涉及的批量式处理装置的排气槽附近放大示出的剖视图。图37是示出第五实施方式的第四变形例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。图38是示出第一实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。图39是示出本专利技术的第六实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的工作台及罩的剖视图。图40是示出拾取器的变形例的俯视图。标号说明G…被处理体；31a…主室;101a IOly…工作台;102a 102y…罩;103…罩升降支柱；105…被处理体载置面；106…处理用小空间；107…升降器；108…升降器升降支柱；IllUlla Illc…气体供本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种批量式处理装置，该批量式处理装置对多个被处理体同时实施处理，其特征在于，所述批量式处理装置具备：主室；在所述主室内沿该主室的高度方向层叠设置，并载置所述被处理体的多个工作台；以及针对每个所述工作台分别设置一个，并遮盖载置于所述工作台的所述被处理体的多个罩，利用所述多个工作台与所述多个罩，以包围载置于所述多个工作台的所述多个被处理体中的各被处理体的方式，形成容量小于所述主室的容量的处理用小空间。

【技术特征摘要】
2011.06.21 JP 2011-137102;2012.04.18 JP 2012-09501.一种批量式处理装置，该批量式处理装置对多个被处理体同时实施处理，其特征在于， 所述批量式处理装置具备 主室； 在所述主室内沿该主室的高度方向层叠设置，并载置所述被处理体的多个工作台；以及 针对每个所述工作台分别设置一个，并遮盖载置于所述工作台的所述被处理体的多个罩， 利用所述多个工作台与所述多个罩，以包围载置于所述多个工作台的所述多个被处理体中的各被处理体的方式，形成容量小于所述主室的容量的处理用小空间。2.根据权利要求I所述的批量式处理装置，其特征在于，所述批量式处理装置还具备 驱动所述多个罩或者所述多个工作台升降的驱动机构； 使所述被处理体在所述多个工作台各自的被处理体载置面与该被处理体载置面的上方之间升降的被处理体升降机构； 向所述多个处理用小空间各自的内部供给气体的气体供给机构；以及 对所述多个处理用小空间各自的内部进行排气的排气机构。3.根据权利要求I或2所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述工作台的载置所述被处理体的面平坦，在所述罩的与所述工作台对置的面设有形成所述处理用小空间的凹部。4.根据权利要求I或2所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述罩的与所述工作台对置的面平坦，在所述工作台的载置所述被处理体的面设有形成所述处理用小空间的凹部。5.根据权利要求I或2所述的批量式处理装置，其特征在于， 在所述工作台的载置所述被处理体的面以及所述罩的与所述工作台对置的面分别设有形成所述处理用小空间的凹部。6.根据权利要求2所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述驱动机构驱动所述多个罩或者所述多个工作台一起升降。7.根据权利要求2或6所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述多个工作台固定于所述主室， 所述驱动机构驱动所述多个罩升降。8.根据权利要求2或6所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述多个罩固定于所述主室， 所述驱动机构驱动所述多个工作台升降。9.根据权利要求2所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述被处理体升降机构使所述多个被处理体一起升降。10.根据权利要求2或9所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述被处理体升降机构相对于所述驱动机构独立。11.根据权利要求2或9所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述被处理体升降机构与所述驱动机构联动。12.根据权利要求11所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述被处理体升降机构具有贯通所述工作台而悬架于所述工作台的销状升降器， 所述销状升降器的下端与位于下方的所述罩的上表面抵接，所述销状升降器与所述罩的升降对应地升降。13.根据权利要求7所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述气体供给机构以及所述排气机构设于所述工作台。14.根据权利要求8所述的批量式处理装置，其特征在于， 所述气体供给机构以及所述排气机构设于所述罩。15.根据权利要求2所述的批量式处理装置，其特征在于， 当形成所述处理用小空间的凹部设于所述罩时， 所述气体供给机构的气体喷出孔以及所述排气机构的排气孔设于所述工作台的被处理体载置面。16.根据权利要求2所述的批量式处理装置，其特征在于， 当形成所述处理用小...

【专利技术属性】
技术研发人员：里吉务，石田宽，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：